Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин выступили с докладами на 1-ой Международной конференции ЛАЗЕРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ (Lasers, Semiconductor Emitters and Systems, LSES Minsk 2022), проходившей 23–27 мая в г. Минск, Республика Беларусь.
Поздравляем директора ИСВЧПЭ РАН Сергея Анатольевича Гамкрелидзе с днем рождения!
Желаем ему крепкого здоровья, дальнейших успехов и семейного благополучия !
Коллектив ИСВЧПЭ РАН
Ученые из Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова РАН (Москва), Института общей физики имени А. М. Прохорова РАН (Москва), Института физики твердого тела имени Ю. А. Осипьяна РАН (Черноголовка) с коллегами из Университета Тохоку (Япония) предложили оригинальный способ увеличения мощности ТГц-излучения, разместив на поверхности фотопроводящих антенн линзу на основе сапфирового волокна с высоким коэффициентом преломления.
В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109»
14-17 марта 2022 г. Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и А.К. Долгов приняли участие в XXVI симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» с приглашенным и стендовым докладами. С докладом по ТГц квантово-каскадным лазерам можно ознакомится по ссылке