Правообладатель РИД ИСВЧПЭ РАН

Патенты на полезную модель

2013

Полупроводниковая наногетероструктура In0.52Al0.48AsInXGa1-XAs с составной активной областью In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/ InAs/In0.53Ga0.47As с двумя вставками InAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 113071 от 08.07.2013 г. / Пономарев Д.С., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Хабибуллин Р.А. Приложение к патенту.

Патенты на изобретение

2018
«Способ изготовления омических контактов» // Свидетельство о государственной регистрации № 2669339 от 10.10.2018 г. / Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н.
Патент

«Материал для эффективной генерации терагерцового излучения» // Свидетельство о государственной регистрации № 2650575 от 16.04.2018 г. / Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Ячменев А.Э., Мальцев П.П.
Патент

«Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова» // Свидетельство о государственной регистрации № 2650576 от 16.04.2018 г. / Бугаев А.С., Ячменев А.Э., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Гамкрелидзе С.А., Мальцев П.П.
Патент

2017

«Материал для фотопроводящих антенн» // Свидетельство о государственной регистрации № 2610222 от 08.02.2017 г. / Галиев Г.Б., Климов Е.А., Клочков А.Н., Мальцев П.П., Пушкарев С.С., Буряков А.М., Мишина Е.Д., Хусяинов Д.И.
Патент

«Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам AlGaN/GaN» // Свидетельство о государственной регистрации № 2610346 от 09.02.2017 г. / Федоров Ю.В. Павлов А.Ю., Павлов В.Ю.
Патент

«Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al» // Свидетельство о государственной регистрации № 2619444 от 15.05.2017 г. / Федоров Ю.В., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю., Слаповский Д.Н.
Патент

«Способ определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624604 от 04.07.2017 г. / Алёшин А.Н., Рубан О.А., Юзеева Н.А.
Патент

«Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624612 от 04.07.2017 г. / Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мальцев П.П., Пушкарев С.С.
Патент

«Способ изготовления Т-образного затвора» // Свидетельство о государственной регистрации № 2624600 от 04.07.2017 г. / Федоров Ю.В., Галиев Р.Р., Павлов А.Ю.
Патент

2016

«Способ определения параметров решетки в выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава» // Свидетельство о государственной регистрации № 2581744 от 28.03.2016 г. / Клочков А.Н., Галиев Г.Б., Пушкарев С.С., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.
Патент

«Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2582440 от 01.04.2016 г. / Галиев Г.Б., Хабибуллин Р.А., Пушкарев С.С., Пономарев Д.С., Климов Е.А., Клочков А.Н.
Патент

2015

«Устройство СВЧ плазменной обработки материалов» // Свидетельство о государственной регистрации № 2555743 от 09.06.2015 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Побойкина Н.В.
Патент

2014

«Наноразмерная структура с квазиодномерными проводящими нитями олова в решетке GaAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2520538 от 25.04.2014 г. / Сеничкин А.П., Бугаев А.С., Ячменев А.Э., Клочков А.Н.
Патент

«Способ прецизионной лазерно-плазмохимической резки пластин» // Свидетельство о государственной регистрации № 2537101 от 30.10.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Павлов В.Ю.
Патент

«Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiС)» // Свидетельство о государственной регистрации № 2538358 от 19.11.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Федоров Ю.В.
Патент

«Устройство СВЧ плазменной обработки» // Свидетельство о государственной регистрации № 2539872 от 09.12.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Редькин С.В., Федоров Ю.В., Реппа А.А.
Патент

«Устройство СВЧ плазменной обработки пластин» // Свидетельство о государственной регистрации № 2539863 от 09.12.2014 г. / Аристов В.В., Мальцев П.П., Приходько П.С., Редькин С.В., Побойкина Н.В., Тарасов Н.С., Томош К.Н.
Патент

2013

«Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура InAlAs/InGaAs» // Свидетельство о государственной регистрации № 2474923 от 10.02.2013 г. / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Рубан О.А.
Патент

«Полупроводниковая наногетероструктура InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером» // Свидетельство о государственной регистрации № 2474924 от 10.02.2013 г. / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Рубан О.А.
Патент

 

Свидетельства о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы

2017

«Усилитель мощности для диапазона частот 42-46 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2017630015 от 16.01.2017 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Приемо-передающий модуль для диапазона частот 23-25 ГГц в составе: ГУН с буферным усилителем, балансный смеситель, МШУ» // Свидетельство о государственной регистрации № 2017630076 от 04.04.2017 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Приемо-передающий модуль для диапазона частот 23-25 ГГц в составе: малошумящий усилитель, балансный смеситель, умножитель частоты» // Свидетельство о государственной регистрации № 2017630091 от 30.05.2017 г. / Федоров Ю.В.
Свидетельство

2016

«Интегральный СВЧ переключатель 1×2 для диапазона 4-18 ГГц в копланарном исполнении» // Свидетельство о государственной регистрации № 2016630003 от 11.01.2016 г. / Федоров Ю.В., Майтама М.В.
Свидетельство

«Интегрированный приемо-передающий модуль для диапазона частот 57-64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2016630080 от 12.07.2016 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Крапухин Д.В., Путинцев Б.Г.
Свидетельство

«Интегральный малошумящий усилитель для диапазона частот 8-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2016630103 от 19.08.2016 г. / Федоров Ю.В., Майтама М.В.
Свидетельство

«Интегральный усилитель мощности для диапазона частот 8-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2016630104 от 19.08.2016 г. / Федоров Ю.В., Майтама М.В.
Свидетельство

2015

«Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем мощности для диапазона 57-64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2015630131 от 02.12.2015 г. / П.П. Мальцев, Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Зуев А.В.
Свидетельство

«Однокаскадный малошумящий усилитель W-диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2015630132 от 02.12.2015 г. / Ю.В. Федоров, Д.Л. Гнатюк
Свидетельство

2014

«Смеситель на балунах Маршанда для диапазона 60 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2014630051 от 19.02.2014 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С.
Свидетельство

«Монолитный усилитель с выходной мощностью 5 Вт диапазона частот 0,8 – 2,0 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2014630052 от 19.02.2014 г. / Федоров Ю.В., Зуев А.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Двухкаскадный малошумящий усилитель W-диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2014630155 от 19.12.2014 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л, Зуев А.В., Галиев Р.Р.
Свидетельство

2013

«Двухкаскадный усилитель мощности W-диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2013630036 от 19.02.2013 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Кузнецова Т.И., Майтама М.В., Галиев Р.Р.
Свидетельство

«Трехкаскадный усилитель мощности W-диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2013630035 от 19.02.2013 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Кузнецова Т.И., Майтама М.В., Галиев Р.Р.
Свидетельство

«Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 57-64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2013630159 от 06.11.2013 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Зуев А.В.
Свидетельство

«Преобразователь сигнала для диапазона 57-64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2013630171 от 05.12.2013 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Зуев А.В.
Свидетельство

2012

«Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630001 от 10.01.2012 г. / Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630008 от 10.01.2012 г. / Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Генератор Кu-диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630022 от 6.02.2012 г. / Лопарев А.В., Зуев А.В.
Свидетельство

«Резистивный смеситель с субгармонической накачкой КВЧ диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630021 от 6.02.2012 г. / Белкин М.Е., Белкин Л.М., Зуев А.В.
Свидетельство

«Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем мощности для диапазона 5 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630102 от 3.08.2012 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П.
Свидетельство

«Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем мощности для диапазона 10-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630103 от 3.08.2012 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П.
Свидетельство

«Емкостной микроэлектромеханический шунтирующий переключатель для диапазона 10-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630153 от 30.10.2012 г. / Мальцев П.П., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Майтама М.В.
Свидетельство

«Метаморфный малошумящий усилитель диапазона частот 57 – 64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630154 от 30.10.2012 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Метаморфный усилитель мощности диапазона частот 57 – 64 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630155 от 30.10.2012 г. / Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Трехэлектродный СВЧ конденсатор переменной емкости для диапазона частот 10-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2012630161 от 14.11.2012 г. / Мальцев П.П., Мельников А.А., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Майтама М.В.
Свидетельство

2011

«Широкополосный малошумящий усилитель» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630032 от 04.02.2011 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Монолитный интегральный трехкаскадный малошумящий усилитель КВЧ диапазона» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630034 от 11.02.2011 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Монолитный интегральный ультраширокополосный усилитель мощности диапазона 0,01 – 4 ГГц на гетероструктурах AlGaN/GaN» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630033 от 11.02.2011 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Монолитный интегральный широкополосный усилитель мощности Ka-диапазона на гетероструктурах AlGaN/GaN» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630053 от 18.04.2011 г. / Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

«Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630058 от 05.05.2011 г. / Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л
Свидетельство

«Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10-12 ГГц» // Свидетельство о государственной регистрации № 2011630059 от 05.05.2011 г. / Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л.
Свидетельство

 

НОУ-ХАУ

2013

Базовый технологический маршрут молекулярно лучевой эпитаксии hemt наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs на подложках InP (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 15.05.2013 № 94-ОД)

2012

Базовый технологический маршрут молекулярно-лучевой эпитаксии метаморфной HEMT наногетероструктуры InAlAs/InGaAs/GaAs с напряженными сверхрешётками InAlAs/InGaAs в метаморфном буфере (Приказ от 27.07.2012 № 214-ОД)

Базовый технологический маршрут молекуларно-лучевой эпитаксии метаморфной HEMT наногетероструктуры InAlAs/InGaAs/GaAs с инверсными ступенями в метаморфном буфере (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 27.07.2012 №215-ОД).

Маршрут проектирования интегрированных антенных элементов на один кристалл с усилителем (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)

Базовая технология селективного подзатворного травления системы n-GaAs/AlGaAs (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)

Методика экспресс-анализа коэффициентов шума и усиления кристаллов МИС и транзисторов зондовым способом на рабочих пластинах (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)

Улучшенный технологический mаршрут электронно-лучевой литографии грибообразных затворов транзисторов мис с топологическими размерами 0,1 мкм и менее (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 03.10.2012 № 280-ОД)

2011

Базовый технологический маршрут электронно-лучевой литографии грибообразных затворов транзисторов МИС с топологическими размерами 0,1 мкм и менее (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 21.10.2011 № 332а-К)

Базовый технологический маршрут молекулярно-лучевой эпитаксии PHEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs (Приказ ИСВЧПЭ РАН от 21.10.2011 № 332а-К)

 

Правообладатели —  сотрудники ИСВЧПЭ РАН (до 2010 года)

Патенты на полезную модель

Авторские свидетельства