Научная сессия 26 ноября 2018

Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, Научный совет РАН

«Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Консорциум

«Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» приглашает Вас и Ваших коллег принять участие в работе научной сессии по теме

«Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем».

Сессия состоится в понедельник, 26 ноября 2018 г. с 11:00 в Президиуме РАН по адресу: г. Москва, Ленинский пр-т, 32а, корп. Г, эт. 3, Зеленый зал.

Для оформления участия в сессии прошу Вас до 1 ноября направить ученым секретарям Совета:
— ФИО полностью, место работы, должность, ученую степень, контактный телефон, эл. почту;
— для проезда: марку и госномер автомобиля.

Проход и проезд участников без членства в РАН осуществляется по заранее поданным спискам и предъявлению паспорта.

Контакты ученых секретарей Совета:
— Тельминов Олег Алесандрович: otelminov@niime.ru, тел. (495) 229-74-97, (916) 693-08-14,
— Харченко Людмила Юлиановна: kharchenko2009@mail.ru,  тел. (916) 566-34-76.

Программа

Участие в научной сессии

Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. и заведующий лабораторией ИСВЧПЭ РАН Павлов А.Ю. приняли участие в научной сессии «Исследовательские и образовательные компетенции для цифровой экономики» (ВЦ РАН им. А.А. Дородницына, 06 июня 2018 г.)

Программа научной сессии.doc

Участие в научной сессии

6 мая 2018 года в Российской академии наук состоялась научная сессия «Фундаментальные проблемы создания и развития элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем современного уровня». В работе сессии приняли участие — С.А. Гамкрелидзе, П.П. Мальце, Р.А. Хабибуллин. Р.А. Хабибуллин выступил с докладом — Источники терагерцового излучения для систем беспроводной связи нового поколения 6G

Информация о сессии

Общее собрание членов РАН. Выступление президента РАН, академика Александра Сергеева

29.03.2018-30.03.2018 гг. в г. Москве прошло общее собрание членов РАН, в котором принял участие главный научный сотрудник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, д.ф.м.н., профессор, член-корреспондент РАН В.И. Рыжий

Президент РАН академик Александр Сергеев о разработках в ИСВЧПЭ РАН квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот

Повестка ОС РАН (.doc)

Слайд (.pptx)

НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем»

28.02.2018 г. в ВЦ РАН им. А.А. Дородницына, г. Москва, состоялась НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем», научный руководитель академик РАН Г.Я. Красников, в которой приняли участие директор ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук С.А. Гамкрелидзе, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук П.П. Мальцев и начальник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, кандидат технических наук А.Ю. Павлов. А.Ю. Павлов выступил на сессии с докладом на тему «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности»

Научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН

18 мая в Зеленом зале Президиума Российской академии состоялась научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН «Научные основы создания беспроводных телекоммуникационных сетей следующих поколений». Программа сессии

Научная сессия «Электроника России: новые вызовы»

12 апреля 2016 года в Краснов зале РАН состоится научная сессия «Электроника России: новые вызовы». Общественное обсуждение в рамках серии круглых столов «Судьба электроники России» приурочено к двадцатилетнему юбилею журнала. «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес».
На сессии представит доклад, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, Мальцев П.П.
Программа сессии

Научная сессия ОНИТ РАН

10 сентября 2013 г. состоялась Научная сессия ОНИТ РАН в рамках Международного симпозиума «Элементная база кремниевой микро- и наноэлектроники, твердотельных квантовых компьютеров», посвященного 25-летию Физико-технологического института РАН (ФТИАН). Программа сессии

Научная сессия Научного совета ОНИТ РАН

24 мая 2013 г. в ФТИАН состоялась научная сессия Научного совета ОНИТ РАН по теме «КАРБИД КРЕМНИЯ: монокристаллы, эпитаксиальные слои, кристаллическая структура, способы получения, свойства, применения»
Программа сессии