3-я встреча пользователей оборудования Raith

30 мая 2014 года в ИСВЧПЭ РАН состоится 3-я встреча пользователей оборудования Raith «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации». Желающих приглашаем принять участие в семинаре или выступить с докладом. Подробная информация

Вторая встреча пользователей оборудования Raith

7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России. http://optec.zeiss.ru

Вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России

7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России (Фотоотчет)
http://optec.zeiss.ru

Научно-практический семинар

В рамках российско-германского года науки и в связи с 10-летием ИСВЧПЭ РАН, состоялся научно-практический семинар «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», проводимых Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН при поддержке компании ОПТЭК.

Место проведения семинара:
Москва, Ленинский проспект, 32А, корп. Б, 2-й этаж Президентский зал здания Российской академии наук.

Программа семинара включает в себя обзорные доклады о возможностях литографического оборудования, представляемого компанией Raith, а также представление результатов использования оборудования для изготовлении различных наноструктур. Участники семинара имеют уникальную возможность посетить лабораторию Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) с 29 мая по 2 июня.
«Фотоотчет о награждении грамотами сотрудников ИСВЧПЭ РАН» 1 2 3

Семинар

Научная программа семинара: «Особенности применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO фирмы Raith GmbH при изготовлении Т-образных затворов полевых транзисторов для монолитных интегральных схем диапазона 30-90 ГГц», который состоится 28 мая 2012 г.

1.Основные достижения Учреждения Российской академии наук Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) в области создания монолитных интегральных схем КВЧ диапазона.
Докладчик: директор ИСВЧПЭ РАН д.т.н., профессор П.П. Мальцев.
2.Особенности применения электронно-лучевого литографа Raith 150TWO фирмы Raith GmbH при изготовлении Т-образных затворов полевых транзисторов для монолитных интегральных схем диапазона 30-90 ГГц.
Докладчик: заместитель директора ИСВЧПЭ РАН Ю.В. Федоров.
3. Новые разработки электронно-лучевых литографов фирмой Raith GmbH.
Докладчик: представитель фирмы Raith GmbH