Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет об открытии вакансии на должность Инженера-исследователя в Лабораторию исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе» на участок плазмохимии .
Обязанности:
— Техническое обслуживание плазмохимической установки;
— отработка и ведения технологических процессов нанесения и травления диэлектрических пленок для полупроводников группы А3В5.
Требования к кандидату:
— Наличие образования по специальности «физика плазмы» или схожих профилей, либо опыт работы на аналогичном оборудование и с аналогичными процессами от 2-3 лет.
— Высокая работоспособность
— Аналитический склад ума
— Организованность