Сотрудниками ИСВЧПЭ РАН подготовлен приглашённый обзор (invited review) для журнала Journal of Physics D: Applied Physics

Сотрудниками ИСВЧПЭ РАН подготовлен приглашённый обзор (invited review) для журнала Journal of Physics D: Applied Physics, обзор по терагерцовым детекторам на основе полупроводниковых материалов с конфайментом носителей заряда.

Ссылка на статью

Заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев принял участие с докладом в заседании рабочей группы НТС ВПК.

Заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев принял участие с докладом в заседании рабочей группы НТС ВПК, посвященному созданию метаматериалов и метаповерхностей для систем военного и специального назначения. Заседание состоялось 15 декабря 2021 г. в РТУ МИРЭА.

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе Конгресса молодых ученых в г. Сочи.

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и  Р.А. Хабибуллин  по приглашению Координационного совета по делам молодежи в научной и образовательной сферах Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию приняли участие в работе Конгресса молодых ученых в г. Сочи в период 7-11 декабря

Подробнее о конгрессе: https://молодыеученые.годнауки.рф/

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе III Форума ученых государств-участников СНГ – 2021

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и  Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе III Форума ученых государств-участников СНГ – 2021, проходившего в г. Минск, Республика Беларусь 24-27 ноября

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев выступили с приглашенными докладами на крупной международной конференции

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев выступили с приглашенными докладами на крупной международной конференции The 7th Nano Today Conference, которая  прошла  в Гуанчжоу, Китай

https://www.elsevier.com/events/conferences/nano-today-conference/programme/speakers