Открытиe вакансии на должность Инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет об открытии вакансии на должность Инженера-исследователя в Лабораторию исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе» на участок плазмохимии .
Обязанности:
— Техническое обслуживание плазмохимической установки;
— отработка и ведения технологических процессов нанесения и травления диэлектрических пленок для полупроводников группы А3В5.
Требования к кандидату:
— Наличие образования по специальности «физика плазмы» или схожих профилей, либо опыт работы на аналогичном оборудование и с аналогичными процессами от 2-3 лет.
— Высокая работоспособность
— Аналитический склад ума
— Организованность

Набор в аспирантуру в 2014 году

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет набор в аспирантуру в 2014 году на очную форму обучения.
Количество бюджетных мест — 2.
Принимаются лица, имеющие диплом специалиста или магистра.
Список необходимых документов и перечень вступительных экзаменов находится на сайте в разделе АСПИРАНТУРА
Более подробно с условиями приема можно ознакомиться в разделе НОРМАТИВНЫЕ ДОКУМЕНТЫ, в документе «Правила приема в аспирантуру ИСВЧПЭ РАН»

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Главный научный сотрудник института; наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Старший научный сотрудник лаборатории исследований процессов формирования низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ — транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «Проектирование и технология электронных средств» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Электронное машиностроение» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – «Физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия.

Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.

С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.

Срок подачи документов – с 6 июня по 6 августа 2014 г. включительно.

Телефон для справок: 8(495)280-74-79.

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика атомного ядра и частиц»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 12 июля 2013 г. по 12 сентября 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Старший сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС; специальность — «физика»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 28 июня 2013 г. по 28 августа 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru