На установках молекулярно-лучевой эпитаксии Riber-32Pи ЦНА-24 выращивались гетероструктуры разных типов. Об электрофизических, структурных и транспортных характеристик полученных нами эпитаксиальных структур можно ознакомиться в следующих работах:

  • Galiev G.B., Mokerov V.G., Lyapin E.R., Saraikin V.V., Khabarov Yu.V. A Study of the Electrical and Optical Properties of Si Delta-Doped GaAs Layers Grown by MBE on a (111)A GaAs Surface Misoriented toward the [211] direction. // Semiconductors, V.35, N4. p.p.409-414, (2001).
  • Galiev G.B., Kaminskii V., Milovzorov D., Velikovskii L., Mokerov V.G. Molecular beam epitaxy growth of a planar p-n- junction on a (111)A GaAs substrate using the amphoteric property of silicon dopant. // Semicond.. Science Technology, v.17, p.p.120-123, (2002).
  • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil’evskii I.S. Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures. // Physica E, 17, 172-173 (2003).
  • Ponomarenko L.A., de Lang D.T.N., de Visser A., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kunzel H., Pruisken A.M.M. The effect of carrier density gradients on magnetotransport data measured in Hall geometry. // Sol. State. Commun. V.130, 705-710 (2004)
  • Г.Б. Галиев, Васильевский И.С., Климов Е.А., Черечукин А.А., Мокеров В.Г. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в Р-НЕМТ- структурах. // Физика и техника полупроводников, т. 40, вып. 12, 2006, с. 1479-1483
  • AvakyantsL.P., BokovP.Yu., Chervyakov A.V.,GalievG.B., Klimov E.A.,Vasil’evskii I.S.,Kulbachinskii V.A.InterbandopticaltransitionsintheGaAsmodulation-dopedquantumwells: photoreflectanceexperimentandselfconsistentcalculations. // Semicond. Sci. & Technol. V.21, p. 462-466 (2006)
  • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах. // Журнал экспериментальной и теоретической физики, т. Vol. 132, No. 1, 2007pp.197-199
  • Kulbachinskii V.A., Vasil’evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., Galiev G.B., A. de Visser, Shirokov S.S., Mokerov V.G. Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier. // Semicond. Sci. Technol. vol. 22, (2007), p. 222–228
  • Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Tarucha S., Oiwa A. Low
    temperature electron magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density. // Journal of Physics: Conference Series, vol. 123 p (2008)
  • И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных РНЕМТ гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs. // Физика и Техника Полупроводников, том 42, вып. 9, стр. 1102-1109, 2008
  • K. Požela, J. Požela, V. Jucienė, I.S. Vasil’evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, A. Sužiedėlis, N. Žurauskienė, V. Stankevič, S. Keršulis, Č. Paškevič1. «Electron Transport in Modulation-Doped InAlAs/InGaAs/InAlAs» heterostructures in high electric fields. // Acta Physica Polonica A, vol.119, №2, pp.170-172 (2011)
  • И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, Кванин А.Л., Пушкин М.А. Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами. // Физика и Техника Полупроводников, том 45, вып.9, стр.1203-1208, 2011
  • G. B. Galiev, I. S. Vasil’evskii, R. M. Imamov, E. A. Klimov,S. S. Pushkarev, I. A. Subbotin. Structural and Electrical Properties of Metamorphic Nanoheterostructures with a High InAs Content (37–100%) Grown on GaAs and InP Substrates. // Crystallography Reports, 2011, Vol. 56, No. 5, pp. 875–879.