Решение конкурсной комиссии

Решением Конкурсной комиссии № 13 (Ученого совета) от 30 декабря 2015 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Крапухина Дмитрия Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Кагирину Ксению Алексеевну;
— инженер-исследователь лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе – Рубана Олега Альбертовича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Иванову Наталью Евгеньевну;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Клековкина Алексея Владимировича.

Конкурс на замещение должности инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 281а-ОД от 14 декабря 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79.

Конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей (приказ № 240в-ОД от 26 октября 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 3 вакансии;
Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 — 2 вакансии;
Лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — 2 вакансии;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Старший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко — размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «Физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени кандидата наук — 1 вакансия;
Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.ф. — м.н. Пономарева Д.С. по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5.
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов – два месяца со дня опубликования начиная с 24.07.2015 г.
Телефон для справок: 8-499-123-44-64
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru