Научные лаборатории
  • Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 (лаборатория № 101, заведующий лабораторией — д.ф.-м.н., Г.Б. Галиев; заместитель заведующего лабораторией – к.ф.-м.н. Е.А.Климов)
  • Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм- транзисторов (лаборатория № 102, и.о. заведующего лабораторией  – Ю.В.Федоров; заместитель заведующего лабораторией -Р.Р.Галиев)
  • Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и мощных СВЧ-транзисторов на их основе (лаборатория № 103,  и.о. заведующего  лабораторией – А.С.Бугаев; заместитель заведующего лабораторией — Е.Н.Енюшкина)
  • Лаборатория исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах (лаборатория № 104, заведующий лабораторией — к.т.н., Д.Л.Гнатюк; заместитель заведующего лабораторией – к.т.н., О.С.Матвеенко)
  • Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 (лаборатория № 105, заведующий лабораторией — д.ф.-м.н.,А.Н.Алёшин; заместитель заведующего лабораторией – Д.В.Лаврухин)
  • Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе (лаборатория № 106, заведующий лабораторией — к.т.н., А.Ю.Павлов; заместитель заведующего лабораторией – Н.В.Щаврук)
НОЦ

ИСВЧПЭ РАН входит в состав 2 научно-образовательных центров (НОЦ)

  1. НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского (2010г.) (Приказположениедополнение к положению НОЦ №1дополнение к соглашению  НОЦ №1)
  2. НОЦ «Микросистемная техника и наносистемы при МИРЭА» (2009г.) (Положениесоглашениедополнение к соглашению и положениюприказ 2010приказ 2009)

НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru

Центр коллективного пользования

На базе ИСВЧПЭ РАН организован Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru (Положениеприказрегламент)

Руководитель ЦКП — Мальцев Петр Павлович
Базовая организация — Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
ЦКП создан в 2010 году
Адрес ЦКП — 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5
Контактное лицо — Хабибуллин Рустам Анварович, тел.8(499) 1234464

Оборудование ЦКП:
1) Установка для шлифовки и полировки полупроводниковых пластин Logitech PM5 (Страна изготовитель — Великобритания, Фирма изготовитель — Logitech, год выпуска — 2008)
2) Электронно-лучевой нанолитограф Raith 150 — TWO (Страна изготовитель — Германия, Фирма изготовитель — Raith GmbH, год выпуска — 2007)
3) Модернизированный ионный микроанализатор (Страна изготовитель — Франция, Фирма изготовитель — Cameca, год выпуска — 1991)
Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru

ОНИЛ СОУ

Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)
Заведующий ОНИЛ СОУ: Белкин М.Е. Учредительные документы

  • Генеральное соглашение между Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) и Государственным образовательный учреждением высшего профессионального образования «Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)» (Соглашение)
  • Приказ о создании объединенной научно-исследовательской лаборатории «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)(Приказ)
  • Положение об объединенной научно-исследовательской лаборатории «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства»(Положение)

Государственный контракт от 10.05.2012 г. № 12411.1006899.11.077.
ОКР «Разработка базовой технологии создания микрооптоэлектромеханической системы для локальной волоконно-оптической сети крупных предприятий» (шифр «Оптик»)»

Дизайн центр

Приказ о создании дизайн центра (.pdf)