Заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев принял участие с докладом в заседании рабочей группы НТС ВПК.

Заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев принял участие с докладом в заседании рабочей группы НТС ВПК, посвященному созданию метаматериалов и метаповерхностей для систем военного и специального назначения. Заседание состоялось 15 декабря 2021 г. в РТУ МИРЭА.

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе Конгресса молодых ученых в г. Сочи.

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и  Р.А. Хабибуллин  по приглашению Координационного совета по делам молодежи в научной и образовательной сферах Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию приняли участие в работе Конгресса молодых ученых в г. Сочи в период 7-11 декабря

Подробнее о конгрессе: https://молодыеученые.годнауки.рф/

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе III Форума ученых государств-участников СНГ – 2021

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и  Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе III Форума ученых государств-участников СНГ – 2021, проходившего в г. Минск, Республика Беларусь 24-27 ноября

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев выступили с приглашенными докладами на крупной международной конференции

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев выступили с приглашенными докладами на крупной международной конференции The 7th Nano Today Conference, которая  прошла  в Гуанчжоу, Китай

https://www.elsevier.com/events/conferences/nano-today-conference/programme/speakers

Зам. директора Д.С. Пономарев выступил с приглашенным докладом на Международном ежегодном форуме по ТГц технологиям в Сендай, Япония

Зам. директора ИСВЧПЭ РАН  Д.С. Пономарев выступил с приглашенным докладом «Detection of THz radiation through strain-induced photoconductive devices» на Международном ежегодном форуме по ТГц технологиям RJUSE TeraTech 2021 в Сендай, Япония, 1-4 ноября 2021  http://www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp/RJUSE-TeraTech-2021/?page=home