27 апреля 2017 г. заместитель председателя наблюдательного совета Технологической платформы «СВЧ технологии», директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Гамкрелидзе С.А. провел научно-технический семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G». Семинар состоялся в рамках 20-й Международной выставки электронных компонентов, модулей и комплектующих Expo Electronica и 15-й Международной выставке технологий, оборудования и материалов для производства изделий электронной и электротехнической промышленности ElectronTechExpo

Скачать программу семинара

Технологическая платформа «СВЧ технологии» включена в перечень технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссией по высоким технологиям и инновациям от 01.04.2101 г. Протокол №2, от 05.07.2011 г. Протокол №3, решением президиума Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям от 21.02.2012 г., протокол №2.

Организацией-координатором является ОАО «Росэлектроника».

Организаторами ТП«СВЧ технологии» являются (Письмо ТП):

Справка о деятельности ТП «СВЧ технологии»

За основу при формировании Стратегической программы исследований технологической платформы «СВЧ технологии» (далее СПИ) приняты положения Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, Государственной программы вооружения на период до 2020 года, результаты фундаментальных, прикладных и прогнозных исследований, результаты реализации и планы выполнения НИОКР и капитального строительства в рамках федеральных целевых программ «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» ан 2008-2015 годы, «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2011 -2020 годы», комплексных целевых программ развития СВЧ электроники для обеспечения перспективных и существующих систем вооружения и военной техники, радиоэлектронной аппаратуры двойного и гражданского (общепромышленного) применения, достигнутый к настоящему времени и планируемый на программный период технический уровень изделий отечественной СВЧ электроники и научно-технический и производственно-технологический уровень предприятий СВЧ подотрасли, входящих в Холдинг ОАО «Российская электроника», а также предприятий и организаций СВЧ подотрасли, являющихся стратегическими партнерами Холдинга (в первую очередь, это организация Российской академии наук и предприятия оборонного промышленного комплекса, разрабатывающие и серийно производящие СВЧ устройства и компоненты).

Технологическая платформа «СВЧ технологии» предусматривает развитие следующей продукции:

  • высокоскоростные информационные и телекоммуникационные системы;
  • системы обеспечения безопасности воздушного, морского и наземного транспорта;
  • устройства для систем радиочастотной идентификации объектов;
  • СВЧ приборы диагностики, лечения и санитарии.

Данные системы и устройства востребованы в различных секторах экономики: радиосвязь, навигация и системы передачи информации, авионика и управление воздушным движением, медицинская и биотехнологическая промышленность, автотранспорт и управление трафиком, железнодорожные и морские перевозки, атомная энергетика, освоение космоса.

 

Задачи Технологической платформы:

  • определение перспективных направлений развития СВЧ технологий и продуктов, обеспечивающих существенное улучшение качественных характеристик СВЧ продукции и мировое лидерство российской продукции и технологий;
  • приборах, блоках и устройствах в соответствии с требованиями потребителей.

Основные направления:

  • технологии создания многофункциональных многокристальных субмодулей СВЧ;
  • технологии создания сложно функциональных блоков и радиоэлектронных устройств на основе СВЧ электроники;
  • разработка бортовых ЛБВ и комплексированных изделий на их основе для систем спутниковой космической связи;
  • технологии создания ALGaN/GaN и ALGaN/AlN/GaN СВЧ транзисторов и МИС на подложках из полиалмаза и SiC, включая технологии изготовления подложек и гетероструктур;
  • технологии создания СВЧ аналого-цифровых и цифро-аналоговых МИС на SiGe;
  • технология создания микро-ЛБВ и микромагнетронов, включая технологии изготовления холодных и безнагревных катодов;
  • технология создания нового класса СВЧ устройств на основе низковольтных многолучевых ЛБВ и клистронов с продольно-поперечным типом взаимодействия на автоэмиссионных катодах из углеродных микро- и наноструктур;
  • создание высокотехнологического производства КВЧ (60-90 ГГц) монолитных интегральных схем с использование индия на подложках фосфида индия и арсенида галлия для телекоммуникационных систем;
  • создание высокотехнологичного производства сложных наногетероструктур со слоями AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN для телекоммуникациооных систем;
  • разработка и производство ускорителей электронов для систем неразрушающего контроля и досмотра крупногабаритных грузов;
  • разработка и производство медтехники с микрофокусной оптикой на основе холодных катодов из наноструктурированного углерода;
  • разработка межпланетного локатора (в части разработки клистрона);
  • технологии получения инновационных материалов: бездислокационного германия, трехслойных структур на основе лейкосапфировой подложки, сегнето электрических и магнитных пленок, наноструктурированных радиопоглощающих покрытий, полупроводниковых материалов для гетероструктур, керамики низкотемпературного обжига, сплавов, псевдосплавов и многослойных металлов;
  • технологии широкополосного беспроводного доступа WiMAX и LTE;
  • технологии высокоскоростного обмена PDH/SDH, Ethernet, ATM и DRM;
  • mesh-технологии цифровой обработки на многоядерных «системах на кристалле».
  • высокочастотные технологии аналогово-цифровой обработки сигналов на частотах до 3 — 10 ГГц;
  • технологии цифровой обработки информационных потоков на скоростях до 0,1 — 1 Гбит/с;
  • технологии программно-реконфигурируемых средств и программных архитектур.
  • cистемы миллиметрового и суб-миллиметрового диапазонов