Научный семинар «Нейроморфные системы и их реализация»

Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. и ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Редькин С.В. приняли участие в заседании научного семинара «Нейроморфные системы и их реализация» (АО «НИИМЭ», 24 января 2018 г.)

Скачать программу (.pdf)
Протокол научного семинара (.pdf)

Заседание, семинар

13 декабря 2017 г. в ИСВЧПЭ РАН ( г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 5, 3-й этаж, комната 502) в 14: 30 состоится заседание постоянно действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого (ТГц) диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

Руководитель семинара: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Тема семинара: «Преобразование лазерного излучения в ТГц в фотопроводящих материалах на основе GaAs»

Программа семинара (.doc)

Состоялся 6-й семинар пользователей оборудования Raith

09.06.2017 в Москве, в МГТУ имени Н.Э. Баумана состоялся 6-й семинар пользователей оборудования Raith. Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith: от идеи до реализации.

Файлы

Raith-2017.pptx
Program_Raith_User_Meeting_2017.pdf

Научно-практический семинар

В рамках российско-германского года науки и в связи с 10-летием ИСВЧПЭ РАН, состоялся научно-практический семинар «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», проводимых Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН при поддержке компании ОПТЭК.

Место проведения семинара:
Москва, Ленинский проспект, 32А, корп. Б, 2-й этаж Президентский зал здания Российской академии наук.

Программа семинара включает в себя обзорные доклады о возможностях литографического оборудования, представляемого компанией Raith, а также представление результатов использования оборудования для изготовлении различных наноструктур.

Семинар

Научная программа семинара: «Особенности применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO фирмы Raith GmbH при изготовлении Т-образных затворов полевых транзисторов для монолитных интегральных схем диапазона 30-90 ГГц», который состоится 28 мая 2012 г.

1.Основные достижения Учреждения Российской академии наук Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) в области создания монолитных интегральных схем КВЧ диапазона.
Докладчик: директор ИСВЧПЭ РАН д.т.н., профессор П.П. Мальцев.
2.Особенности применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO фирмы Raith GmbH при изготовлении Т-образных затворов полевых транзисторов для монолитных интегральных схем диапазона 30-90 ГГц.