«Сертификат соответствия на разработку, производство и реализацию продукции»

«Лицензия на осуществление работ, связанных с использованием сведений, составляющих государственную тайну»

В состав технологической платформы «СВЧ-технологии» вошла ТП -104, разработанная ИСВЧПЭ РАН и представленная в октябре 2010 г.«Мобильные и беспроводные коммуникации в миллиметровом диапазоне длин (60-90 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц)»,организатор Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН. Формат паспорта проекта создания технологической платформы

На установках молекулярно-лучевой эпитаксии Riber-32Pи ЦНА-24 выращивались гетероструктуры разных типов. Об электрофизических, структурных и транспортных характеристик полученных нами эпитаксиальных структур можно ознакомиться в следующих работах:

Показать »

  • Galiev G.B., Mokerov V.G., Lyapin E.R., Saraikin V.V., Khabarov Yu.V. A Study of the Electrical and Optical Properties of Si Delta-Doped GaAs Layers Grown by MBE on a (111)A GaAs Surface Misoriented toward the [211] direction. // Semiconductors, V.35, N4. p.p.409-414, (2001).
  • Galiev G.B., Kaminskii V., Milovzorov D., Velikovskii L., Mokerov V.G. Molecular beam epitaxy growth of a planar p-n- junction on a (111)A GaAs substrate using the amphoteric property of silicon dopant. // Semicond.. Science Technology, v.17, p.p.120-123, (2002).
  • Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Lunin R.A., Rogozin V.A., Derkach A.V., Vasil’evskii I.S. Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures. // Physica E, 17, 172-173 (2003).
  • Ponomarenko L.A., de Lang D.T.N., de Visser A., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kunzel H., Pruisken A.M.M. The effect of carrier density gradients on magnetotransport data measured in Hall geometry. // Sol. State. Commun. V.130, 705-710 (2004)
  • Г.Б. Галиев, Васильевский И.С., Климов Е.А., Черечукин А.А., Мокеров В.Г. Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в Р-НЕМТ- структурах. // Физика и техника полупроводников, т. 40, вып. 12, 2006, с. 1479-1483
  • AvakyantsL.P., BokovP.Yu., Chervyakov A.V.,GalievG.B., Klimov E.A.,Vasil’evskii I.S.,Kulbachinskii V.A.InterbandopticaltransitionsintheGaAsmodulation-dopedquantumwells: photoreflectanceexperimentandselfconsistentcalculations. // Semicond. Sci. & Technol. V.21, p. 462-466 (2006)
  • Васильевский И.С., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах. // Журнал экспериментальной и теоретической физики, т. Vol. 132, No. 1, 2007pp.197-199
  • Kulbachinskii V.A., Vasil’evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., Galiev G.B., A. de Visser, Shirokov S.S., Mokerov V.G. Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier. // Semicond. Sci. Technol. vol. 22, (2007), p. 222–228
  • Vasil’evskii I.S., Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Mokerov V.G., Tarucha S., Oiwa A. Low
    temperature electron magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density. // Journal of Physics: Conference Series, vol. 123 p (2008)
  • И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных РНЕМТ гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs. // Физика и Техника Полупроводников, том 42, вып. 9, стр. 1102-1109, 2008
  • K. Požela, J. Požela, V. Jucienė, I.S. Vasil’evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, A. Sužiedėlis, N. Žurauskienė, V. Stankevič, S. Keršulis, Č. Paškevič1. «Electron Transport in Modulation-Doped InAlAs/InGaAs/InAlAs» heterostructures in high electric fields. // Acta Physica Polonica A, vol.119, №2, pp.170-172 (2011)
  • И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, Кванин А.Л., Пушкин М.А. Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами. // Физика и Техника Полупроводников, том 45, вып.9, стр.1203-1208, 2011
  • G. B. Galiev, I. S. Vasil’evskii, R. M. Imamov, E. A. Klimov,S. S. Pushkarev, I. A. Subbotin. Structural and Electrical Properties of Metamorphic Nanoheterostructures with a High InAs Content (37–100%) Grown on GaAs and InP Substrates. // Crystallography Reports, 2011, Vol. 56, No. 5, pp. 875–879.

Справочный лист комплекта монолитных интегральных схем на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц

 

«Монолитные интегральные схемы СВЧ и КВЧ диапазонов»

«Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона»

«Новые протоколы беспроводной передачи данных – IEEE 802.11ac и 802.11ad»

Wi-Fi всем хорош — и провода не нужны, и по любому помещению можно свободно перемещаться и вообще за беспроводной передачей данных будущее, но есть один серьезный недостаток о котором прекрасно знает любой пользователь. Да Wi-Fi медленный, очень, а с нынешними тенденциями к увеличению «веса» файлов ситуация ухудшается на глазах. Исходя из вышеперечисленного нужен новый стандарт связи. И он уже разрабатывается, даже два — 802.11ac и 802.11ad, оба стандарта связи будут готовы к 2012 году. Дата выхода одна, а вот реализация различна: 802.11ac – это усовершенствованный стандарт 802.11n, который в настоящее время используется для WLAN. Новый стандарт позволят передавать данные на скорости от 300 до 400 Мбит/с, больше, чем это необходимо для передачи нескольких сжатых видео потоков в одном канале. Но будущий стандарт не в состоянии обеспечить большой запас прочности. Здесь вступает второй новичек — в 802.11ad для передачи данных будет использована частота 60 ГГц, в отличие от используемых сегодня Wi-Fi сетей в 2,4 ГГц и 5 ГГц диапазонах. На новой частоте устройства смогут использовать несколько каналов для передачи на скорости до 1 Гбит/с. Единственным недостатком стандарта связи 802.11ad является то, что волны легко поглощаются стенами, из-за этого, новый стандарт подходит для использования при передаче больших пакетов данных на короткие расстояния, например между несколькими устройствами в одной комнате.

Теперь несколько подробнее о беспроводном стандарте IEEE 802.11ad Во-первых он разрабатывается свежесозданной Wireless Gigabit Alliance (WiGig), объединяющей в себе 17 разработчиков беспроводного оборудования (основные производители беспроводных чипов (Atheros, Broadcom, Intel и Marvell), мобильных устройств (LG, Nokia и Samsung), PC-ориентированные компании (Dell, Intel и Microsoft) и производители бытовой электроники (NEC, Panasonic и Samsung). Во-вторых, не стоит удивляться новому названию — WiGig, именно под таким брендом планируется продавать устройства IEEE 802.11ad В-третьих, всилу использования частоты 60 Ггц, 802.11ad имеет один очень существенный недостаток — стены он не «пробивает», поэтому речь идет о сверхвысокой скорости передачи данных в пределах одного помещения. Разработчик позичионирует новый стандарт как «потоковое видео высокого качества, беспроводные LAN-сети и мгновенная синхронизация различных бытовых и промышленных устройств («беспроводной USB»)». Технический директор WiGig, Билл Макфэрланд в своем интервью заявил: «Люди не хотят использовать огромные файлы HD-видео. Людям нужна мобильность и гибкость. Именно поэтому мы разрабатываем этот стандарт – чтобы помощь людям смотреть и слушать высококачественное мультимедиа в любой точке дома, на любом мобильном оборудовании».Также Макфэрланд заметил, что частота 60 Ггц с шириной канала 7 Ггц имеет огромное будущее: «Это очень широкая полоса, которую можно использовать без лицензий, без оплаты и по которой можно передавать большие пакеты данных, увеличивая тем самым общую скорость передачи данных до нескольких гигабит в секунду». Но пожалуй основной задачей WiGig, является «беспроводной USB», к примеру с его помощью можно будет подключить беспроводной монитор, или очень быстро «скинуть» большой объем данных на переносной винчестер.

Итак, что касается классического Wi-Fi, то 802.11ac призван заменить нынешний 802.11n. Какие изменения нас ждут? Во-первых переход с переполненного 2.4 Ггц на частоту 5 Ггц, что повысит пропускную способность до отметки в 1 Гбит/с. Ширина частотных каналов будет поднята до 80-160 МГц. Еще одним направлением развития стандарта станет применение новых техник модуляции сигнала, или процесс кодирования передаваемого сигнала. Ключевой особенностью нового IEEE 802.11ac станет поддержка технологии MU-MIMO (multiple user MIMO), предусматривающей возможность передачи информации в несколько параллельных потоков нескольким пользователям в рамках одного частного канала.

Фактически к 2012 году мы получим два беспроводных стандарта различного назначения. WiGig IEEE 802.11ad для использования впределах одного помещения без мощных перегородок, который по сути станет заменой шнурам USB. И Wi-Fi IEEE 802.11ac — прямой наследник нынешнего wifi, прекрасно справляющийся с перегородками, но несколько уступающий по количеству подключений. Существует вероятность появления «гибридных» чипов, сочетающих оба стандарта.

 

«Иллюстрации по освоению миллиметрового диапазона»

«Характеристики поглощения волн в атмосфере (на уровне моря), демонстация возможности диапазона частот 60-100 Ггц»

«Характеристики поглощения волн в атмосфере (на уровне моря), демонстация возможности диапазона частот 60-100 Ггц»

Сеть диапазона (70-90Ггц) с кольцевой структурой (а) и со структурой пересекающихся колец (б) со скоростью 2,5 Гбит/с для транспортных систем между базовыми станциями

Проекты МШУ диапазонов частот 60-70 и 90-100 Ггц на гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/lnP

Фотография грибообразного затвора с Lg=50 нм КВЧ транзистора для создания МИС диапазона частот 60-100Ггц

«СВЧ оптоэлектроника»

 

«Алмаз»
«СВЧ и КВЧ системы на кристалле»