ВАКАНСИЯ ID VAC_ 117236

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 117236

Конкурс на должность старшего научного сотрудника лаборатории № 105 (Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5); (0,25 ставки)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 ноября 2023 года; — окончание приема: 27 декабря 2023 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: isvch@isvch.ru

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 декабря 2023 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№9)

Трудовой договор:
Срочный — на период 5 лет

Вакансии

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_98201

Конкурс на должность старшего научного сотрудника лаборатории № 103 (Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и мощных СВЧ-транзисторов на их основе); (0,25 ставки)

ВАКАНСИЯ ID VAC_98203

Конкурс на должность ведущего научного сотрудника лаборатории № 102 (Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов); (0,25 ставки)

ВАКАНСИЯ ID VAC_98204

Конкурс на должность заведующего лабораторией № 104 (Лаборатория исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах); (0,5 ставки)

ВАКАНСИЯ ID VAC_98205

Конкурс на должность ведущего научного сотрудника лаборатории № 104 (Лаборатория исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах); (0,5 ставки)

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 05 октября 2022 года в 10:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№9)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 14 сентября 2022 года; — окончание приема: 04 октября 2022 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: isvch@isvch.ru

Трудовой договор:
Срочный — на период 5 лет

 

Вакансии

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_97919

Конкурс на должность ведущего научного сотрудника лаборатории № 106 (Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе); (0,5 ставки)

ВАКАНСИЯ ID VAC_97920

Конкурс на должность заведующего лабораторией № 106 (Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе); (0,5 ставки)

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 03 октября 2022 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№9)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 9 сентября 2022 года; — окончание приема: 30 сентября 2022 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: isvch@isvch.ru

Трудовой договор:
Срочный — на период 5 лет

 

Результаты конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 20.02.2021 г. VAC75466), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 15.03.2021 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе.
– Пономарев Дмитрий Сергеевич

Протокол (.pdf)

Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_75466

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 15 марта 2021 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 20 февраля 2021 года; — окончание приема: 12 марта 2021 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Тематика исследований:
1. Общее руководство научной и образовательной деятельностью в Институте.

2. Руководство проектами по профильному направлению исследований в Институте – источники и детекторы терагерцового излучения, новые двумерные материалы и низкоразмерные системы.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Курирование научной и образовательной деятельностями в Институте;
Курирование выполнения государственного задания Минобрнауки РФ на соответствие достижения целевых показателей (КБПР, число публикаций WoS и др.);
Руководство грантами РНФ, РФФИ, Президента и др.;
Руководство аспирантами;
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— диплом доцента по научной специальности: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1

Условия:

Заработная плата:
50200 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 20.02.2021 г. по 12.03.2021 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

otdelkadrov@isvch.ru