15.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_38055

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 10 сентября 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 16 августа 2018 года; — окончание приема: 5 сентября 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 5 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Измерения пассивных элементов, транзисторов и монолитных интегральных схем. Моделирование монолитных интегральных схем. Создание моделей СВЧ-транзисторов. Подготовка комплектов фотошаблонов. Написание статей в ведущие отечественные и зарубежные научные журналы. Разработка топологий интегральных микросхем (РИД).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79


06.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37641

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 7 августа 2018 года; — окончание приема: 27 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу:117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 5 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 3 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами

Решение комплекса взаимосвязанных исследовательских задач в рамках реализуемых проектов.
Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований).
Формирование научного коллектива для решения исследовательских задач и руководство им при реализации проектов (научно-технических, экспериментальных исследований и разработок) в рамках исследования самостоятельных тем в подразделении научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС и иных приборов согласно техническим заданиям.
Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Осуществление технологических операций электронно-лучевой литографии на установках электронно-лучевой нанолитографии Raith150-TWO и Voyager (производство Raith GmbH) и смежных по технологическому процессу установках.
Критерии оценки: Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

5.1. Проводит научные исследования и разработки по отдельным разделам (этапам) проектов, тем в качестве ответственного исполнителя, и (или) самостоятельно осуществляет сложные исследования, эксперименты и наблюдения.

5.2. Собирает, обрабатывает, анализирует и обобщает результаты экспериментов и наблюдений с учетом отечественных и зарубежных данных по теме исследования.

5.3. Участвует в разработке планов и методических программ исследований, рекомендаций по использованию их результатов, а также в их практической реализации.

5.4. Повышает свою квалификацию, участвует и выступает с докладами на научных семинарах.

Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

Лицо для получения дополнительных справок:

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)
Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79


02.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 3 августа 2018 года; — окончание приема: 23 августа 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 5 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами

Решение комплекса исследовательских задач в рамках реализуемых проектов.
Проведение самостоятельных работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований.
Формирование предложений к портфелю проектов Института по участию в конкурсах (тендерах, грантах).
Осуществление взаимодействия c другими научными группами/научными учреждениями в рамках совместных проектов.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Разработка методов и способов решения задач, в рамках выполняемых научно- исследовательских проектов и/или опытно-конструкторских работ.
Определение информационных ресурсов, научной, опытно-экспериментальной и приборной базы, необходимых для решения исследовательских задач.
Электромагнитное моделирование антенн терагерцового диапазона частот методами вычислительной электродинамики;
Моделирование сверхбыстрых переходных процессов в фотопроводящих средах при их возбуждении ультракороткими импульсами света.
Проведение экспериментальных исследований источников и приемников электромагнитных колебаний терагерцового диапазона частоты.
По согласованию с руководством Института, подача проектов на конкурсы в рамках тематики научных исследований.
Консультирование магистерских, дипломных проектов и диссертационных работ.
Обобщение и интерпретация научных результатов, полученных коллективом лаборатории, в том числе написание отчетов о проведенных научных исследованиях, публикация статей в российских и зарубежных рецензируемых журналах, выступление на конференциях.
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)

Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79


01.02.18

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 01 февраля 2017 г. по 31 марта 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.


01.02.18

01.02.2018 года в ИСВЧПЭ РАН с сотрудниками заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников.

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 — Галиева Галиба Бариевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 1/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 2/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 3/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 4/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе – Иванову Наталью Евгеньевну.
(протокол заседания от 23.01.2018 г. № 5/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 6/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 7/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 8/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Пушкарёва Сергея Сергеевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 9/2018)


Архив:

Показать »


18.12.17

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)


08.11.17
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» (лаборатория № 103) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 14 589 рублей/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.


08.11.17
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

Главный научный сотрудник института: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте www.isvch.ru
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.


31.10.17

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)


25.10.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101), наличие степени -1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105), наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Срок подачи документов – с 25 октября 2017 г. по 15 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79, контактное лицо Никитина Елена Владимировна Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


21.09.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» наличие степени -1 вакансия;

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании;
— диплом степени доктора или кандидата физико-математических или технических наук;
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях;
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК;
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 22 ноября 2017 г. по 13 декабря 2017 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79 контактное лицо- Никитина Елена Владимировна

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.new.isvch.ru


02.08.17
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»
наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5», наличие степени -1 вакансия;

Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов», наличие степени -1 вакансия;

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 04 октября 2017 г. по 24 октября 2017 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


29.06.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей. 29.06.2017 г.

Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»
наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на са

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5


22.02.17
• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность:
Заведующий лабораторией
• Отрасль науки:
1. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
2. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
• Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs с разными кристаллографическими ориентациями для приборов СВЧ электроники (диапазон 100 – 300 ГГц). Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц)
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи:
1. Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.
2. Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
3. Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.

• Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора физико-математических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 100
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 90
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:
• Заработная плата: 32 496 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор: Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 21.02.2017 г. по13.02.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79


17.02.17
• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность: Инженер-исследователь
• Отрасль науки: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
• Тематика исследований: Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи: Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей. Ведение проектной документации. Проектировка печатных плат. Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— стаж не менее 1 года.

Условия:
• Заработная плата: 12 685 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор:Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 15.02.2017 г. по 15.04.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79


23.01.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Технология создания сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия и построение их компактных моделей
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
Задачи:
Исследования технологических процессов изготовления Т-образных затворов полевых транзисторов, исследования частотных и шумовых параметров полевых транзисторов на основе нитрида галлия, проведение измерений параметров изготовленных транзисторов, построение шумовых и нелинейных моделей транзисторов для анализа технологических процессов изготовления, а также для проектирования монолитных интегральных схем различных частотных диапазонов
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5 шт.
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79


23.01.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Проектирование и моделирование усилителей монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия и антенн на кристалле для частот до 67 ГГц
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
Задачи:
Разработка принципиальных схем малошумящих усилителей и усилителей мощности различных частотных диапазонов, создание моделей транзисторов на нитриде галлия, проектирование антенн, проведение измерений изготовленных монолитных интегральных схем, транзисторов и антенн, сбор и анализ информации об уровне научно-технического развития, выявление охраноспособных объектов, осуществление процедур оформления документов, подачи заявок на регистрируемые РИД
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании магистратуры: 1 шт.
— опыт научной работы по тематике исследований: 3 года.
— свидетельство о профессиональной переподготовке по программам патентоведения: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в НИОКР: 5 шт.
— наличие изобретений: 1 шт.
— наличие статей за последние 5 лет: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79


23.01.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Исследование и разработка комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
Задачи:
Разработка, проведение и контроль технологических процессов нанесения тонких пленок в вакууме методом резистивного и электронно-лучевого испарения.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом об окончании специалитета.
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

23.01.17

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Проведение структурных измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3 шт.
— участие в исполнителя работ в НИОКР: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по 23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79


29.12.16
Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах Крапухина Дмитрия Владимировича.
(Протокол заседания от .27.12.2016 №2/2016)


10.05.16
Решением конкурсной комиссии (Ученого совета) ИСВЧПЭ РАН от 05.05.2016 г. Клочков Алексей Николаевич избран на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследований процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5. (Выписка из протокола от 05.05.2016 г. № 5)


29.04.16
Решением Конкурсной комиссии № 4 (Ученого совета) от 28 апреля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Михалева Артема Олеговича


08.04.16
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность: Старший научный сотрудник
Отрасль науки: Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:Исследование электронного транспорта в гетероструктурах с квантовыми ямами InAlAs/InGaAs на основе подложек InP, моделирование зонного профиля гетероструктур (зона проводимости, валентная зона, огибающие волновых функций электронов и дырок в квантовой яме и т.д.), эффект Холла, спектроскопия фотолюминесценции.

Регион: Москва
Населенный пункт:117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии: Задачи: Расчет зонных структур гетероструктур с различной конструкцией квантовой ямы (одиночная и составная яма), определение концентрации и подвижности носителей в квантовой яме методом эффекта Холла при различной температуре измерения (77-300 К), эпитаксиальный рост гетероструктур

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— кандидат физико-математических наук: 1 шт
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в грантах: 1 шт.

Условия:
Заработная плата:
21105 — 21105 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:Срочный
на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 08.04.2016 г. по 29.04.2016 г.
Лицо для получения дополнительных справок: Побойкина Анна Джановна ,
uhfseras2010@yandex.ru
8(495)280-74-79


25.02.16
Решением Конкурсной комиссии № 2 (Ученого совета) от 19 февраля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Карманова Сергея Юрьевича


24.02.16
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 37а-ОД от 24 февраля 2016 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79


11.01.16
Решением Конкурсной комиссии № 13 (Ученого совета) от 30 декабря 2015 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Крапухина Дмитрия Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Кагирину Ксению Алексеевну;
— инженер-исследователь лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе – Рубана Олега Альбертовича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Иванову Наталью Евгеньевну;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Клековкина Алексея Владимировича.


30.12.15
Утвержден состав избирательной комиссии для проведения выборов директора Института


14.12.15
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 281а-ОД от 14 декабря 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79.


24.07.15
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Старший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;
Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф. — м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 24.07.2015 г.
Телефон для справок: 8-499-123-44-64
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


26.10.15
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей (приказ № 240в-ОД от 26 октября 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 3 вакансии;
Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 — 2 вакансии;
Лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — 2 вакансии;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79


06.03.15
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет  конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник лаборатории исследований процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»; специальность — «Электронно-вычислительная техника»; наличие степени доктора наук — 1 вакансия;
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф.-м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 06.03.2015 г.
Телефон для справок: 8-495-280-74-28
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


28.11.14
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «Физика твердого тела»; — 1 вакансия;
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф.-м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 28.11.2014 г.
Телефон для справок: 8-495-280-74-28
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


11.07.14
Объявление о конкурсе ИСВЧПЭ РАН


02.07.14
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет об открытии вакансии на должность Инженера-исследователя в Лабораторию исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе» на участок плазмохимии .
Обязанности:
— Техническое обслуживание плазмохимической установки;
— отработка и ведения технологических процессов нанесения и травления диэлектрических пленок для полупроводников группы А3В5.
Требования к кандидату:
— Наличие образования по специальности «физика плазмы» или схожих профилей, либо опыт работы на аналогичном оборудование и с аналогичными процессами от 2-3 лет.
— Высокая работоспособность
— Аналитический склад ума
— Организованность


01.07.14
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет набор в аспирантуру в 2014 году на очную форму обучения.
Количество бюджетных мест — 2.
Принимаются лица, имеющие диплом специалиста или магистра.
Список необходимых документов и перечень вступительных экзаменов находится на сайте в разделе АСПИРАНТУРА
Более подробно с условиями приема можно ознакомиться в разделе НОРМАТИВНЫЕ ДОКУМЕНТЫ, в документе «Правила приема в аспирантуру ИСВЧПЭ РАН»


06.06.14

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Главный научный сотрудник института; наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Старший научный сотрудник лаборатории исследований процессов формирования низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ — транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «Проектирование и технология электронных средств» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Электронное машиностроение» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия.

Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.

Срок подачи документов – с 6 июня по 6 августа 2014 г. включительно.

Телефон для справок: 8(495)280-74-79.

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


12.07.13
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика атомного ядра и частиц»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 12 июля 2013 г. по 12 сентября 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79


28.06.13
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Старший сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС; специальность — «физика»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 28 июня 2013 г. по 28 августа 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

18.06.13 В рамках действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем» 2 июля 2013 г. состоится семинар Докладчики – Dr Zsolt Zolnai and Dr Norbert Nagy (MTA TTK MFA, Budapest, Hungary) Институт технической физики и материаловедения, г. Будапешт, Венгрия


31.05.13
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность «физика конденсированного состояния вещества», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени -1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес:http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 31 мая 2013 г. по 31 июля 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

24.08.12
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Заведующего лабораторией лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС»; специальность «электронное машиностроение», наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика металлов» наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; наличие степени -1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «прикладные математика и физика»; наличие степени — 1 вакансия;

C победителями конкурса на должность научного сотрудника будет заключен срочный трудовой договор по соглашению сторон.
Условия конкурса определяются Положением «О порядке проведения конкурса на замещение должностей научных работников организаций, подведомственных Российской академии наук» (утверждено приказом Министерства образования и науки Российской Федерации № 145, Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации № 353, Российской академии наук № 145/353/34 от 23 мая 2007 г., см. выше).

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 24 августа 2012 г. по 24 октября 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


16.12.11
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «инженер-физик»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией Исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ-транзисторов на их основе; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер электронной техники»; -1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «физика твердого тела» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник
лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела» наличие степени — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 16 декабря 2011 г. по 16 февраля 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru


26.08.11
Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления» -1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» , наличие степени кандидата наук; -1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 26 августа по 26 октября 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22


01.07.11
В период с 1 сентября 2011г по 31 октября 2011г планируется проведение работ, по капитальному ремонту окон. Заинтересованные организации, просим предоставить свои предложения, до 18 августа 2011г.


18.03.11

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» -1 вакансия;

Cтаршего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС; специальность — «системы автоматизации проектирования (по отраслям)» -1 вакансия.

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, корп. 8/0.
Срок подачи документов – с 18 марта по 18 мая 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru