Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность: Инженер-исследователь
• Отрасль науки: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
• Тематика исследований: Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи: Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей. Ведение проектной документации. Проектировка печатных плат. Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— стаж не менее 1 года.

Условия:
• Заработная плата: 12 685 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор:Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 15.02.2017 г. по 15.04.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Никитина Елена Владимировна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Младший научный сотрудник

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 01 февраля 2017 г. по 31 марта 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.

Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников

01.02.2018 года в ИСВЧПЭ РАН с сотрудниками заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников.

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 — Галиева Галиба Бариевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 1/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 2/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 3/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 4/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе – Иванову Наталью Евгеньевну.
(протокол заседания от 23.01.2018 г. № 5/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 6/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 7/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 8/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Пушкарёва Сергея Сергеевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 9/2018)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)