На базе ИСВЧПЭ РАН организован Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru (Положениеприказрегламент)

Руководитель ЦКП — Мальцев Петр Павлович
Базовая организация — Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
ЦКП создан в 2010 году
Адрес ЦКП — 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5
Контактное лицо — Хабибуллин Рустам Анварович, тел.8(499) 1234464

Оборудование ЦКП:
1) Установка для шлифовки и полировки полупроводниковых пластин Logitech PM5 (Страна изготовитель — Великобритания, Фирма изготовитель — Logitech, год выпуска — 2008)
2) Электронно-лучевой нанолитограф Raith 150 — TWO (Страна изготовитель — Германия, Фирма изготовитель — Raith GmbH, год выпуска — 2007)
3) Модернизированный ионный микроанализатор (Страна изготовитель — Франция, Фирма изготовитель — Cameca, год выпуска — 1991)
Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru