Инновация ученых Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) вошла в ТОП-100 Роспатента по итогам 2018 года. Выдающимся признано создание детектора терагерцевого излучения на нанонитях олова на подложке арсенида галлия. В номинации «100 лучших изобретений России-2018» награжден дипломом патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Авторы: Бугаев Александр Сергеевич, Ячменев Александр Эдуардович, Пономарев Дмитрий Сергеевич, Хабибуллин Рустам Анварович, Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Мальцев Петр Павлович за разработку «Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова» (патент Российской Федерации № 2650576)

Диплом (.pdf)
Роспатент (93 позиция)
Патент (.pdf)

2019

«Способ сухого травления нитридных слоев» // Свидетельство о государственной регистрации № 2694164 от 09.07.2019 г. / Павлов А.Ю., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Томош К.Н.
Патент

2018

«Способ изготовления воздушных мостов» // Свидетельство о государственной регистрации № 2671287 от 30.10.2018 г. / Хабибуллин Р.А., Щаврук Н.В., Пономарев Д.С., Галиев Р.Р.
Патент

«Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» // Свидетельство о государственной регистрации № 2671286 от 30.10.2018 г. / Галиев Г.Б., Василевский И.С., Виниченко А.Н., Климов Е.А., Клочков А.Н., Мальцев П.П., Пушкарев С.
Патент

«Способ изготовления омических контактов» // Свидетельство о государственной регистрации № 2669339 от 10.10.2018 г. / Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н.
Патент

«Материал для эффективной генерации терагерцового излучения» // Свидетельство о государственной регистрации № 2650575 от 16.04.2018 г. / Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Ячменев А.Э., Мальцев П.П.
Патент

«Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова» // Свидетельство о государственной регистрации № 2650576 от 16.04.2018 г. / Бугаев А.С., Ячменев А.Э., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Гамкрелидзе С.А., Мальцев П.П.
Патент

2017

«Материал для фотопроводящих антенн» // Свидетельство о государственной регистрации № 2610222 от 08.02.2017 г. / Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Мальцев П.П., Пушкарев С.С., Буряков А.М., Мишина Е.Д., Хусяинов Д.И.
Патент

«Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам AlGaN/GaN» // Свидетельство о государственной регистрации № 2610346 от 09.02.2017 г. / Федоров Ю.В. Павлов А.Ю., Павлов В.Ю.
Патент

«Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al» // Свидетельство о государственной регистрации № 2619444 от 15.05.2017 г. / Федоров Ю.В., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н.
Патент

«Способ определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624604 от 04.07.2017 г. / Алёшин А.Н., Рубан О.А., Юзеева Н.А.
Патент

«Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624612 от 04.07.2017 г. / Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С.
Патент

«Способ изготовления Т-образного затвора» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624600 от 04.07.2017 г. / Федоров Ю.В., Галиев Р.Р., Павлов А.Ю.
Патент

2016

«Способ определения параметров решетки в выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава» // Свидетельство о государственной регистрации № 2581744 от 28.03.2016 г. / Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.
Патент

«Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2582440 от 01.04.2016 г. / Галиев Г.Б., Хабибуллин Р.А., Пушкарев С.С., Пономарев Д.С., Климов Е.А., Клочков А.Н.
Патент

2015

«Устройство СВЧ плазменной обработки материалов» // Свидетельство о государственной регистрации № 2555743 от 09.06.2015 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Побойкина Н.В.
Патент

2014

«Наноразмерная структура с квазиодномерными проводящими нитями олова в решетке GaAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2520538 от 25.04.2014 г. / Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Ячменев А.Э., Клочков А.Н.
Патент

«Способ прецизионной лазерно-плазмохимической резки пластин» // Свидетельство о государственной регистрации № 2537101 от 30.10.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Павлов В.Ю.
Патент

«Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiС)» // Свидетельство о государственной регистрации № 2538358 от 19.11.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Федоров Ю.В.
Патент

«Устройство СВЧ плазменной обработки» // Свидетельство о государственной регистрации № 2539872 от 09.12.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Федоров Ю.В., Реппа А.А.
Патент

«Устройство СВЧ плазменной обработки пластин» // Свидетельство о государственной регистрации № 2539863 от 09.12.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Приходько П.С., Редькин С.В., Побойкина Н.В., Тарасов Н.С., Томош К.Н.
Патент

2013

«Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура InAlAs/InGaAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2474923 от 10.02.2013 г. / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Рубан О.А.
Патент

«Полупроводниковая наногетероструктура InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером» // Свидетельство о государственной регистрации № 2474924 от 10.02.2013 г. / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Рубан О.А.
Патент