13-14 ноября 2018 г. в Москве состоится общее собрание членов РАН

2018г, Все новости

13-14 ноября 2018 г. в Москве состоится общее собрание членов РАН.
На 12 ноября  2018 Г. намечается проведение общих собраний отделений РАН

Директорам научных учреждений, находящихся под научно-методическим руководством ОНИТ РАН Профессорам ОНИТ РАН

Сообщаем, что в соответствии с постановлением президиума РАН от 18 сентября
2018 г. № 130 «Об общем собрании членов РАН 13-14 ноября 2018 г. намечается проведение Общего собрания РАН, на 12 ноября 2018 г. – проведение общих собраний отделений РАН (см. на сайте РАН и во вложении).

Общее собрание ОНИТ РАН будет проходить с (внимание!) 15-00 по адресу:
Москва, Ленинский пр., 32-а, зал будет сообщен дополнительно.
ВНИМАНИЕ:
Заказ гостиницы теперь производится через «свою» организацию на электронную почту reserv@maan.ru или на факс. 8-495-427-55-00.
Справки по тел. 8-495-989-60-09:
Ирина Николаевна,
Полина.
Начальник отдела — заместитель академика-секретаря ОНИТ РАН по научно-организационной работе
к.т.н. Н.В. Попенко

Повестка (.pdf)
Повестка (.doc)

 

Научная сессия 26 ноября 2018

2018г, Все новости

Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, Научный совет РАН

«Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Консорциум

«Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» приглашает Вас и Ваших коллег принять участие в работе научной сессии по теме

«Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем».

Сессия состоится в понедельник, 26 ноября 2018 г. с 11:00 в Президиуме РАН по адресу: г. Москва, Ленинский пр-т, 32а, корп. Г, эт. 3, Зеленый зал.

Для оформления участия в сессии прошу Вас до 1 ноября направить ученым секретарям Совета:
— ФИО полностью, место работы, должность, ученую степень, контактный телефон, эл. почту;
— для проезда: марку и госномер автомобиля.

Проход и проезд участников без членства в РАН осуществляется по заранее поданным спискам и предъявлению паспорта.

Контакты ученых секретарей Совета:
— Тельминов Олег Алесандрович: otelminov@niime.ru, тел. (495) 229-74-97, (916) 693-08-14,
— Харченко Людмила Юлиановна: kharchenko2009@mail.ru,  тел. (916) 566-34-76.

Программа

ТГЦ СЕМИНАР

2018г,

Постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем» проведен в виде заседания секции по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ) в рамках международной конференции “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018) 22-25 октября 2018 г. в Институте прикладной физика РАН (Нижний Новгород). Председатель секции по ТГц ККЛ ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин выступил с приглашенным докладом «Terahertz quantum cascade laser with silver- and gold-based waveguide».

На секции с пленарным докладом выступил “создатель” первого ТГц ККЛ — Alessandro Tredicucci из Пизанского университета (Италия)

Программа (.pdf)

Проведена первая в России секция по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ)

2018г, Все новости

Впервые в России была проведена секция по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ) в рамках международной конференции “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018), которая прошла 22-25 октября 2018 г. в Институте прикладной физика РАН (Нижний Новгород). Председатель секции по ТГц ККЛ — ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин и выступил с приглашенным докладом «Terahertz quantum cascade laser with silver- and gold-based waveguide». На конференции с пленарным докладом выступил “создатель” первого ТГц ККЛ — Alessandro Tredicucci из Пизанского университета (Италия). 

С программой конференции можно ознакомиться на сайте

Восьмая всероссийская научно-техническая конференция

2018г, Все новости

Восьмая всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» МЭС-2018 прошла с 1 по 5 октября 2018 года в Зеленограде. На конференции с докладом на тему «Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия» выступил зав. лабораторией ИСВЧПЭ РАН А.Ю. Павлов