Набор в аспирантуру в 2014 году

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет набор в аспирантуру в 2014 году на очную форму обучения.
Количество бюджетных мест — 2.
Принимаются лица, имеющие диплом специалиста или магистра.
Список необходимых документов и перечень вступительных экзаменов находится на сайте в разделе АСПИРАНТУРА
Более подробно с условиями приема можно ознакомиться в разделе НОРМАТИВНЫЕ ДОКУМЕНТЫ, в документе «Правила приема в аспирантуру ИСВЧПЭ РАН»

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Главный научный сотрудник института; наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Старший научный сотрудник лаборатории исследований процессов формирования низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ — транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «Проектирование и технология электронных средств» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Электронное машиностроение» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия.

Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.

Срок подачи документов – с 6 июня по 6 августа 2014 г. включительно.

Телефон для справок: 8(495)280-74-79.

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика атомного ядра и частиц»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 12 июля 2013 г. по 12 сентября 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Старший сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС; специальность — «физика»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 28 июня 2013 г. по 28 августа 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность «физика конденсированного состояния вещества», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени -1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес:http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 31 мая 2013 г. по 31 июля 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru