Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Федоров Ю. В., Мальцев MHEMT с предельной частотой усиления по мощности fmax = 0,63 ТГц на основе наногетероструктуры In0,42Al0,58As/In0,42Ga0,58As/In0,42Al0,58As/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. Вып. 1. С. 73. Скачать

Мальцев П.П., Гнатюк Д.Л., Фёдоров Ю.В., Зуев А.В., Галиев Р.Р., Побойкина Н.В. Исследование малосигнальных и шумовых характеристик метаморфных транзисторов для монолитных интегральных схем в крайневысокочастотном диапазоне // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 6. С. 29-31. Скачать

Галиев Г.Б., Климов Е.А., Лаврухин Д.В. Ячменев А.Э., Галиев Р.Р., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Федоров Ю.В., Бугаев А.С. Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 6. С. 28-29. Скачать

Бугаев А. С., Глинский И. А., Пушкарев С. С., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С. Разработка материалов и фотопроводящих антенн на их основе для генерации и детектирования импульсного и непрерывного терагерцового (ТГц) излучения // Нано- и микросистемная техника. 2017. № 5. С. 294-302. Скачать

Галиев Г. Б., Буряков А. М., Билык В. Р., Хусяинов Д. И., Мишина Е. Д., Климов Е. А., Клочков А. Н., Пушкарев С. С., Васильевский И. С., Грехов М. М., Трунькин И. Н., Васильев А. Л. Терагерцовое излучениe эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника. 2017. № 9. С. 515-526. Скачать

Galiev, R.R., Yachmenev, A.E., Bugaev, A.S., Ponomarev, D.S., Maltsev, P.P. Promising materials for an electronic component base used to create terahertz frequency range (0.5–5.0 THz) generators and detectors // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2017. 80(4). pp. 476-478. Скачать

Galiev, G.B., Grekhov, M.M., Kitaeva, G.K., Maltsev, P.P., Pushkarev, S.S. Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates // Semiconductors. 2017. 51(3). pp. 310-317. Скачать

Galiev, G.B., Pushkarev, S.S., Buriakov, A.M., Vasil’evskii, I.S., Maltsev, P.P. Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates // Semiconductors. 2017. 51(4). pp. 503-508. Скачать

Galiev, G.B., Klimova, E.A., Pushkarev, S.S., Vasiliev, A.L., Maltsev, P.P. Low-Temperature epitaxial growth of InGaAs films on InP(100) and InP(411)A substrates // Crystallography Reports. 2017. 62(4). pp. 589-596. Скачать

Galiev, G.B., Trunkin, I.N., Klimov, E.A., Pushkarev, S.S., Maltsev, P.P. Epitaxial low-temperature growth of In0.5Ga0.5As films on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates using a metamorphic buffer // Crystallography Reports. 2017. 62(6). pp. 947-954. Скачать