Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика атомного ядра и частиц»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 12 июля 2013 г. по 12 сентября 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Старший сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС; специальность — «физика»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 28 июня 2013 г. по 28 августа 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность «физика конденсированного состояния вещества», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени -1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес:http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 31 мая 2013 г. по 31 июля 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Заведующего лабораторией лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС»; специальность «электронное машиностроение», наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика металлов» наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; наличие степени -1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «прикладные математика и физика»; наличие степени — 1 вакансия;

C победителями конкурса на должность научного сотрудника будет заключен срочный трудовой договор по соглашению сторон.
Условия конкурса определяются Положением «О порядке проведения конкурса на замещение должностей научных работников организаций, подведомственных Российской академии наук» (утверждено приказом Министерства образования и науки Российской Федерации № 145, Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации № 353, Российской академии наук № 145/353/34 от 23 мая 2007 г., см. выше).

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 24 августа 2012 г. по 24 октября 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «инженер-физик»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией Исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ-транзисторов на их основе; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер электронной техники»; -1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «физика твердого тела» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела» наличие степени — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 16 декабря 2011 г. по 16 февраля 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления» -1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» , наличие степени кандидата наук; -1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 26 августа по 26 октября 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Конкурс на замещение вакантных должностей

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» -1 вакансия;

Cтаршего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС; специальность — «системы автоматизации проектирования (по отраслям)» -1 вакансия.

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, корп. 8/0.
Срок подачи документов – с 18 марта по 18 мая 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru