Правообладатель ИСВЧПЭ РАН

Патенты на полезную модель

Патенты на изобретение

НОУ-ХАУ
  • Базовый технологический маршрут электронно-лучевой литографии грибообразных затворов транзисторов МИС с топологическими размерами 0,1 мкм и менее (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 21.10.2011 № 332а-К)
  • Базовый технологический маршрут молекулярно-лучевой эпитаксии PHEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 21.10.2011 № 332а-К)
  • Базовый технологический маршрут молекулярно-лучевой эпитаксии метаморфной HEMT наногетероструктуры InAlAs/InGaAs/GaAs с напряженными сверхрешётками InAlAs/InGaAs в метаморфном буфере (Приказ от 27.07.2012 № 214-ОД)
  • Базовый технологический маршрут молекуларно-лучевой эпитаксии метаморфной HEMT наногетероструктуры InAlAs/InGaAs/GaAs с инверсными ступенями в метаморфном буфере (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 27.07.2012 №215-ОД).
  • Маршрут проектирования интегрированных антенных элементов на один кристалл с усилителем (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)
  • Базовая технология селективного подзатворного травления системы n-GaAs/AlGaAs (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)
  • Методика экспресс-анализа коэффициентов шума и усиления кристаллов МИС и транзисторов зондовым способом на рабочих пластинах (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)
  • Улучшенный технологический mаршрут электронно-лучевой литографии грибообразных затворов транзисторов мис с топологическими размерами 0,1 мкм и менее (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)
  • Базовый технологический маршрут молекулярно лучевой эпитаксии hemt наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках InP (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 15.05.2013 № 94-ОД)
Свидетельства о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы
Авторы сотрудники ИСВЧПЭ РАН

Патенты на полезную модель

Авторские свидетельства