Решением Конкурсной комиссии № 2 (Ученого совета) от 19 февраля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Карманова Сергея Юрьевича
Расширенное заседание Ученого совета Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) посвященном 10-летию создания института.
Расширенное заседание состоится 17 апреля 2012 г. в 14.30 Повестка дня
Место проведения: г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, корп. 1, малый конференц-зал ФГУП «НИИВТ им. С.А. Векшинского»
Фотоотчет о прошедшем заседании 1, 2 (13.06.12)
«Правительственная телеграмма» «Грамота С.А. Векшинского»