Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность: Старший научный сотрудник
Отрасль науки: Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:Исследование электронного транспорта в гетероструктурах с квантовыми ямами InAlAs/InGaAs на основе подложек InP, моделирование зонного профиля гетероструктур (зона проводимости, валентная зона, огибающие волновых функций электронов и дырок в квантовой яме и т.д.), эффект Холла, спектроскопия фотолюминесценции.

Регион: Москва
Населенный пункт:117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии: Задачи: Расчет зонных структур гетероструктур с различной конструкцией квантовой ямы (одиночная и составная яма), определение концентрации и подвижности носителей в квантовой яме методом эффекта Холла при различной температуре измерения (77-300 К), эпитаксиальный рост гетероструктур

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— кандидат физико-математических наук: 1 шт
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в грантах: 1 шт.

Условия:
Заработная плата:
21105 — 21105 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:Срочный
на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 08.04.2016 г. по 29.04.2016 г.
Лицо для получения дополнительных справок: Побойкина Анна Джановна ,
uhfseras2010@yandex.ru
8(495)280-74-79

Конкурсная комиссия

Решением Конкурсной комиссии № 2 (Ученого совета) от 19 февраля 2016 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Карманова Сергея Юрьевича

Конкурс на замещение должности инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 37а-ОД от 24 февраля 2016 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79

Решение конкурсной комиссии

Решением Конкурсной комиссии № 13 (Ученого совета) от 30 декабря 2015 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Крапухина Дмитрия Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Кагирину Ксению Алексеевну;
— инженер-исследователь лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе – Рубана Олега Альбертовича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Иванову Наталью Евгеньевну;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Клековкина Алексея Владимировича.