Председатель совета молодых ученых Матвеенко Ольга Сергеевна (Старший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН – кандидат технических наук)

«Постановление Президиума Федерального государственного бюджетного учреждения «Российская Академия Наук» от 26 апреля 2019 г. № 78.
Присудить медали Российской академии наук с премиями в размере 50000 рублей каждая для молодых ученых России по итогам конкурса 2018 года в области информатики, вычислительной техники и автоматизации — кандидату физико-математических наук Хабибуллину Рустаму Анваровичу, кандидату физико-математических наук Пономареву Дмитрию Сергеевичу (Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук), Резнику Родиону Романовичу (Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук») за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот»

«Гранты Президента РФ для молодых ученых:

  1. Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  2. Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  3. Упругие напряжения в фотопроводящих структурах на основе InGaAs с нановставками InAs для создания высокоэффективных источников терагерцового излучения (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения: 2018-2019 гг.)

Стипендия Президента РФ для молодых ученых

№ СП-686.2016.3, назначена приказом Минобрнауки РФ от 05.04.2016 г. № 375
Исследование дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs при низкотемпературном эпитаксиальном росте (С.С. Пушкарёв, сроки выполнения 2016–2017 гг.)

Приказ 375 (стр.23) (.pdf)

Гранты РФФИ для молодых ученых:

  1. 1.12-07-31100 мол_а Исследование механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах с составными квантовыми ямами InyGa1-yAs (y=0,2-0,7) с несколькими гетеровставками InAs и GaAs (руководитель Е.А. Климов, сроки выполнения 2012-2013 гг.)
  2. 14-07-31108 мол_а Исследование электронного транспорта в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с композитным спейсерным слоем, содержащим наноразмерные барьеры AlAs (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2014-2015 гг.)
  3. 16-32-00552 мол_а Исследование электрофизических и кристаллографических свойств гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов (руководитель Н.А. Юзеева, сроки выполнения 2016 г.)
  4. 16-29-03033 офи_м Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот (руководитель В.И. Рыжий, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  5. 17-32-80009 мол_эв_а Терагерцовый фотомиксер на основе InGaAs/InAlAs гетероструктур с искусственно созданными локальными деформациями для уменьшения времени жизни фотовозбужденных носителей (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  6. 18-32-00157 мол_а Исследование влияния дефектов различного типа на рекомбинацию фотовозбуждённых носителей заряда в гетероструктурах с метаморфным буфером InAlAs (руководитель С.С. Пушкарев, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
  7. 18-32-20207 мол_а_вед Полупроводниковые наноструктуры со встроенными продольными электрическими полями для генерации терагерцевого излучения под действием фемтосекундной лазерной накачки (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)


29.05.15
Футбольная команда молодых ученых ИСВЧПЭ РАН приняла участие в III кубке РАН по мини-футболу.

20.05.12
В соответствии с Постановлением Президиума Российской академии наук от 15 мая 2012 г. № 111 «Об утверждении Положения о порядке предоставления служебных жилых помещений специализированного жилищного фонда, закрепленных за Российской академией наук и подведомственными ей организациями» в строящемся доме в городе Одинцово выделено служебное жилье (квартиры) для 11 молодых ученых «Отделения нанотехнологий и информационных технологи» РАН, в том числе выделена квартира для молодого ученого ИСВЧПЭ РАН, инженера-исследователя Ткачёвой А.А

01.09.11
Выделение дополнительного финансирования молодым ученым 2011 год
Приложение от 26.11.11, Приложение от 10.08.11

18.03.11
Объявлен конкурс на замещение вакантной должности:
Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» -1 вакансия;
Cтаршего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС; специальность — «системы автоматизации проектирования (по отраслям)» -1 вакансия.