Ведущий научный сотрудник лаборатории «Исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» ИСВЧПЭ РАН – кандидат физико-математических наук

к.ф.-м.н. (2012) – за исследование электрофизических свойств и оптимизацию параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта – легированием.

Учеба и педагогический стаж
1997 г. – закончил Болшевскую среднюю школу Московской области.
1997-2003 гг. – студент дневного отделения факультета «Электроника» МИРЭА (ТУ), закончил по специальности микроэлектроника и полупроводниковые приборы.

Научно-производственная деятельность
2003 – 2009 гг. – инженер, м. н. с. ИСВЧПЭ РАН, г. Москва.
2010 – 2011 гг. – ведущий инженер НИЯУ МИФИ, г. Москва.
2011 – по настоящее время – м. н. с., с. н. с., в.н.с. ИСВЧПЭ РАН, г. Москва.

Автор более 35 научных работ и 4 патентов.
Соавтор 1 монографии «Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» М.: «Техносфера», 2010 г.