НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем»

28.02.2018 г. в ВЦ РАН им. А.А. Дородницына, г. Москва, состоялась НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем», научный руководитель академик РАН Г.Я. Красников, в которой приняли участие директор ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук С.А. Гамкрелидзе, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук П.П. Мальцев и начальник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, кандидат технических наук А.Ю. Павлов. А.Ю. Павлов выступил на сессии с докладом на тему «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности»

Научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН

18 мая в Зеленом зале Президиума Российской академии состоялась научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН «Научные основы создания беспроводных телекоммуникационных сетей следующих поколений». Программа сессии

Научная сессия «Электроника России: новые вызовы»

12 апреля 2016 года в Краснов зале РАН состоится научная сессия «Электроника России: новые вызовы». Общественное обсуждение в рамках серии круглых столов «Судьба электроники России» приурочено к двадцатилетнему юбилею журнала. «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес».
На сессии представит доклад, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, Мальцев П.П.
Программа сессии

Научная сессия ОНИТ РАН

10 сентября 2013 г. состоялась Научная сессия ОНИТ РАН в рамках Международного симпозиума «Элементная база кремниевой микро- и наноэлектроники, твердотельных квантовых компьютеров», посвященного 25-летию Физико-технологического института РАН (ФТИАН). Программа сессии

Научная сессия Научного совета ОНИТ РАН

24 мая 2013 г. в ФТИАН состоялась научная сессия Научного совета ОНИТ РАН по теме «КАРБИД КРЕМНИЯ: монокристаллы, эпитаксиальные слои, кристаллическая структура, способы получения, свойства, применения»
Программа сессии