Конкурс на замещение должности инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 281а-ОД от 14 декабря 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79.

Конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей (приказ № 240в-ОД от 26 октября 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 3 вакансии;
Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 — 2 вакансии;
Лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — 2 вакансии;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Старший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;
Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф. — м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 24.07.2015 г.
Телефон для справок: 8-499-123-44-64
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник лаборатории исследований процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»; специальность — «Электронно-вычислительная техника»; наличие степени доктора наук — 1 вакансия;
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф.-м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 06.03.2015 г.
Телефон для справок: 8-495-280-74-28
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Открытиe вакансии на должность Инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет об открытии вакансии на должность Инженера-исследователя в Лабораторию исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе» на участок плазмохимии .
Обязанности:
— Техническое обслуживание плазмохимической установки;
— отработка и ведения технологических процессов нанесения и травления диэлектрических пленок для полупроводников группы А3В5.
Требования к кандидату:
— Наличие образования по специальности «физика плазмы» или схожих профилей, либо опыт работы на аналогичном оборудование и с аналогичными процессами от 2-3 лет.
— Высокая работоспособность
— Аналитический склад ума
— Организованность