ВАКАНСИЯ ID VAC_37641

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37641

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 7 августа 2018 года; — окончание приема: 27 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу:117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 3 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами

Решение комплекса взаимосвязанных исследовательских задач в рамках реализуемых проектов.
Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований).
Формирование научного коллектива для решения исследовательских задач и руководство им при реализации проектов (научно-технических, экспериментальных исследований и разработок) в рамках исследования самостоятельных тем в подразделении научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС и иных приборов согласно техническим заданиям.
Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Осуществление технологических операций электронно-лучевой литографии на установках электронно-лучевой нанолитографии Raith150-TWO и Voyager (производство Raith GmbH) и смежных по технологическому процессу установках.
Критерии оценки: Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

5.1. Проводит научные исследования и разработки по отдельным разделам (этапам) проектов, тем в качестве ответственного исполнителя, и (или) самостоятельно осуществляет сложные исследования, эксперименты и наблюдения.

5.2. Собирает, обрабатывает, анализирует и обобщает результаты экспериментов и наблюдений с учетом отечественных и зарубежных данных по теме исследования.

5.3. Участвует в разработке планов и методических программ исследований, рекомендаций по использованию их результатов, а также в их практической реализации.

5.4. Повышает свою квалификацию, участвует и выступает с докладами на научных семинарах.

Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

Лицо для получения дополнительных справок:

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)
Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 3 августа 2018 года; — окончание приема: 23 августа 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами

Решение комплекса исследовательских задач в рамках реализуемых проектов.
Проведение самостоятельных работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований.
Формирование предложений к портфелю проектов Института по участию в конкурсах (тендерах, грантах).
Осуществление взаимодействия c другими научными группами/научными учреждениями в рамках совместных проектов.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Разработка методов и способов решения задач, в рамках выполняемых научно- исследовательских проектов и/или опытно-конструкторских работ.
Определение информационных ресурсов, научной, опытно-экспериментальной и приборной базы, необходимых для решения исследовательских задач.
Электромагнитное моделирование антенн терагерцового диапазона частот методами вычислительной электродинамики;
Моделирование сверхбыстрых переходных процессов в фотопроводящих средах при их возбуждении ультракороткими импульсами света.
Проведение экспериментальных исследований источников и приемников электромагнитных колебаний терагерцового диапазона частоты.
По согласованию с руководством Института, подача проектов на конкурсы в рамках тематики научных исследований.
Консультирование магистерских, дипломных проектов и диссертационных работ.
Обобщение и интерпретация научных результатов, полученных коллективом лаборатории, в том числе написание отчетов о проведенных научных исследованиях, публикация статей в российских и зарубежных рецензируемых журналах, выступление на конференциях.
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)

Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 июня 2018 года; — окончание приема: 24 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность младшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

— Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба.

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии

Задачи и критерии оценки.

Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций. Разработка технологических процессов нанесения диэлектриков, их травления, термической обработки и методов контроля этих процессов для реализации проектов изготовления современных монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5. Исследование влияние технологических процессов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов, на их характеристики в зависимости от режимов их реализации. Разработка маршрутов изготовления монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5 с использованием базовых технологических операций и имеющегося технологического оборудования. Обеспечения межоперационного контроля в процессе изготовления монолитных интегральных схем. Организация регламента технического обслуживания и ремонта технологического оборудования лаборатории

Критерии оценки:

Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба. Наличие патентов на полезную модель не менее 1.

Должностные обязанности:
Младший научный сотрудник:

Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых в ведущих отечественных и зарубежных научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Составлять отчеты (разделы отчета) по теме или ее разделу (этапу, заданию). Участвовать во внедрении результатов исследований и разработок. Следить за состоянием вверенного ему научного оборудования.

Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 15 173 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Конкурс

В соответствии с конкурсом на вакантную должность старшего научного сотрудника лаборатории № 104, размещенную на сайте «ученые-исследователи.рф»№ ID VAC 32610 от 20.03.2018 г.; вакантную должность старшего научного сотрудника лаборатории № 106 ID VAC 32849 от 22.03.2018 г.  и вакантную должность младшего научного сотрудника лаборатории № 106 (конкурс на сайте www.isvch.ru от 01.02.2018 г.) утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН:

— старший научный сотрудник лаборатории № 104 ««Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»  — Крапухина Дмитрия Владимировича; (Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

— старший научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» — Трофимова Александра Александровича.(Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

— младший научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро-   и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» — 1 вакансия – Клековкина Алексея Владимировича. (Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

Объявление о проведении конкурса ВАКАНСИЯ ID VAC 32849

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф
ВАКАНСИЯ ID VAC_32849

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 13 апреля 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 марта 2018 года; — окончание приема: 11 апреля 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук;

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами.

1 Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Старший научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований). Формирование предложений к портфелю научных (научно-технических) проектов и предложений по участию в конкурсах (тендерах, грантах) в соответствии со стратегическим планом развития научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС. Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Организация практического использования результатов научных (научно-технических, экспериментальных) проектов, в том числе публикация результатов, а также представление научных (научно-технических) результатов потенциальным потребителям.
Осуществление технологических операций шлифования и полирования свободным абразивом приборных пластин на многофункциональной установке РМ-5 (производство Logitech Ltd).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 21 949 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (http://new.isvch.ru/doc/)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru Телефон: 8-495-280-74-79

Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность: Инженер-исследователь
• Отрасль науки: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
• Тематика исследований: Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи: Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей. Ведение проектной документации. Проектировка печатных плат. Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— стаж не менее 1 года.

Условия:
• Заработная плата: 12 685 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор:Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 15.02.2017 г. по 15.04.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Никитина Елена Владимировна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Младший научный сотрудник

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 01 февраля 2017 г. по 31 марта 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.

Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников

01.02.2018 года в ИСВЧПЭ РАН с сотрудниками заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников.

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 — Галиева Галиба Бариевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 1/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность главного научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 2/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 3/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича.
(Протокол заседания от 23.01.2018 № 4/2018).

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность младшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе – Иванову Наталью Евгеньевну.
(протокол заседания от 23.01.2018 г. № 5/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 6/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 7/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 8/2018)

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Пушкарёва Сергея Сергеевича.
(протокол заседания от 29.01.2018 № 9/2018)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)