О нас пишут

13.12.17
В газете «Московский комсомолец» № 277 (27.570) от 13.12.2017 опубликована статья Ольги Синицыной «СВЧ-ТЕХНОЛОГИИ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ»
Скачать (.pdf)

28.09.17
В связи с 15-летием ИСВЧПЭ РАН в журнале Электроника НТБ (№ 7, 2017) опубликована статья С.А. Гамкрелидзе «Институту СВЧПЭ РАН – 15 лет»
Скачать (.pdf)

20.07.17
На сайте «ЭкспоЭлектроника» опубликована страница, посвященная проведенным семинарам в рамках деловой программы выставок «ЭкспоЭлектроника» и «ЭлектронТехЭкспо» 2017. Сообщается, что 27.04.2017 семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G» был проведен директором ИСВЧПЭ РАН Гамкрелидзе С.А.

20.06.16
В честь 20-летия журнала «Электроника: Наука. Технология. Бизнес» в Российской академии науки состоялась научная сессия, совместно с Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, на которой с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, член редакционного совета журнала «Электроника: НТБ» Мальцев П.П. Также состоялся круглый стол

16.05.16
В журнале «Электроника.НТБ» опубликована заметка о результатах работы ИСВЧПЭ РАН «Первые российские МИС для систем связи 5G»

25.04.2016
29 октября 2015 года состоялось первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ, на котором выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П.

24.03.16
Статья об ИСВЧПЭ РАН в газете «ПОИСК» от 4 марта 2016 года

19.02.16
Заслуженного деятеля науки РФ Мальцев Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России «WHO IS WHO В РОССИИ» (2013 г., VII издание, том 2)

    

18.01.16
«Полупроводниковая СВЧ-электроника в России. ИСВЧПЭ РАН — исследования и разработки» (П.П. Мальцев, Элеткроника НТБ, №10, 2015 г.) Реклама в журнале

14.04.15
Статья в газете «Московская правда» от 14 апреля 2015 г

30.06.14
30 мая 2014 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась третья встреча пользователей оборудования Raith на территории России Скачать

19.11.13
С 31 октября по 2 ноября 2013 года проходил московский международный форум «Открытые инновации», где были представлены Российские технологические платформы. Скачать

«Пилотная линейка для проведения НИОКР: от наногетероструктур до монолитных интегральных схем СВЧ и КВЧ диапазонов (от 3 до 300 ГГц)», реклама в журнале «Наноиндустрия», №6, 2013 г

10.08.13
7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России. http://optec.zeiss.ru

12.07.12г
«Первая встреча российских пользователей оборудования Raith состоялась в Москве»
Источник на сайте Carl Zeiss

12.07.12г
«Технологические платформы РАН. Российская академия наук в стратегии модернизации страны» П.К. Берзигияров

03.07.12г
«Московская правда» от 26 июня 2012г. Записала Регина Бударина

19.04.13г
Один, совсем один. Академический институт выглядит белой вороной среди победителей конкурса по Постановлению №218(Научная политика)

23.03.12г
«Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»

14.06.11г
«Применение вакуумной техники и технологии в космической отрасли»

14.06.11г
« Широкозонные гетероструктуры (Al, Ga, In) N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн»

25.05.11
Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.(реклама в журнале «Наноиндустрия», № 5, 2011 г)

16.08.10
«В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова»
(Электроника: Наука, Технология , Бизнес 4/2010 г )

«Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ диапазона — смена поколений»
(А.

Конкурсы

15.08.18

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_38055

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 10 сентября 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 16 августа 2018 года; — окончание приема: 5 сентября 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 5 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Измерения пассивных элементов, транзисторов и монолитных интегральных схем. Моделирование монолитных интегральных схем. Создание моделей СВЧ-транзисторов. Подготовка комплектов фотошаблонов. Написание статей в ведущие отечественные и зарубежные научные журналы. Разработка топологий интегральных микросхем (РИД).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Телефон: 8-495-280-74-79


06.08.18

Технологическая платформа «СВЧ технологии»

Технологическая платформа «СВЧ технологии» включена в перечень технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссией по высоким технологиям и инновациям от 01.04.2011 г. Протокол №2 и от 05.07.2011 г. Протокол №3, решением президиума Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям от 21.02.2012 г. Протокол №2 Организацией-координатором является АО «Росэлектроника».

Организаторами ТП«СВЧ технологии» являются (Письмо ТП):

Справка о деятельности ТП «СВЧ технологии»

За основу при формировании Стратегической программы исследований технологической платформы «СВЧ технологии» (далее СПИ) приняты положения Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, Государственной программы вооружения на период до 2020 года, результаты фундаментальных, прикладных и прогнозных исследований, результаты реализации и планы выполнения НИОКР и капитального строительства в рамках федеральных целевых программ «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» ан 2008-2015 годы, «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2011 -2020 годы», комплексных целевых программ развития СВЧ электроники для обеспечения перспективных и существующих систем вооружения и военной техники, радиоэлектронной аппаратуры двойного и гражданского (общепромышленного) применения, достигнутый к настоящему времени и планируемый на программный период технический уровень изделий отечественной СВЧ электроники и научно-технический и производственно-технологический уровень предприятий СВЧ подотрасли, входящих в Холдинг ОАО «Российская электроника», а также предприятий и организаций СВЧ подотрасли, являющихся стратегическими партнерами Холдинга (в первую очередь, это организация Российской академии наук и предприятия оборонного промышленного комплекса, разрабатывающие и серийно производящие СВЧ устройства и компоненты).

Технологическая платформа «СВЧ технологии» предусматривает развитие следующей продукции:

  • высокоскоростные информационные и телекоммуникационные системы;
  • системы обеспечения безопасности воздушного, морского и наземного транспорта;
  • устройства для систем радиочастотной идентификации объектов;
  • СВЧ приборы диагностики, лечения и санитарии.

Данные системы и устройства востребованы в различных секторах экономики: радиосвязь, навигация и системы передачи информации, авионика и управление воздушным движением, медицинская и биотехнологическая промышленность, автотранспорт и управление трафиком, железнодорожные и морские перевозки, атомная энергетика, освоение космоса.

 

Задачи Технологической платформы:

  • определение перспективных направлений развития СВЧ технологий и продуктов, обеспечивающих существенное улучшение качественных характеристик СВЧ продукции и мировое лидерство российской продукции и технологий;
  • приборах, блоках и устройствах в соответствии с требованиями потребителей.

Основные направления:

  • технологии создания многофункциональных многокристальных субмодулей СВЧ;
  • технологии создания сложно функциональных блоков и радиоэлектронных устройств на основе СВЧ электроники;
  • разработка бортовых ЛБВ и комплексированных изделий на их основе для систем спутниковой космической связи;
  • технологии создания ALGaN/GaN и ALGaN/AlN/GaN СВЧ транзисторов и МИС на подложках из полиалмаза и SiC, включая технологии изготовления подложек и гетероструктур;
  • технологии создания СВЧ аналого-цифровых и цифро-аналоговых МИС на SiGe;
  • технология создания микро-ЛБВ и микромагнетронов, включая технологии изготовления холодных и безнагревных катодов;
  • технология создания нового класса СВЧ устройств на основе низковольтных многолучевых ЛБВ и клистронов с продольно-поперечным типом взаимодействия на автоэмиссионных катодах из углеродных микро- и наноструктур;
  • создание высокотехнологического производства КВЧ (60-90 ГГц) монолитных интегральных схем с использование индия на подложках фосфида индия и арсенида галлия для телекоммуникационных систем;
  • создание высокотехнологичного производства сложных наногетероструктур со слоями AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN для телекоммуникациооных систем;
  • разработка и производство ускорителей электронов для систем неразрушающего контроля и досмотра крупногабаритных грузов;
  • разработка и производство медтехники с микрофокусной оптикой на основе холодных катодов из наноструктурированного углерода;
  • разработка межпланетного локатора (в части разработки клистрона);
  • технологии получения инновационных материалов: бездислокационного германия, трехслойных структур на основе лейкосапфировой подложки, сегнето электрических и магнитных пленок, наноструктурированных радиопоглощающих покрытий, полупроводниковых материалов для гетероструктур, керамики низкотемпературного обжига, сплавов, псевдосплавов и многослойных металлов;
  • технологии широкополосного беспроводного доступа WiMAX и LTE;
  • технологии высокоскоростного обмена PDH/SDH, Ethernet, ATM и DRM;
  • mesh-технологии цифровой обработки на многоядерных «системах на кристалле».

Обновления на сайте (150715-310815)

  •  в раздел Аспирантура добавлены ссылки на ресурс «Электронная библиотека»
  • В раздел Работы по заказу Минобрнауки России добавлена информация об успешном завершении этапа № 4 «Изготовление экспериментальных образцов» в августе в рамках НИР «Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов, разработка технологических принципов их изготовления (монолитные интегральные схемы усилителей для диапазона частот 92-96 ГГц)»
  • в раздел Технологическая платформа «СВЧ технологии» в Документы добавлена новая Стратегическая программа исследований ТП «СВЧ технологииТехнологическая платформа «СВЧ технологии»
  • в раздел Разработки добавлена статья «Томский «Микран» открыл завод им. В.Я. Гюнтера», Л. Павлова
  • в раздел Аспирантура в нормативных документах добавлено новое приложение к лицензии ИСВЧПЭ РАН на образовательную деятельность
  • в разделе Объявления добавлено объявление о конкурс на замещение вакантных должностей
  • в раздел Результаты интеллектуальной деятельности добавлен Патенты на изобретение «Устройство СВЧ плазменной обработки материалов» (№2555743)

Руководители уральских научных организаций высоко оценили работу ФАНО России в 2014 году

Руководители уральских научных организаций высоко оценили работу ФАНО России в 2014 году
ФАНО России начнет 2015 год с большим бюджетом, чем было в начале 2014 года. Финансирование программы жилищных сертификатов будет увеличено, полномочия территориальных управлений расширятся, а модель развития центров коллективного пользования будет усовершенствована – таковы результаты совещания, которое руководитель ФАНО России Михаил Котюков провел в Екатеринбурге.

Встреча с директорами научных институтов, входящих в структуру Уральского территориального управления ФАНО России, была посвящено итогам работы Агентства в 2014 году. В совещании приняло участие порядка 60 руководителей, а также начальники профильных управлений Агентства.

Оценку работе ФАНО России от научного сообщества дал председатель Уральского отделения РАН Валерий Чарушин. Выступая с приветственным словом, он отметил, что главная задача в 2014 году Агентством была выполнена – научные институты работали без сбоев, деньги поступали в срок и в полном объеме. Бюрократия, в которой нередко упрекали ФАНО России, тоже не оказалась для ученых помехой. «Как отмечали многие руководители институтов, бумажный шквал останавливался на уровне администрации институтов, и рядовых научных сотрудников он не касался. Большинство научных сотрудников даже и не заметили, что они работают в новых условиях. Ничто не препятствовало эффективно заниматься научными исследованиями», — отметил В.Чарушин.

Вместе с тем, он заявил о том, что предстоит еще многое сделать для повышения эффективности работы научных организаций. В частности, необходимо развивать интеграционные связи между институтами, исполнительной властью на местах, промышленными предприятиями региона и бизнесом. Связующим звеном здесь могут стать центры коллективного пользования.

Руководитель ФАНО России Михаил Котюков предложил участникам встречи обсудить несколько сценариев эффективного финансирования ЦКП. После продолжительной дискуссии, участники обсуждения выбрали вариант, по которому деньги на поддержку центров выделяются базовому институту, на чьем балансе находится инфраструктура и оборудование.

«По поводу центров коллективного пользования будем действовать следующим образом: определяем их перечень. По нему делаем отдельную программу развития и отдельно программу управления мощностями. В государственном задании базового института, на балансе которого находится объект, закладываем средства на его функционирование. И следом создаем экспертно-научный совет, который распределит мощность этого центра на все коллективы на территории, которые могут им пользоваться», — подвел итог обсуждению М. Котюков.

Глава Агентства также отметил необходимость реанимировать соглашения о сотрудничестве, которые научные институты заключили с региональной властью, предприятиями и бизнесом до реформы РАН. «Нужно вместе с УрО РАН посмотреть весь перечень тех соглашений, которые были заключены с органами исполнительной власти регионов, с организациями и, где это возможно, перевести эти соглашения в формат трехсторонних. Где мы добавили бы наш административный функционал и определяющую научно-методическую роль УрО РАН», — отметил М. Котюков.

Кроме того, руководитель ФАНО России дал поручение центральному аппарату продумать меры, которые усилят координационную роль территориальных отделений РАН в работе научных организаций: «Нам нужно, при подготовке регламентов взаимоотношений с РАН, более четко прописать роль региональных отделений РАН в отношении тех институтов, которые находятся на соответствующих территориях. Речь идет обо всех институтах РАН, РАСХН И РАМН».

Особое внимание участники встречи уделили жилищному вопросу. Заместитель начальника Управления делами ФАНО России Юлия Мельникова сообщила участникам встречи, что в будущем году финансирование программы государственных жилищных сертификатов будет выделено 371 млн рублей. Это на 40% больше по сравнению с 2014 годом. Она отметила, что списки получателей социальных выплат на приобретение жилья в 2015 году должны быть переданы в Министерство строительства и ЖКХ России до 20 января.