20.07.17
На сайте «ЭкспоЭлектроника» опубликована страница, посвященная проведенным семинарам в рамках деловой программы выставок «ЭкспоЭлектроника» и «ЭлектронТехЭкспо» 2017. Сообщается, что 27.04.2017 семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G» был проведен директором ИСВЧПЭ РАН Гамкрелидзе С.А.

20.06.16
В честь 20-летия журнала «Электроника: Наука. Технология. Бизнес» в Российской академии науки состоялась научная сессия, совместно с Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, на которой с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, член редакционного совета журнала «Электроника: НТБ» Мальцев П.П. Также состоялся круглый стол

16.05.16
В журнале «Электроника.НТБ» опубликована заметка о результатах работы ИСВЧПЭ РАН «Первые российские МИС для систем связи 5G»

25.04.2016
29 октября 2015 года состоялось первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ, на котором выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П.

24.03.16
Статья об ИСВЧПЭ РАН в газете «ПОИСК» от 4 марта 2016 года

19.02.16
Заслуженного деятеля науки РФ Мальцев Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России «WHO IS WHO В РОССИИ» (2013 г., VII издание, том 2)

    

18.01.16
«Полупроводниковая СВЧ-электроника в России. ИСВЧПЭ РАН — исследования и разработки» (П.П. Мальцев, Элеткроника НТБ, №10, 2015 г.) Реклама в журнале

14.04.15
Статья в газете «Московская правда» от 14 апреля 2015 г

30.06.14
30 мая 2014 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась третья встреча пользователей оборудования Raith на территории России Скачать

19.11.13
С 31 октября по 2 ноября 2013 года проходил московский международный форум «Открытые инновации», где были представлены Российские технологические платформы. Скачать

«Пилотная линейка для проведения НИОКР: от наногетероструктур до монолитных интегральных схем СВЧ и КВЧ диапазонов (от 3 до 300 ГГц)», реклама в журнале «Наноиндустрия», №6, 2013 г

10.08.13
7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России. http://optec.zeiss.ru

12.07.12г
«Первая встреча российских пользователей оборудования Raith состоялась в Москве»
Источник на сайте Carl Zeiss

12.07.12г
«Технологические платформы РАН. Российская академия наук в стратегии модернизации страны» П.К. Берзигияров

03.07.12г
«Московская правда» от 26 июня 2012г. Записала Регина Бударина

19.04.13г
Один, совсем один. Академический институт выглядит белой вороной среди победителей конкурса по Постановлению №218(Научная политика)

23.03.12г
«Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»

14.06.11г
«Применение вакуумной техники и технологии в космической отрасли»

14.06.11г
« Широкозонные гетероструктуры (Al, Ga, In) N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн»

25.05.11
Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.(реклама в журнале «Наноиндустрия», № 5, 2011 г)

16.08.10
«В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова»
(Электроника: Наука, Технология , Бизнес 4/2010 г )

«Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ диапазона — смена поколений»
(А. Кищинский)

«Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии» (Л.И. Бабак, Ю.В. Федоров, М.В. Черкашин, Ф.И. Шеерман, А.С. Бугаев, Д.Л. Гнатюк,А.А. Коколов, И.М. Добуш, К.С. Дмитриенко, А.С. Сальников, А.Э. Ячменев)

16.08.10г
«Монолитный малошумящий усилитель x-диапазона на основе 0,15 МКМ GaAs p-HEMT технологии»
Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин — Научно-производственная фирма «Микран» г. Томск, Ф.И.Шеерман — Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва, Россия.
Опубликовано в сборнике трудов 17-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводятся результаты работы по разработке и изготовлению монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии.

08.08.10г
НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинскогозарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru

05.08.10г
Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru