Физиками из ФИАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана, ИСВЧПЭ РАН, ИСАН и др. предложены и изготовлены образцы КМОП-совместимых фотоприемных устройств на основе p-n перехода, сформированном n-сверхлегированным слоем на p-легированной подложке методом лазерного сверхлегирования в среде жидкого сероуглерода. Статья опубликована в высокорейтинговом научном журнале Optics and Laser Technology, см. по ссылке https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0030399222010192