Результаты конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 20.02.2021 г. VAC75466), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 15.03.2021 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе.
– Пономарев Дмитрий Сергеевич

Протокол (.pdf)

Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_75466

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 15 марта 2021 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 20 февраля 2021 года; — окончание приема: 12 марта 2021 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Тематика исследований:
1. Общее руководство научной и образовательной деятельностью в Институте.

2. Руководство проектами по профильному направлению исследований в Институте – источники и детекторы терагерцового излучения, новые двумерные материалы и низкоразмерные системы.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Курирование научной и образовательной деятельностями в Институте;
Курирование выполнения государственного задания Минобрнауки РФ на соответствие достижения целевых показателей (КБПР, число публикаций WoS и др.);
Руководство грантами РНФ, РФФИ, Президента и др.;
Руководство аспирантами;
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— диплом доцента по научной специальности: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1

Условия:

Заработная плата:
50200 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 20.02.2021 г. по 12.03.2021 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

otdelkadrov@isvch.ru

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 23 ноября 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 9 октября 2020 года; — окончание приема: 20 ноября 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; (1 ставка)

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Физика конденсированного состояния
Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Проведение структурных исследований с помощью анализа карт обратного пространства полученных методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Исследование влияния структурных особенностей на электро-физические свойства A3B5наногетероструктур и HEMT на их основе.
Проведение технического обслуживания и ремонта оборудования лаборатории
Исследование структур и устройств с резистивной памятью
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата технических наук: 1 шт.

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 18

Условия:

Заработная плата:
22 893,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 09.10.2020 г. по 20.11.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

 

Результаты конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5»  (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 09.10.2020 г. VAC69773), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— старший научный сотрудник лаборатории  № 105 «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5».

– Рубан Олег Альбертович

Протокол (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность заведующего лабораторией (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 31.12.2019 г. VAC58630), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— заведующий лабораторией № 101 «Лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5».

– Климов Евгений Александрович

Протокол (.pdf)