Сотрудники нашего института стали победителями конкурса на соискание медалей РАН с премиями для молодых ученых России за лучшие научные работы по итогам за 2019 год. Название работы: Разработка и исследование однокристального приемопередающего модуля со встроенными антеннами для диапазона частот 60-67 ГГц на нитриде галлия. Авторы: Крапухин Дмитрий Владимирович, Майтама Максим Викторович, Павлов Владимир Юрьевич. Направление конкурса: 19 Разработка или создание приборов, методик, технологий и новой научно- технической продукции научного и прикладного значения.

• Постановление Президиума РАН от 16.06.2020 № 93 (стр.7, пункт 1.19.1)

«Постановление Президиума Федерального государственного бюджетного учреждения «Российская Академия Наук» от 26 апреля 2019 г. № 78.
Присудить медали Российской академии наук с премиями в размере 50000 рублей каждая для молодых ученых России по итогам конкурса 2018 года в области информатики, вычислительной техники и автоматизации — кандидату физико-математических наук Хабибуллину Рустаму Анваровичу, кандидату физико-математических наук Пономареву Дмитрию Сергеевичу (Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук), Резнику Родиону Романовичу (Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук») за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот»

• Постановление Президиума РАН (.pdf)
• Медаль РАН с преимией для молодых ученых (.pdf)

«Гранты Президента РФ для молодых ученых:

1. Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
2. Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
3. Упругие напряжения в фотопроводящих структурах на основе InGaAs с нановставками InAs для создания высокоэффективных источников терагерцового излучения (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения: 2018-2019 гг.)

• Свидетельство Р.А. Хабибуллина на получение гранта Президента России
• Свидетельство А.Н. Клочкова на получение гранта Президента России
• Свидетельство Д.С.Пономарева на получение грантов Президента России

Стипендия Президента РФ для молодых ученых

№ СП-686.2016.3, назначена приказом Минобрнауки РФ от 05.04.2016 г. № 375
Исследование дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs при низкотемпературном эпитаксиальном росте (С.С. Пушкарёв, сроки выполнения 2016–2017 гг.)

Приказ 375 (стр.23) (.pdf)

Гранты РФФИ для молодых ученых:

1. 1.12-07-31100 мол_а Исследование механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах с составными квантовыми ямами InyGa1-yAs (y=0,2-0,7) с несколькими гетеровставками InAs и GaAs (руководитель Е.А. Климов, сроки выполнения 2012-2013 гг.)
2. 14-07-31108 мол_а Исследование электронного транспорта в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с композитным спейсерным слоем, содержащим наноразмерные барьеры AlAs (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2014-2015 гг.)
4. 16-32-00552 мол_а Исследование электрофизических и кристаллографических свойств гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов (руководитель Н.А. Юзеева, сроки выполнения 2016 г.)
6. 16-29-03033 офи_м Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот (руководитель В.И. Рыжий, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
8. 17-32-80009 мол_эв_а Терагерцовый фотомиксер на основе InGaAs/InAlAs гетероструктур с искусственно созданными локальными деформациями для уменьшения времени жизни фотовозбужденных носителей (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
12. 18-32-00157 мол_а Исследование влияния дефектов различного типа на рекомбинацию фотовозбуждённых носителей заряда в гетероструктурах с метаморфным буфером InAlAs (руководитель С.С. Пушкарев, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
13. 18-32-20207 мол_а_вед Полупроводниковые наноструктуры со встроенными продольными электрическими полями для генерации терагерцевого излучения под действием фемтосекундной лазерной накачки (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)