Объявление о проведении конкурса ВАКАНСИЯ ID VAC 32849

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф
ВАКАНСИЯ ID VAC_32849

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 13 апреля 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 марта 2018 года; — окончание приема: 11 апреля 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук;

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами.

1 Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Старший научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований). Формирование предложений к портфелю научных (научно-технических) проектов и предложений по участию в конкурсах (тендерах, грантах) в соответствии со стратегическим планом развития научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС. Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Организация практического использования результатов научных (научно-технических, экспериментальных) проектов, в том числе публикация результатов, а также представление научных (научно-технических) результатов потенциальным потребителям.
Осуществление технологических операций шлифования и полирования свободным абразивом приборных пластин на многофункциональной установке РМ-5 (производство Logitech Ltd).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 21 949 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (http://new.isvch.ru/doc/)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru Телефон: 8-495-280-74-79

Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность: Инженер-исследователь
• Отрасль науки: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
• Тематика исследований: Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи: Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей. Ведение проектной документации. Проектировка печатных плат. Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— стаж не менее 1 года.

Условия:
• Заработная плата: 12 685 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор:Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 15.02.2017 г. по 15.04.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Никитина Елена Владимировна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Младший научный сотрудник

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 01 февраля 2017 г. по 31 марта 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.

Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников

01.02.2018 года в ИСВЧПЭ РАН с сотрудниками заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников.

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 — Галиева Галиба Бариевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 1/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 2/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 3/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 4/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе – Иванову Наталью Евгеньевну.
(протокол заседания от 23.01.2018 г. № 5/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 6/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 7/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 8/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Пушкарёва Сергея Сергеевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 9/2018)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101), наличие степени -1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105), наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Срок подачи документов – с 25 октября 2017 г. по 15 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79, контактное лицо Никитина Елена Владимировна

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

Главный научный сотрудник института: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте www.isvch.ru
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» (лаборатория № 103) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 14 589 рублей/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей. 29.06.2017 г.

Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»
наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5