Группой физиков под руководством сотрудника ИСВЧПЭ РАН В.И. Рыжия  предложены новые конструкции n+–i–n–n+ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе двумерных материалов. Работа выполнена в тесной кооперации с учеными из США и Японии.

Статья