Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в заседании научного совета и научного семинара по теме «Системы металлизации»

27.03.2019 в РТУ МИРЭА (г. Москва, пр-т Вернадского, д. 78, корпус Д, аудитория Д412) состоялось ЗАСЕДАНИЕ НАУЧНОГО СОВЕТА И НАУЧНОГО СЕМИНАРА по теме «Системы металлизации» (научный руководитель — академик РАН Г.Я. Красников), в котором приняли участие  научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. и ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Редькин С.В.

Заседание научного совета и научного семинара «Системы металлизации»

ЗАСЕДАНИЕ НАУЧНОГО СОВЕТА И НАУЧНОГО СЕМИНАРА по теме «Системы металлизации»
(научный руководитель — академик РАН Г.Я. Красников)
состоится 27 марта 2019 г., РТУ МИРЭА
(г. Москва, пр-т Вернадского, д. 78, корпус Д, аудитория Д412)

Программа (.pdf)

Прошло заседание научного совета РАН 

12.12.2018 прошло заседание научного совета РАН  «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных  и управляющих систем и материалов для ее создания»

 

 

Ученый совет

Решением конкурсной комиссии (Ученого совета) ИСВЧПЭ РАН от 05.05.2016 г. Клочков Алексей Николаевич избран на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследований процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5.

Ученый совет

Решением Конкурсной комиссии № 4 (Ученого совета) от 28 апреля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Михалева Артема Олеговича.

Ученый совет

Решением Конкурсной комиссии № 2 (Ученого совета) от 19 февраля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Карманова Сергея Юрьевича

Расширенное заседание Ученого совета

Расширенное заседание Ученого совета Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) посвященном 10-летию создания института.

Расширенное заседание состоится 17 апреля 2012 г. в 14.30 Повестка дня

Место проведения: г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, корп. 1, малый конференц-зал ФГУП «НИИВТ им. С.А. Векшинского»
Фотоотчет о прошедшем заседании 12 (13.06.12)
«Правительственная телеграмма» «Грамота С.А. Векшинского»