В период с 2015 по 2017 гг. в рамках предпринятого в инициативном порядке сотрудничества между Санкт-Петербургским национальным исследовательским Академическим университетом РАН (СПбАУ РАН), Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) и Институтом физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) были впервые в России изготовлены квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона частот (ТГц ККЛ). В СПбАУ РАН были выращены многослойные GaAs/AlGaAs гетероструктуры для ТГц ККЛ [1]. В ИСВЧПЭ РАН разработана технология постростовой обработки гетероструктур для создания двойного металлического волновода [2]. Исследования вольт-амперных и излучательных характеристик изготовленных ТГц ККЛ, проведенные в ИФМ РАН, подтверждают стимулированный характер излучения в исследуемых приборах [3].
Таким образом, впервые продемонстрированы полностью изготовленные в России квантово-каскадные лазеры ТГц диапазона. В настоящее время продолжаются исследования, направленные на оптимизацию технологии ТГц ККЛ

 

1. А.Е. Жуков и др. ФТП, 50(5), 674 (2016).
2. Р.А. Хабибуллин и др. ФТП, 50(10), 1395 (2016)
3. А.В. Иконников и др. ПЖТФ, 43(7), 86 (2017)