Старший научный сотрудник лаборатории «Исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»
к.т.н. (2016 г.) – за исследование монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц

Учеба и педагогический стаж:
2007 г. – закончил среднюю школу № 1961 г. Москвы
2007 – 2012 гг. – студент дневного отделения факультета Электроники Московского института радиотехники электроники и автоматики (технического университета) МГТУ МИРЭА, закончил по специальности Микросистемная техника
2012 — 2016 гг. – аспирант кафедры Наноэлектроники Московского технологического университета (МИРЭА)

Научно-производственная деятельность:
2010 – 2012гг. – лаборант ИСВЧПЭ РАН
2012 – 2017гг. – инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН
2017 — 2018гг. – младший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН
2018 — по н.в. — старший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН

Автор более 20 научных работ, 1 монографии и 1 свидетельства о регистрации топологии.

Обладатель 2-го места в конкурсе МГТУ МИРЭА «Лучшая научная работа студентов и молодых ученых 2012 года».