ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и разработка прецизионных плазмохимических процессов травления и осаждения материалов с целью оптимизации технологических процессов для создания приборов СВЧ электроники. СВЧ ЭЦР процессы травления, СВЧ плазменные процессы формирования слоев 3С-SiC на кремнии, лазерные плазмохимические процессы, травление поликристаллического алмаза, сапфира и разработка соответствующих экспериментальных технологических установок.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Исследование и разработка СВЧ ЭЦР плазменных процессов травления материалов микроэлектроники и соответствующих экспериментальных установок.
Исследование и разработка лазерных плазмохимических процессов травления применительно к фрагментированию пластин на кристаллы поликристаллического алмаза и сапфира.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 3

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

Главный научный сотрудник, лаборатория № 103 (Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи)

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность: Главный научный сотрудник, лаборатория № 103

Отрасль науки: Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи

Тематика исследований: Разработка физических принципов увеличения чувствительности и возможности динамического управления полосой пропускания фотодетекторов терагерцевого излучения на основе кристаллитов черного фосфора (фосфорена) и графена, их гибридных гетероструктур, а также других низкоразмерных систем

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:

  • разработка физических моделей ТГц фотодетекторов на основе кристаллитов черного фосфора и графена, а также их гибридных структур;
  • разработка и изготовление образцов кристаллитов черного фосфора с различной толщиной на подложках Si/SiO2;
  • моделирование дизайна ТГц антенн для созданных кристаллитов черного фосфора, определение их оптимальных геометрических параметров, а также оценка распределения электрических полей;
  • разработка методик неразрушающего оптического контроля двумерных кристаллитов черного фосфора;
  • разработка и применение методов ТГц спектроскопии временного разрешения (в том числе метода оптической накачки-зондирования) для исследования параметров кристаллитов черного фосфора (подвижность, время жизни фотовозбужденных носителей заряда, ширина запрещенной зоны);
  • разработка технологических приемов и экспериментальных методик для создания ТГц фотодетекторов на основе исследуемых материалов.

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:

  • диплом о высшем образовании: 1 шт.
  •  диплом доктора наук: 1 шт.
  • наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 15
  • наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 45
  • наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
26 516 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:  Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да

Тип занятости: Полная занятость

Режим работы: неполный день

Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 21.06.2019 г. по 21.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность младшего научного сотрудника лаборатории № 104 (конкурс на сайте www.isvch.ru от 31.01.2019 г.) утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 08.04.2019 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН:

— младший научный сотрудник «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) » — 1 вакансия – Михалева Артема Олеговича

Конкурс

Провести заседание конкурсной комиссии по замещению вакантной должности младшего научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) 8 апреля 2019 г. в 11:00 в зале «Ученого совета».

Младший научный сотрудник

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
––  наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования

Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости: полная занятость
Режим работы: полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 31 января  2019 г. по 31 марта 2019 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.

Победители конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантные должности научного сотрудника лаборатории № 106, размещенных на сайте www.ученые-исследователи.рф вакансия ID VAC_40702 от 29.08.2018 г., вакансия ID VAC_40972 от 6.09.2018 г. и вакансия ID VAC_40982 от 6.09.2018 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантных должностей Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Павлова Владимира Юрьевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Томоша Константина Николаевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Слаповского Дмитрия Николаевича;

Протокол 18 (.pdf)
Протокол 19 (.pdf)
Протокол 20 (.pdf)

Оъявление конкурсов на соискание золотых медалей и премий имени выдающихся ученых, проводимых РАН в 2019 году

ОЪЯВЛЕНИЕ КОНКУРСОВ НА СОИСКАНИЕ ЗОЛОТЫХ МЕДАЛЕЙ И ПРЕМИЙ ИМЕНИ ВЫДАЮЩИХСЯ УЧЕНЫХ, ПРОВОДИМЫХ РАН В 2019 ГОДУ

Детали информации о конкурсах (.pdf)

Конкурсы

В соответствии с конкурсом на вакантную должность научного сотрудника лаборатории № 104, размещенную на сайте www.ученые-исследователи.рф

Вакансия ID VAC_38055 от 16.08.2018 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— научного сотрудника лаборатории № 104 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Майтама Максима Викторовича;

Протокол (.pdf)

ВАКАНСИЯ ID VAC_40972

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_40972

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 сентября 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 7 сентября 2018 года; — окончание приема: 27 сентября 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи:

Участие в научно-исследовательских и (или) опытно-конструкторских разработках в рамках реализации совместных научных (научно-технических, инновационных) проектов.
Проведение экспериментальных исследований и обработки их результатов.
Доведение до всеобщего сведения научных (научно-технических) результатов и технологических решений по изготовлению СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе.
4.Подготовка отчетной документации.

Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами
Проведение анализа научных данных, результатов экспериментов и наблюдений.
Сбор и изучение научно-технической информации по теме исследований и разработок. Осуществление теоретического обобщения научных данных, результатов экспериментов и наблюдений.
Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования.
Анализ научных (научно-технических) результатов.
Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций.
Разработка и оптимизация технологических операций при изготовлении СВЧ МИС.
Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Проведение технологических операций нанесения тонких пленок на установках вакуумного напыления резистивным методом (УВН-2М) и с электронно-лучевым испарителем (SemiTEq STE EB71S).

Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

1.Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем.
2.Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений
3. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования
4.Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования
5. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых научных изданиях

Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. 2. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя.
Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обосновывать тематики новых исследований.
Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования.

ВАКАНСИЯ ID VAC_40982

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_40982

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 сентября 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 7 сентября 2018 года; — окончание приема: 27 сентября 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи:

1.Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования

Проведение анализа научных данных, результатов экспериментов и наблюдений.
3Сбор и изучение научно-технической информации по теме исследований и разработок.

Осуществление теоретического обобщения научных данных, результатов экспериментов и наблюдений.
Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования.
6.Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами.

7.Анализ научных (научно-технических) результатов.

8.Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций.

Разработка и оптимизация технологических операций при изготовлении СВЧ МИС.
Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Проведение технологических операций плазмохимического нанесения диэлектрических пленок (Oxford Plasmalab System 100) и их плазмохимического травления (Sentech SI 500).

Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

1.Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем
2.Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения.
3. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений

Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования.
Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя.
Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обосновывать тематики новых исследований.
7.Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений.

8.Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования.

Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке.
Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых научных изданиях (написание статей в ведущие отечественные и зарубежные научные журналы).
Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях.
Проводить и контролировать технологические операции при изготовлении СВЧ МИС, осуществляемые научной группой, согласовывать операции с разработчиками, вносить необходимые изменения.
Разрабатывать новые и совершенствовать старые методы контроля проведения технологических операций.