Научные лаборатории:

  • Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 (лаборатория № 101, заведующий лабораторией — д.ф.-м.н., Г.Б. Галиев; заместитель заведующего лабораторией – к.ф.-м.н. Е.А.Климов)
  • Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм- транзисторов (лаборатория № 102, и.о. заведующего лабораторией  – Ю.В.Федоров; заместитель заведующего лабораторией -Р.Р.Галиев)
  • Лаборатория исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и мощных СВЧ-транзисторов на их основе (лаборатория № 103,  и.о. заведующего  лабораторией – А.С.Бугаев; заместитель заведующего лабораторией — Е.Н.Енюшкина)
  • Лаборатория исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах (лаборатория № 104, заведующий лабораторией — к.т.н., Д.Л.Гнатюк; заместитель заведующего лабораторией – к.т.н., О.С.Матвеенко)
  • Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 (лаборатория № 105, заведующий лабораторией — д.ф.-м.н.,А.Н.Алёшин; заместитель заведующего лабораторией – Д.В.Лаврухин)
  • Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе (лаборатория № 106, заведующий лабораторией — к.т.н., А.Ю.Павлов; заместитель заведующего лабораторией – Н.В.Щаврук)

ИСВЧПЭ РАН входит в состав 2 научно-образовательных центра (НОЦ)

  1. НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского (2010г.) (Приказ, положение, дополнение к положению НОЦ №1, дополнение к соглашению  НОЦ №1 )
  2. НОЦ «Микросистемная техника и наносистемы при МИРЭА» (2009г.) (Положение, соглашение, дополнение к соглашению и положению, приказ 2010, приказ 2009)

НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинскогозарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru

В рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы выполнялись следующие НИР:

Мероприятие 1.1.
Государственный контракт № 14.740.11.0841 от «01» декабря 2010 г.
Тема: «Исследование путей создания многофункциональных датчиков для регистрации и спектрометрии рентгеновского и гамма-излучения промышленного назначения».Исполнитель: Федеральное государственное унитарное предприятие « Научно-исследовательский институт вакуумной техники им. С.А. Векшинского»
Научный руководитель: д.т.н., профессор С.Б. Нестеров
Срок выполнения: 2010-2012 гг.

Мероприятие 1.1.
Государственный контракт: №14.740.11.0136 от «13» сентября 2010 г.
Тема: «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: д.т.н., профессор П.П. Мальцев
Ключевые слова: Монолитная интегральная система (МИС), МИС резистивного смесителя, МИС генератора, управляемого напряжением, КВЧ диапазон, фотодиодный модуль
Срок выполнения: 2010-2012 гг.

Мероприятие 1.5.
Государственный контракт № 14.740.11.0869 от 29 апреля 2011 г.
Тема: «Исследование возможностей создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Приглашенный зарубежный научный руководитель: д. ф.- м. н., академик РАН — Ю.К. Пожела (Литва)
Ключевые слова: НЕМТ, InAlAs/InGaAs/InP наногетероструктура, фононная яма, интерфейсные фононы, полярные оптические фононы, молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), рассеяние электронов, квантовые ямы (КЯ)
Срок выполнения: 2011-2012 г.

 

 

На базе ИСВЧПЭ РАН организован Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru (Положение, приказ, регламент)

Руководитель ЦКП — Мальцев Петр Павлович
Базовая организация — Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
ЦКП создан в 2010 году
Адрес ЦКП — 117105, г. Москва, Нагорный пр., д.7, стр.5
Контактное лицо — Хабибуллин Рустам Анварович, тел.8(499) 1234464

Оборудование ЦКП:
1) Установка для шлифовки и полировки полупроводниковых пластин Logitech PM5 (Страна изготовитель — Великобритания, Фирма изготовитель — Logitech, год выпуска — 2008)
2) Электронно-лучевой нанолитограф Raith 150 — TWO (Страна изготовитель — Германия, Фирма изготовитель — Raith GmbH, год выпуска — 2007)
3) Модернизированный ионный микроанализатор (Страна изготовитель — Франция, Фирма изготовитель — Cameca, год выпуска — 1991)
Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru

ЦКП функционировал в течение пяти лет и выполнил поставленные задачи по освоению частотного диапазона 30-150 ГГц. В соответствии с регламентом предоставления услуг ЦКП (Приложение 2 к приказу №40в-К от 07.04.2010) все обязательства перед пользователями ЦКП были выполнены в полном объеме.

С 6 апреля 2015 года ЦКП «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» ликвидирован

 

 

В рамках Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» выполнялись следующие НИР:

  • Государственный контракт: №16.513.11.3045 от «12» апреля 2011 г.

Тема: «Поисковые исследования по разработке методов формирования упорядоченных массивов кристаллографических наноструктур на основе олова для наноэлектроники»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: к.т.н., А.П. Сеничкин
Ключевые слова: Нанонити, Наноструктуры, Наногетероструктуры,Квантовые проволочки, Квазиодномерные структуры, Молекулярно-лучевая эпитаксия, Арсенид галлия, дельта-легирование, Анизотропия.
Срок выполнения: 2011-2012 гг.

  • Государственный контракт № 16.513.11.3113 от 12 октября 2011 г. в обеспечение работ по технологической платформе «СВЧ Технологии».

Тема: «Разработка технологии изготовления метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/GaAs для диапазона частот 60-80 ГГц»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: А.С. Бугаев
Ключевые слова: Молекулярно-лучевая эпитаксия, Гетероструктура, Метаморфная гетероструктура,Метаморфная наногетероструктура, Метаморфный буфер, Дифракция, Арсенид Галлия, Арсенид Индия, Морфология поверхности
Срок выполнения: 2011-2012 г.

 

Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)
Заведующий ОНИЛ СОУ: Белкин М.Е. Учредительные документы

  • Генеральное соглашение между Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) и Государственным образовательный учреждением высшего профессионального образования «Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)» (Соглашение)
  • Приказ о создании объединенной научно-исследовательской лаборатории «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)(Приказ)
  • Положение об объединенной научно-исследовательской лаборатории «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства»(Положение)

Государственный контракт от 10.05.2012 г. № 12411.1006899.11.077.
ОКР «Разработка базовой технологии создания микрооптоэлектромеханической системы для локальной волоконно-оптической сети крупных предприятий» (шифр «Оптик»)»