«Сертификат соответствия на разработку, производство и реализацию продукции»
«Лицензия на осуществление работ, связанных с использованием сведений, составляющих государственную тайну»
В состав технологической платформы «СВЧ-технологии» вошла ТП -104, разработанная ИСВЧПЭ РАН и представленная в октябре 2010 г.«Мобильные и беспроводные коммуникации в миллиметровом диапазоне длин (60-90 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц)»,организатор Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН. Формат паспорта проекта создания технологической платформы
На установках молекулярно-лучевой эпитаксии Riber-32Pи ЦНА-24 выращивались гетероструктуры разных типов. Об электрофизических, структурных и транспортных характеристик полученных нами эпитаксиальных структур можно ознакомиться в следующих работах:
- Galiev G.B., Mokerov V.G., Lyapin E.R., Saraikin V.V., Khabarov Yu.V. A Study of the Electrical and Optical Properties of Si Delta-Doped GaAs Layers Grown by MBE on a (111)A GaAs Surface Misoriented toward the [211] direction. // Semiconductors, V.35, N4. p.p.409-414, (2001).
- Galiev G.B., Kaminskii V., Milovzorov D., Velikovskii L., Mokerov V.G. Molecular beam epitaxy growth of a planar p-n- junction on a (111)A GaAs substrate using the amphoteric property of silicon dopant. // Semicond.. Science Technology, v.17, p.p.120-123, (2002).
- Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil’evskii I.S. Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures. // Physica E, 17, 172-173 (2003).
- Ponomarenko L.A., de Lang D.T.N., de Visser A., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kunzel H., Pruisken A.M.M. The effect of carrier density gradients on magnetotransport data measured in Hall geometry. // Sol. State. Commun. V.130, 705-710 (2004)
- Г.Б. Галиев, Васильевский И.С., Климов Е.А., Черечукин А.А., Мокеров В.Г. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в Р-НЕМТ- структурах. // Физика и техника полупроводников, т. 40, вып. 12, 2006, с. 1479-1483
- AvakyantsL.P., BokovP.Yu., Chervyakov A.V.,GalievG.B., Klimov E.A.,Vasil’evskii I.S.,Kulbachinskii V.A.InterbandopticaltransitionsintheGaAsmodulation-dopedquantumwells: photoreflectanceexperimentandselfconsistentcalculations. // Semicond. Sci. & Technol. V.21, p. 462-466 (2006)
- Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах. // Журнал экспериментальной и теоретической физики, т. Vol. 132, No. 1, 2007pp.197-199
- Kulbachinskii V.A., Vasil’evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., Galiev G.B., A. de Visser, Shirokov S.S., Mokerov V.G. Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier. // Semicond. Sci. Technol. vol. 22, (2007), p. 222–228
- Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Tarucha S., Oiwa A. Low
temperature electron magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density. // Journal of Physics: Conference Series, vol. 123 p (2008) - И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных РНЕМТ гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs. // Физика и Техника Полупроводников, том 42, вып. 9, стр. 1102-1109, 2008
- K. Požela, J. Požela, V. Jucienė, I.S. Vasil’evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, A. Sužiedėlis, N. Žurauskienė, V. Stankevič, S. Keršulis, Č. Paškevič1. «Electron Transport in Modulation-Doped InAlAs/InGaAs/InAlAs» heterostructures in high electric fields. // Acta Physica Polonica A, vol.119, №2, pp.170-172 (2011)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, Кванин А.Л., Пушкин М.А. Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами. // Физика и Техника Полупроводников, том 45, вып.9, стр.1203-1208, 2011
- G. B. Galiev, I. S. Vasil’evskii, R. M. Imamov, E. A. Klimov,S. S. Pushkarev, I. A. Subbotin. Structural and Electrical Properties of Metamorphic Nanoheterostructures with a High InAs Content (37–100%) Grown on GaAs and InP Substrates. // Crystallography Reports, 2011, Vol. 56, No. 5, pp. 875–879.
Справочный лист комплекта монолитных интегральных схем на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц
- «Ждать 5G осталось 2 года» (Т. Сайзер, Первая миля 3/2016)
- «Импортозамещение должно касаться хребта российской телекоммуникационной системы» (И.А. Лукин, Первая миля 3/2016)
- Разработка GaAs и SiGe СВЧ монолитных интегральных схем, библиотек элементов и модулей САПР в томском университете систем управления и радиоэлектроники (Бабак Л.И., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И. и др.)
- Особенности проектирования гетеродина с петлей ФАПЧ KU-диапазона (Баронов А.А., Шадский В.А)
- Расширение динамического диапазона малошумящего усилителя Х-диапазона (Кондукторов А.А., Кирпиченков А.И.)
- Анализ устойчивости ПС СВЧ диапазона к воздействию внешних факторов (Кагирина К.А., Федоров Ю.В.,. Лаврухин Д.В., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Рубан О.А)
- «Перспективы замены арсенидных МИС на нитридные» (Ю.В. Федоров, С.В. Михайлович, «Нано- и микросистемная техника», №5, 2016)
- «Фазовые шумы в СВЧ генераторах. Методы решения проблемы» (А. С. Ченакин)
- Томский «Микран» открыл завод им. В.Я. Гюнтера», Л. Павлова
- «МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах» Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев Наноиндустрия №3, 2015 (РЕКЛАМА)
- «Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10…12 ГГц н подложках арсенида галлия» П.П. Мальцев, М.В. Майтама, А.Ю. Павлов, Н.В. Щаврук
- «Влияние параметров наногетероструктур и технологии изготовления на шумовые свойства AlGaN/GaN HEMT» Ю.В, Фёдоров, С.В. Михайлович
- «Монолитная интегральная схема усилителя со встроенной антенной для пятимиллиметрового диапазона длин волн», П.П. Мальцев, О.С. Матвеенко, Ю.В. Фёдоров, Д.Л. Гнатюк, Д.В. Крапухин, А.В. Зуев, С.Л. Бунегина
- «Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн», А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Ю.В. Фёдоров, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Г.Б. Галиев
- «Домасштабировались? экономика уменьшения топологий» (М. Макушин)
- «Технологии сотовой связи 5G. Что от них ждать?»
- «Перспективы миллиметрового диапазона для 5G в России»
- «Наноиндустрия 2014»(статья, реклама) (П.Мальцев , д.т.н., Ю.Федоров, Р.Галиев, С.Михайлович, Д.Гнатюк к.т.н)
- «Современное состояние и перспективы развития нитридных СВЧ-приборов миллиметрового диапазона за рубежом и в России» (Мальцев П.П., Федоров Ю.В.)
- «Перспективы создания приборов на основе гетероструктур (IN,AL,GA)N для радиоэлектронных комплексов миллиметрового диапазона волн» (Мальцев П.П.)
- «Модернизация производства для создания малошумящих и мощных усилителей диапазона 30 — 38 ГГц и 56 — 64Ггц» (Мальцев П.П.)
- «Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов частот на арсениде галлия» (Мальцев П.П., г. Новосибирск, 2012 г.)
- «Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.»
- «Разработана базовая технология изготовления грибообразного затвора полевого транзистора с длиной 37 нм»
- «Созданы принципиально новые метаморфные наногетероструктуры на основе InAlAs/InGaAs/GaAs »
- «Созданы усилители мощности КВЧ диапазона частот на новом типе нитридных структур AlGaN/AIN/GaN»
- «Изготовлен первый в России комплект копланарных mHEMT усилителей mm-диапазона волн на основе отечественной GaAs гетероструктурной 0,13 мкм mHEMT техгнологии ИСВЧПЭ РАН»
- «Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»
- «Изготовлены первые в России монолитные малошумящие усилители (МШУ) X-диапазона с параметрами мирового уровня на основе отечественной 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии ИСВЧПЭ РАН»
- «Сравнение СВЧ параметров МИС МШУ на различных гетероструктурах»
- «Нанонити из атомов олова, встроенные в кристалл GaAs»
«Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона»
«Новые протоколы беспроводной передачи данных – IEEE 802.11ac и 802.11ad»
Wi-Fi всем хорош — и провода не нужны, и по любому помещению можно свободно перемещаться и вообще за беспроводной передачей данных будущее, но есть один серьезный недостаток о котором прекрасно знает любой пользователь. Да Wi-Fi медленный, очень, а с нынешними тенденциями к увеличению «веса» файлов ситуация ухудшается на глазах. Исходя из вышеперечисленного нужен новый стандарт связи. И он уже разрабатывается, даже два — 802.11ac и 802.11ad, оба стандарта связи будут готовы к 2012 году. Дата выхода одна, а вот реализация различна: 802.11ac – это усовершенствованный стандарт 802.11n, который в настоящее время используется для WLAN. Новый стандарт позволят передавать данные на скорости от 300 до 400 Мбит/с, больше, чем это необходимо для передачи нескольких сжатых видео потоков в одном канале. Но будущий стандарт не в состоянии обеспечить большой запас прочности. Здесь вступает второй новичек — в 802.11ad для передачи данных будет использована частота 60 ГГц, в отличие от используемых сегодня Wi-Fi сетей в 2,4 ГГц и 5 ГГц диапазонах. На новой частоте устройства смогут использовать несколько каналов для передачи на скорости до 1 Гбит/с. Единственным недостатком стандарта связи 802.11ad является то, что волны легко поглощаются стенами, из-за этого, новый стандарт подходит для использования при передаче больших пакетов данных на короткие расстояния, например между несколькими устройствами в одной комнате.
Теперь несколько подробнее о беспроводном стандарте IEEE 802.11ad Во-первых он разрабатывается свежесозданной Wireless Gigabit Alliance (WiGig), объединяющей в себе 17 разработчиков беспроводного оборудования (основные производители беспроводных чипов (Atheros, Broadcom, Intel и Marvell), мобильных устройств (LG, Nokia и Samsung), PC-ориентированные компании (Dell, Intel и Microsoft) и производители бытовой электроники (NEC, Panasonic и Samsung). Во-вторых, не стоит удивляться новому названию — WiGig, именно под таким брендом планируется продавать устройства IEEE 802.11ad В-третьих, всилу использования частоты 60 Ггц, 802.11ad имеет один очень существенный недостаток — стены он не «пробивает», поэтому речь идет о сверхвысокой скорости передачи данных в пределах одного помещения. Разработчик позичионирует новый стандарт как «потоковое видео высокого качества, беспроводные LAN-сети и мгновенная синхронизация различных бытовых и промышленных устройств («беспроводной USB»)». Технический директор WiGig, Билл Макфэрланд в своем интервью заявил: «Люди не хотят использовать огромные файлы HD-видео. Людям нужна мобильность и гибкость. Именно поэтому мы разрабатываем этот стандарт – чтобы помощь людям смотреть и слушать высококачественное мультимедиа в любой точке дома, на любом мобильном оборудовании».Также Макфэрланд заметил, что частота 60 Ггц с шириной канала 7 Ггц имеет огромное будущее: «Это очень широкая полоса, которую можно использовать без лицензий, без оплаты и по которой можно передавать большие пакеты данных, увеличивая тем самым общую скорость передачи данных до нескольких гигабит в секунду». Но пожалуй основной задачей WiGig, является «беспроводной USB», к примеру с его помощью можно будет подключить беспроводной монитор, или очень быстро «скинуть» большой объем данных на переносной винчестер.
Итак, что касается классического Wi-Fi, то 802.11ac призван заменить нынешний 802.11n. Какие изменения нас ждут? Во-первых переход с переполненного 2.4 Ггц на частоту 5 Ггц, что повысит пропускную способность до отметки в 1 Гбит/с. Ширина частотных каналов будет поднята до 80-160 МГц. Еще одним направлением развития стандарта станет применение новых техник модуляции сигнала, или процесс кодирования передаваемого сигнала. Ключевой особенностью нового IEEE 802.11ac станет поддержка технологии MU-MIMO (multiple user MIMO), предусматривающей возможность передачи информации в несколько параллельных потоков нескольким пользователям в рамках одного частного канала.
Фактически к 2012 году мы получим два беспроводных стандарта различного назначения. WiGig IEEE 802.11ad для использования впределах одного помещения без мощных перегородок, который по сути станет заменой шнурам USB. И Wi-Fi IEEE 802.11ac — прямой наследник нынешнего wifi, прекрасно справляющийся с перегородками, но несколько уступающий по количеству подключений. Существует вероятность появления «гибридных» чипов, сочетающих оба стандарта.
- «Интернет вещей — самое интересное только начинается» (Э. Бабкин, Наноиндустрия, №1/71/2017)
- «Полный спектр от 0 до 110 ГГц» (М. Конвей, Ю. Ковалевский, Электроника: НТБ, «2, 2017)
- «Компания Infineon Technologies. От сенсоров до решений для опорных сетей в E- и V- диапазонах» (И. Шахнович)
- «СВЧ-технологии — основа электроники будущего» (И. Шахнович, П. Мальцев)
- «5G на пороге» (И. Шахнович)
- «Проектирование антенной решетки Электроника НТБ 2014 №2» (А.Курушин, К.Папилов)
- «На пути к достижению субмиллиметрового диапазона длин волн» (В.Майская)
- «Современное состояние и перспективы развития нитридных свч приборов миллиметрового диапазона за рубежом и в России» (Мальцев П.П. Федоров Ю.В)
- «Системы радиорелейной связи в Е-диапазоне» (С.Портной, С.Рыбалко, В. Федоров)
- «T-лучи — что это такое и зачем это нужно?» Дмитрий Хохлов
- «Оптоэлектронный генератор –первое практическое устройство СВЧ -оптоэлектроники» М.Белкин, д.т.н., А.Лопарев МИРЭА (ТУ)
- «Введение в широкополосные системы связи миллиметрового диапазона» Жоую Пи, Фарук Хан , Электроника: наука, технология, бизнес, № 3 (00117), 2012 г. — С.86-94
- «Освоение терагерцовой щели. Полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллимитровый диапазон. » (В.Майская)
- «Компоненты беспроводной связи – миллиметровая волна»(В.Майская)
- «Широкозонные гетероструктуры (Al,Ga,In)N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн » (Ю.Федоров)
- «Миллиметровый диапазон как промышленная реальность Стандарт IEEE 802.15.3с и спецификация WirelessHD» (В.Вишневский, д.т.н; С.Фролов, И.Шахнович)
- «Радиорелейные линии связи в миллиметровом диапазоне: новые горизонты скоростей» В.Вишневский (д.т.н), С.Фролов , И.Шахнович
- «Персональные Сети миллиметрового диапазона» В.Вишневский (д.т.н), С.Фролов , И.Шахнович

«Характеристики поглощения волн в атмосфере (на уровне моря), демонстация возможности диапазона частот 60-100 Ггц»
«Характеристики поглощения волн в атмосфере (на уровне моря), демонстация возможности диапазона частот 60-100 Ггц»
Сеть диапазона (70-90Ггц) с кольцевой структурой (а) и со структурой пересекающихся колец (б) со скоростью 2,5 Гбит/с для транспортных систем между базовыми станциями
Проекты МШУ диапазонов частот 60-70 и 90-100 Ггц на гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/lnP
Фотография грибообразного затвора с Lg=50 нм КВЧ транзистора для создания МИС диапазона частот 60-100Ггц
- НИР «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц», шифр «2010-1.1-404-101-004» по заказу Министерства образования и науки России г/к №14.740.11.0136 от 13.09.2010 г. НИР выполнялись в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, 2011-2012 годы.
- Многодиапазонный когерентный датчик сверхвысокочастотных и оптических сигналов (Варианты) (№99191) (Белкин М.Е.,Белкин Л.М)
- Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство радиофотоники (Мальцев П.П.)
- «Способ преобразования света в когерентный активными средами микронного размера» Патент №2106730 Описание (Галямов Б.Ш., Егоров Б.М., Максименко В.В., Мальцев П.П., Яблоков М.Ю.)
- Оптоэлектронный генератор первое практическое устройство СВЧ-оптоэлектроники (Белкин М.Е. (д.т.н.) Лопарев А.В.)
- Оптоэлектронный генератор СВЧ сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик (Белкин М.Е. (д.т.н.) Лопарев А.В.)
- Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона (Белкин Л.М., Белкин М.Е.)
- Бесструктурная модель поверхностно излучающего лазера с полосой модуляции в СВЧ диапазоне (Белкин Л.М., Белкин М.Е.)
- Оптические межсоединения в интегральных схемах (Белкин М. (д.т.н.), Сигов А.(д.ф.-м.н.))
- Исследование проблем создания оптических межсоединений(Белкин М. (д.т.н.), Сигов А.(д.ф.-м.н.))
- «Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации»
Патент №2106437 Описание - «Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации»
Патент №2102542 Описание - «Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации»
Патент №2118672 Описание