ИСВЧПЭ РАН отметил 15-летие со дня создания!

18 апреля 2017 года состоялось торжественное собрание трудового коллектива ИСВЧПЭ РАН, посвященное 15-летию со дня создания института!

Почетные грамоты и благодарственные письма были вручены работникам ИСВЧПЭ РАН от ФАНО России, Президиума РАН, Профсоюза работников РАН, Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова, Совета молодых ученых РАН

 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. C января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций.
30 лет назад В.Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д.ф.-м.н. Г.Б. Галиев. В 2002 году Институт стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г. Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах. В 2008-2009 гг. Институт возглавлял д.ф.-м.н. Ю.А. Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был Заслуженный деятель науки Российской Федерации, д.т.н., профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по н.в. директором является д.т.н., профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим направлениям:

  • технология и физика квантоворазмерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200 – 250 ГГц и выше;
  • разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями с диапазоном частот до 50 – 250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • микро- и нанотехнологии формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.

Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова.

В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.

Свое 15-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники!

Почетная грамота ФАНО Скачать файл

О нас пишут

13.12.17
В газете «Московский комсомолец» № 277 (27.570) от 13.12.2017 опубликована статья Ольги Синицыной «СВЧ-ТЕХНОЛОГИИ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ»
Скачать (.pdf)

28.09.17
В связи с 15-летием ИСВЧПЭ РАН в журнале Электроника НТБ (№ 7, 2017) опубликована статья С.А. Гамкрелидзе «Институту СВЧПЭ РАН – 15 лет»
Скачать (.pdf)

20.07.17
На сайте «ЭкспоЭлектроника» опубликована страница, посвященная проведенным семинарам в рамках деловой программы выставок «ЭкспоЭлектроника» и «ЭлектронТехЭкспо» 2017. Сообщается, что 27.04.2017 семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G» был проведен директором ИСВЧПЭ РАН Гамкрелидзе С.А.

20.06.16
В честь 20-летия журнала «Электроника: Наука. Технология. Бизнес» в Российской академии науки состоялась научная сессия, совместно с Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, на которой с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, член редакционного совета журнала «Электроника: НТБ» Мальцев П.П. Также состоялся круглый стол

16.05.16
В журнале «Электроника.НТБ» опубликована заметка о результатах работы ИСВЧПЭ РАН «Первые российские МИС для систем связи 5G»

25.04.2016
29 октября 2015 года состоялось первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ, на котором выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П.

24.03.16
Статья об ИСВЧПЭ РАН в газете «ПОИСК» от 4 марта 2016 года

19.02.16
Заслуженного деятеля науки РФ Мальцев Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России «WHO IS WHO В РОССИИ» (2013 г., VII издание, том 2)

    

18.01.16
«Полупроводниковая СВЧ-электроника в России. ИСВЧПЭ РАН — исследования и разработки» (П.П. Мальцев, Элеткроника НТБ, №10, 2015 г.) Реклама в журнале

14.04.15
Статья в газете «Московская правда» от 14 апреля 2015 г

30.06.14
30 мая 2014 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась третья встреча пользователей оборудования Raith на территории России Скачать

19.11.13
С 31 октября по 2 ноября 2013 года проходил московский международный форум «Открытые инновации», где были представлены Российские технологические платформы. Скачать

«Пилотная линейка для проведения НИОКР: от наногетероструктур до монолитных интегральных схем СВЧ и КВЧ диапазонов (от 3 до 300 ГГц)», реклама в журнале «Наноиндустрия», №6, 2013 г

10.08.13
7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России. http://optec.zeiss.ru

12.07.12г
«Первая встреча российских пользователей оборудования Raith состоялась в Москве»
Источник на сайте Carl Zeiss

12.07.12г
«Технологические платформы РАН. Российская академия наук в стратегии модернизации страны» П.К. Берзигияров

03.07.12г
«Московская правда» от 26 июня 2012г. Записала Регина Бударина

19.04.13г
Один, совсем один. Академический институт выглядит белой вороной среди победителей конкурса по Постановлению №218(Научная политика)

23.03.12г
«Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»

14.06.11г
«Применение вакуумной техники и технологии в космической отрасли»

14.06.11г
« Широкозонные гетероструктуры (Al, Ga, In) N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн»

25.05.11
Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.(реклама в журнале «Наноиндустрия», № 5, 2011 г)

16.08.10
«В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова»
(Электроника: Наука, Технология , Бизнес 4/2010 г )

«Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ диапазона — смена поколений»
(А.

Конкурсы

15.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_38055

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 10 сентября 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 16 августа 2018 года; — окончание приема: 5 сентября 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 5 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Измерения пассивных элементов, транзисторов и монолитных интегральных схем. Моделирование монолитных интегральных схем. Создание моделей СВЧ-транзисторов. Подготовка комплектов фотошаблонов. Написание статей в ведущие отечественные и зарубежные научные журналы. Разработка топологий интегральных микросхем (РИД).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79


06.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова

Технологическая платформа «СВЧ технологии»

Технологическая платформа «СВЧ технологии» включена в перечень технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссией по высоким технологиям и инновациям от 01.04.2011 г. Протокол №2 и от 05.07.2011 г. Протокол №3, решением президиума Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям от 21.02.2012 г. Протокол №2 Организацией-координатором является АО «Росэлектроника».

Организаторами ТП«СВЧ технологии» являются (Письмо ТП):

Справка о деятельности ТП «СВЧ технологии»

За основу при формировании Стратегической программы исследований технологической платформы «СВЧ технологии» (далее СПИ) приняты положения Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, Государственной программы вооружения на период до 2020 года, результаты фундаментальных, прикладных и прогнозных исследований, результаты реализации и планы выполнения НИОКР и капитального строительства в рамках федеральных целевых программ «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» ан 2008-2015 годы, «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2011 -2020 годы», комплексных целевых программ развития СВЧ электроники для обеспечения перспективных и существующих систем вооружения и военной техники, радиоэлектронной аппаратуры двойного и гражданского (общепромышленного) применения, достигнутый к настоящему времени и планируемый на программный период технический уровень изделий отечественной СВЧ электроники и научно-технический и производственно-технологический уровень предприятий СВЧ подотрасли, входящих в Холдинг ОАО «Российская электроника», а также предприятий и организаций СВЧ подотрасли, являющихся стратегическими партнерами Холдинга (в первую очередь, это организация Российской академии наук и предприятия оборонного промышленного комплекса, разрабатывающие и серийно производящие СВЧ устройства и компоненты).

Технологическая платформа «СВЧ технологии» предусматривает развитие следующей продукции:

  • высокоскоростные информационные и телекоммуникационные системы;
  • системы обеспечения безопасности воздушного, морского и наземного транспорта;
  • устройства для систем радиочастотной идентификации объектов;
  • СВЧ приборы диагностики, лечения и санитарии.

Данные системы и устройства востребованы в различных секторах экономики: радиосвязь, навигация и системы передачи информации, авионика и управление воздушным движением, медицинская и биотехнологическая промышленность, автотранспорт и управление трафиком, железнодорожные и морские перевозки, атомная энергетика, освоение космоса.

 

Задачи Технологической платформы:

  • определение перспективных направлений развития СВЧ технологий и продуктов, обеспечивающих существенное улучшение качественных характеристик СВЧ продукции и мировое лидерство российской продукции и технологий;
  • приборах, блоках и устройствах в соответствии с требованиями потребителей.

Основные направления:

  • технологии создания многофункциональных многокристальных субмодулей СВЧ;
  • технологии создания сложно функциональных блоков и радиоэлектронных устройств на основе СВЧ электроники;
  • разработка бортовых ЛБВ и комплексированных изделий на их основе для систем спутниковой космической связи;
  • технологии создания ALGaN/GaN и ALGaN/AlN/GaN СВЧ транзисторов и МИС на подложках из полиалмаза и SiC, включая технологии изготовления подложек и гетероструктур;
  • технологии создания СВЧ аналого-цифровых и цифро-аналоговых МИС на SiGe;
  • технология создания микро-ЛБВ и микромагнетронов, включая технологии изготовления холодных и безнагревных катодов;
  • технология создания нового класса СВЧ устройств на основе низковольтных многолучевых ЛБВ и клистронов с продольно-поперечным типом взаимодействия на автоэмиссионных катодах из углеродных микро- и наноструктур;
  • создание высокотехнологического производства КВЧ (60-90 ГГц) монолитных интегральных схем с использование индия на подложках фосфида индия и арсенида галлия для телекоммуникационных систем;
  • создание высокотехнологичного производства сложных наногетероструктур со слоями AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN для телекоммуникациооных систем;
  • разработка и производство ускорителей электронов для систем неразрушающего контроля и досмотра крупногабаритных грузов;
  • разработка и производство медтехники с микрофокусной оптикой на основе холодных катодов из наноструктурированного углерода;
  • разработка межпланетного локатора (в части разработки клистрона);
  • технологии получения инновационных материалов: бездислокационного германия, трехслойных структур на основе лейкосапфировой подложки, сегнето электрических и магнитных пленок, наноструктурированных радиопоглощающих покрытий, полупроводниковых материалов для гетероструктур, керамики низкотемпературного обжига, сплавов, псевдосплавов и многослойных металлов;
  • технологии широкополосного беспроводного доступа WiMAX и LTE;
  • технологии высокоскоростного обмена PDH/SDH, Ethernet, ATM и DRM;
  • mesh-технологии цифровой обработки на многоядерных «системах на кристалле».