Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 июня 2018 года; — окончание приема: 24 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),
тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Конкурс объявляется на должность младшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:
высшее профессиональное образование;
ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.
— Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба.
— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.
Отрасль науки: Нанотехнологии
Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций. Разработка технологических процессов нанесения диэлектриков, их травления, термической обработки и методов контроля этих процессов для реализации проектов изготовления современных монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5. Исследование влияние технологических процессов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов, на их характеристики в зависимости от режимов их реализации. Разработка маршрутов изготовления монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5 с использованием базовых технологических операций и имеющегося технологического оборудования. Обеспечения межоперационного контроля в процессе изготовления монолитных интегральных схем. Организация регламента технического обслуживания и ремонта технологического оборудования лаборатории
Критерии оценки:
Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба. Наличие патентов на полезную модель не менее 1.
Должностные обязанности:
Младший научный сотрудник:
Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых в ведущих отечественных и зарубежных научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Составлять отчеты (разделы отчета) по теме или ее разделу (этапу, заданию). Участвовать во внедрении результатов исследований и разработок. Следить за состоянием вверенного ему научного оборудования.
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.
Заработная плата 15 173 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».
