В соответствии с Федеральным законом от 29 декабря 2012 г. № 273-ФЗ «Об образовании в Российской Федерации» аспирантура является третьим уровнем высшего образования (ВО) для подготовки научно-педагогических и научных кадров высшей квалификации с целью сдачи кандидатских экзаменов, проведения научных исследований, подготовки и защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук.В аспирантуре Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук осуществляется подготовка аспирантов по направлению11.06.01 — Электроника, радиотехника и системы связиНаправленность программ подготовки:

05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро – и нано электроника на квантовых эффектах.

05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

К освоению программ подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего — специалитет или магистратура. Прием на обучение по программам аспирантуры осуществляется по результатам вступительных испытаний.

Поступающие в аспирантуру сдают следующие экзамены:
1.Специальную дисциплину, соответствующую профилю направления подготовки
2.Иностранный язык

Конкурсные вступительные испытания по усмотрению экзаменационной комиссии могут проводиться как в устной, так и в письменной форме.

В соответствии с приказом № 482 Министерства образования и науки РФ от 25 апреля 2016 г. контрольные цифры приема граждан, обучающихся за счет бюджетных ассигнований федерального бюджета по программе подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ИСВЧПЭ РАН на 2017 год составляет 2 места.

  1. Заявление о приеме на обучение в аспирантуре на имя директора Института
  2. Оригинал или ксерокопия диплома специалиста или магистра и приложения к нему
  3. Копия паспорта
  4. Список трудов
  5. Фото 3х4 (2 шт.)

Сроки приема документов для поступления в аспирантуру с 15 июля по 15 августа 2017 года

Документы сдавать по адресу: 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Тел./факс: 8 (499) 123-44-64

e-mail: mail@isvch.ru

Контактное лицо: Глинский Игорь Андреевич