С 24 по 27 июня 2019 г. в г. Суздаль Владимирской области прошла XVIII Российская конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО — и НАНОЭЛЕКТРОНИКА — 2019»,
на которой 26 июня с докладом на тему «Моделирование распределения тепловых потоков в HEMT-транзисторах» выступил м.н.с . ИСВЧПЭ РАН Зенченко Николай Владимирович.
11 -14 ноября 2019 года в г. Одинцово Московской области состоится
МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СИСТЕМ» — «ИТММС 2019»
15-16 мая 2019 года в НИЯУ «МИФИ», г. Москва пройдет 10-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». По программе конференции запланированы доклады сотрудников ИСВЧПЭ РАН: во второй день пленарный доклад Д.С. Пономарева по антеннам и пленарный доклад Р.А. Хабибуллина по ККЛ на устной секции. Во второй день сотрудники ИСВЧПЭ РАН ведут терагерцовую секцию (Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин) и секцию по СВЧ электронике (И.С. Васильевский, А.Ю. Павлов). Кроме того, ряд сотрудников ИСВЧПЭ РАН представят стендовые доклады
Впервые в России была проведена секция по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ) в рамках международной конференции “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018), которая прошла 22-25 октября 2018 г. в Институте прикладной физика РАН (Нижний Новгород). Председатель секции по ТГц ККЛ — ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин и выступил с приглашенным докладом «Terahertz quantum cascade laser with silver- and gold-based waveguide». На конференции с пленарным докладом выступил “создатель” первого ТГц ККЛ — Alessandro Tredicucci из Пизанского университета (Италия).
С программой конференции можно ознакомиться на сайте
Восьмая всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» МЭС-2018 прошла с 1 по 5 октября 2018 года в Зеленограде. На конференции с докладом на тему «Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия» выступил зав. лабораторией ИСВЧПЭ РАН А.Ю. Павлов