2013

Полупроводниковая наногетероструктура In0.52Al0.48AsInXGa1-XAs с составной активной областью In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/ InAs/In0.53Ga0.47As с двумя вставками InAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 113071 от 08.07.2013 г. / Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А. Приложение к патенту.