Ученый секретарь, Ведущий научный сотрудник
к.ф.-м.н., доцент
Email: khabibullin@isvch.ru
Тел.: (910) 463-793O
CV: CV_Khabibullin_2021.pdf
Google Scholar link
Scopus
ResearchGate
Биография
В 2009 г. году защитил диплом по специальности Физика конденсированного состояния вещества на факультете Экспериментальной и теоретической физики Московского инженерно-физического института (МИФИ). С 2009 – 2011 гг. был аспирантом под руководством И.С. Васильевского на кафедре Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ-наноэлектроники МИФИ и занимался молекулярно-лучевой эпитаксией (Riber Compact 21 T) и литографией (Heidelberg Instruments DWL 66 FS). В 2012 г. была присвоена ученая степень кандидата физико-математических наук за исследование электронных свойств квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с комбинированным и дельта-легированием. В период с 2012-2014 гг. занимался разработкой и изготовлением СВЧ приборов – HEMT на подложках InP, pHEMT и mHEMT на подложках GaAs. С 2014 по 2016 гг. участвовал в проекте Российского научного фонда под руководством чл.-корр. РАН В.И. Рыжий по разработке ТГц источников и детекторов. В 2016 г. по гранту РФФИ мол-нр работал в качестве приглашенного исследователя в группе Р.А. Ахмеджанова в Институте прикладной физики РАН (Нижний Новгород) по направлению терагерцовая спектроскопия с временным разрешением (time domain spectroscopy). В период 2016-2017 гг. научный руководитель работы по созданию импульсных твердотельных ТГц генераторов на основе термо-инжекционной неустойчивости в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs (идея принадлежит В.А. Гергелю). С 2015 г. по инициативе лауреата Нобелевской премии Ж.И. Алферова в кооперации с СПб Академическим университетом РАН и Институтом физики микроструктур РАН занимается разработкой квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот.
Присуждена медаль Российской академии наук с премией для молодых ученых России (2018 г.) за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот»
Научные интересы: полупроводниковые приборы, СВЧ электроника, ТГц источники и детекторы
Автор более 40 публикаций в рецензируемых журналах и 5 патентов РФ.
Открыта позиция в аспирантуре ИСВЧПЭ РАН.
Заинтересованные студенты могут обратиться на khabibullin(AT)isvch.ru для организации встречи с Рустамом Хабибуллиным