ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов»

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и построение НЕМТ транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе с высокой воспроизводимостью в полосе частот до 100 ГГц и выше.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Применение методов машинного проектирования НЕМТ и монолитных интегральных схем

оценка результатов интеллектуальной деятельности (патентов, публикаций) в России и за рубежом в области построения НЕМТ и монолитных интегральных схем.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты):

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
Тематика исследований:
Моделирование тепловых процессов в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы. Моделирование устройств радио- и оптоэлектроники методом конечных элементов.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение моделирования распределения температуры в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы.
Исследование влияния топологии монолитных интегральных схем на распределение температуры методом конечных элементов.
Моделирование электрофизических процессов в оптоэлектронике методом конечных элементов.
Настройка и сопровождение вычислительного оборудования.
Моделирование мемристоров.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом об окончании аспирантуры: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:8

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51714

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51714

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:
Исследование структурных и электрофизических свойств наногетероструктур на основе A3B5 соединений и поиск корреляций с СВЧ характеристиками HEMT на их основе.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение структурных исследований с помощью анализа карт обратного пространства полученных методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Исследование влияния структурных особенностей на электро-физические свойства A3B5наногетероструктур и HEMT на их основе.
Проведение технического обслуживания и ремонта оборудования лаборатории

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:7

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 2

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51713

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51713

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания генераторов и детекторов ТГц излучения

(0.5 – 5 ТГц) на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs выращенных на подложках InP и GaAs.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Разработка и проектирование фотопроводящих источников ТГц излучения на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs.
Выявление особенностей генерации поверхностных плазмонных волн в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InAlAs/InGaAs.
Исследование влияния суб-волновой фокусировки оптического излучения диэлектрическими частицами на эффективность фотогенерации в наногетероструктурах.
Исследование динамики тепловых процессов в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе материалов A3B5, генераторах и детекторах ТГц диапазона частот.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2018 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и разработка прецизионных плазмохимических процессов травления и осаждения материалов с целью оптимизации технологических процессов для создания приборов СВЧ электроники. СВЧ ЭЦР процессы травления, СВЧ плазменные процессы формирования слоев 3С-SiC на кремнии, лазерные плазмохимические процессы, травление поликристаллического алмаза, сапфира и разработка соответствующих экспериментальных технологических установок.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Исследование и разработка СВЧ ЭЦР плазменных процессов травления материалов микроэлектроники и соответствующих экспериментальных установок.
Исследование и разработка лазерных плазмохимических процессов травления применительно к фрагментированию пластин на кристаллы поликристаллического алмаза и сапфира.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 3

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

Главный научный сотрудник, лаборатория № 103 (Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи)

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность: Главный научный сотрудник, лаборатория № 103

Отрасль науки: Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи

Тематика исследований: Разработка физических принципов увеличения чувствительности и возможности динамического управления полосой пропускания фотодетекторов терагерцевого излучения на основе кристаллитов черного фосфора (фосфорена) и графена, их гибридных гетероструктур, а также других низкоразмерных систем

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:

  • разработка физических моделей ТГц фотодетекторов на основе кристаллитов черного фосфора и графена, а также их гибридных структур;
  • разработка и изготовление образцов кристаллитов черного фосфора с различной толщиной на подложках Si/SiO2;
  • моделирование дизайна ТГц антенн для созданных кристаллитов черного фосфора, определение их оптимальных геометрических параметров, а также оценка распределения электрических полей;
  • разработка методик неразрушающего оптического контроля двумерных кристаллитов черного фосфора;
  • разработка и применение методов ТГц спектроскопии временного разрешения (в том числе метода оптической накачки-зондирования) для исследования параметров кристаллитов черного фосфора (подвижность, время жизни фотовозбужденных носителей заряда, ширина запрещенной зоны);
  • разработка технологических приемов и экспериментальных методик для создания ТГц фотодетекторов на основе исследуемых материалов.

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:

  • диплом о высшем образовании: 1 шт.
  •  диплом доктора наук: 1 шт.
  • наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 15
  • наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 45
  • наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
26 516 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:  Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да

Тип занятости: Полная занятость

Режим работы: неполный день

Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 21.06.2019 г. по 21.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность младшего научного сотрудника лаборатории № 104 (конкурс на сайте www.isvch.ru от 31.01.2019 г.) утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 08.04.2019 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН:

— младший научный сотрудник «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) » — 1 вакансия – Михалева Артема Олеговича

Конкурс

Провести заседание конкурсной комиссии по замещению вакантной должности младшего научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) 8 апреля 2019 г. в 11:00 в зале «Ученого совета».

Младший научный сотрудник

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Младший научный сотрудник «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) — 1 вакансия (оклад 15 173,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
––  наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования

Условия:
Заработная плата: 15 173 рубля/месяц
Социальный пакет: Да
Тип занятости: полная занятость
Режим работы: полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Срок подачи документов – с 31 января  2019 г. по 31 марта 2019 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Гончар Юлия Александровна.

Победители конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантные должности научного сотрудника лаборатории № 106, размещенных на сайте www.ученые-исследователи.рф вакансия ID VAC_40702 от 29.08.2018 г., вакансия ID VAC_40972 от 6.09.2018 г. и вакансия ID VAC_40982 от 6.09.2018 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантных должностей Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Павлова Владимира Юрьевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Томоша Константина Николаевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Слаповского Дмитрия Николаевича;

Протокол 18 (.pdf)
Протокол 19 (.pdf)
Протокол 20 (.pdf)