ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 23 ноября 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 9 октября 2020 года; — окончание приема: 20 ноября 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; (1 ставка)

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Физика конденсированного состояния
Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Проведение структурных исследований с помощью анализа карт обратного пространства полученных методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Исследование влияния структурных особенностей на электро-физические свойства A3B5наногетероструктур и HEMT на их основе.
Проведение технического обслуживания и ремонта оборудования лаборатории
Исследование структур и устройств с резистивной памятью
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата технических наук: 1 шт.

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 18

Условия:

Заработная плата:
22 893,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 09.10.2020 г. по 20.11.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

 

Результаты конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5»  (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 09.10.2020 г. VAC69773), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— старший научный сотрудник лаборатории  № 105 «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5».

– Рубан Олег Альбертович

Протокол (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность заведующего лабораторией (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 31.12.2019 г. VAC58630), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— заведующий лабораторией № 101 «Лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5».

– Климов Евгений Александрович

Протокол (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность научного сотрудника (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 20.12.2019 г. VAC 58061), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— научный сотрудник лаборатории № 104 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах».

– Зуев Алексей Вячеславович

Протокол  (.pdf)

ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 31 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность  заведующего «Лабораторией   исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5;                  (1 ставка)

Отрасль науки:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs, в том числе с различными кристаллографическими ориентациями, для приборов СВЧ электроники (диапазон 90 – 300 ГГц).
Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц).
Разработка и исследование технологических основ и принципов создания наногетеростуктур для полевых транзисторов на основе полупроводников A3B5 группы.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , технологических условий эпитаксиального роста и послеростового отжига на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наностурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs, а также на основе множественных квантовых ям LT-InGaAs/InAlAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Исследование влияния технологических процессов, используемых при изготовлении эпитаксиальных полупроводниковых структур, на их электрофизические свойства и характеристики в зависимости от режимов их реализации.
Исследование структурных, оптических и электрофизических свойств выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии структур.
Проведение анализа технического задания на разработку МИС СВЧ в части требований, предъявляемых к материалам и типам наногетероструктур
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований, а также материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау)

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата физико-математических наук: 1 шт.

— опыт научной и организаторской работы не менее 5 лет

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 10

Условия:

Заработная плата:
30 910,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 31.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru