ИСВЧПЭ РАН награжден дипломом в номинации «100 лучших изобретений России-2018»

Инновация ученых Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) вошла в ТОП-100 Роспатента по итогам 2018 года. Выдающимся признано создание детектора терагерцевого излучения на нанонитях олова на подложке арсенида галлия. В номинации «100 лучших изобретений России-2018» награжден дипломом патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Авторы: Бугаев Александр Сергеевич, Ячменев Александр Эдуардович, Пономарев Дмитрий Сергеевич, Хабибуллин Рустам Анварович, Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Мальцев Петр Павлович за разработку «Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова»
(патент Российской Федерации № 2650576)

Диплом (.pdf)
Роспатент (93 позиция)
Патент (.pdf)