Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников

01.02.2018 года в ИСВЧПЭ РАН с сотрудниками заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников.

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 — Галиева Галиба Бариевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 1/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 2/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 3/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 4/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе – Иванову Наталью Евгеньевну.
(протокол заседания от 23.01.2018 г. № 5/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 6/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 7/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 8/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Пушкарёва Сергея Сергеевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 9/2018)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101), наличие степени -1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105), наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Срок подачи документов – с 25 октября 2017 г. по 15 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79, контактное лицо Никитина Елена Владимировна

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

Главный научный сотрудник института: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте www.isvch.ru
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

Младший научный сотрудник института; «Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» (лаборатория № 103) — — 1 вакансия.
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры (магистратуры) или специалитета
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
— участие в исполнителя работ в НИОКР
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности
— наличие статей за последние 5 лет
— наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК.

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 14 589 рублей/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей. 29.06.2017 г.

Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»
наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность:
Заведующий лабораторией
• Отрасль науки:
1. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
2. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
• Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs с разными кристаллографическими ориентациями для приборов СВЧ электроники (диапазон 100 – 300 ГГц). Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц)
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи:
1. Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.
2. Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
3. Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.

• Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора физико-математических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 100
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 90
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:
• Заработная плата: 32 496 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор: Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 21.02.2017 г. по13.02.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»
наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5», наличие степени -1 вакансия;

Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов», наличие степени -1 вакансия;

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 04 октября 2017 г. по 24 октября 2017 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Проведение структурных измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3 шт.
— участие в исполнителя работ в НИОКР: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по 23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79