Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»
наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5», наличие степени -1 вакансия;

Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов», наличие степени -1 вакансия;

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 04 октября 2017 г. по 24 октября 2017 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Профессор Мальцев П.П. принял участие в заседание НТС Консорциума

26 января 2017 года научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Мальцев П.П. принял участие в заседание НТС Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», которое состоялось в АО «НИИМЭ и Микрон».

Заседание Экспертного совета

25 января  2017 года состоялось заседание Экспертного совета по развитию электронной и  радиоэлектронной промышленности при Комитете Государственной Думы по экономической политике, промышленности, инновационному развитию и предпринимательству в котором принял участие директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Гамкрелидзе С.А.

Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Проведение структурных измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3 шт.
— участие в исполнителя работ в НИОКР: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по 23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79