Объявление о проведении конкурса ВАКАНСИЯ ID VAC 32849

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф
ВАКАНСИЯ ID VAC_32849

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 13 апреля 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 марта 2018 года; — окончание приема: 11 апреля 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук;

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами.

1 Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Старший научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований). Формирование предложений к портфелю научных (научно-технических) проектов и предложений по участию в конкурсах (тендерах, грантах) в соответствии со стратегическим планом развития научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС. Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Организация практического использования результатов научных (научно-технических, экспериментальных) проектов, в том числе публикация результатов, а также представление научных (научно-технических) результатов потенциальным потребителям.
Осуществление технологических операций шлифования и полирования свободным абразивом приборных пластин на многофункциональной установке РМ-5 (производство Logitech Ltd).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 21 949 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (https://isvch.ru/doc/)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

2018г

ИСВЧПЭ 15 лет

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН] был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны — Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. С января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций,

30 пет назад ВТ. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива института: в 1983 г. — Б составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), о с 1989 г, — в составе Центра института радиотехники и электроники им, В,А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д-р физ.-мат. наук Г.Б. Галиев. В 2002 году ИСВЧПЭ РАН стол самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В,Г, Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах.
В 2008-2009 гг. институт возглавлял д-р физ.-мат. наук Ю.А, Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был заслуженный деятель науки Российской Федерации, д-р техн. наук, профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по настоящее время директором является д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим ноправпениям:

  • Технология и физика квантово-размерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • Расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше;
  • Разработка систем но кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для диапазона частот до 50-250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • Микро- и нонотехнологии формирования короткоканапьных гетероструктурных СВЧ приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • Разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов но нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки нано-гетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора — заместителя директора по НИОКР Ю.В, Федорова,
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д-р физ,-мат. наук В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.
Свое 1 5-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники.
Директор ИСВЧПЭ РАН д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе

Итоговые публикации

  • Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот (Алферов Ж. И., Зубов Ф. И., Цырлин Г. Э., Жуков А. Е., Щаврук Н. В., Павлов А. Ю., Пономарев Д. С., Клочков А. Н., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П.)
  • На пути к реализации терагерцовых лазеров на основе графеновых гетероструктур (Рыжий В.

Поступающим

ИСВЧПЭ РАН объявляет набор на 2024/2025 учебный год

На 2024/2025 Минобрнауки выделено 1 место за счет бюджетных ассигнований федерального бюджета (КЦП 2024)

К освоению программ подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре допускаются лица, имеющие образование не ниже высшего — специалитет или магистратура. Прием на обучение по программам аспирантуры осуществляется по результатам вступительных испытаний. Поступающие в аспирантуру сдают вступительный экзамен по специальной дисциплине, соответствующей профилю направления подготовки. Конкурсные вступительные испытания по усмотрению экзаменационной комиссии могут проводиться как в устной, так и в письменной форме.

Перечень требуемых документов:

  1. Заявление о приеме на обучение в аспирантуре на имя директора Института
  2. Оригинал или нотариально заверенная копия диплома специалиста или магистра и приложения к нему
  3. Копия паспорта
  4. Копия СНИЛС
  5. Список трудов
  6. Фото 3х4 (2 шт.)

Документы сдавать по адресу: 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Тел./факс: 8 (499) 123-44-64
E-mail: isvch@isvch.ru

Контактное лицо: Глинский Игорь Андреевич

 

О нас пишут

13.12.17
В газете «Московский комсомолец» № 277 (27.570) от 13.12.2017 опубликована статья Ольги Синицыной «СВЧ-ТЕХНОЛОГИИ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ»
Скачать (.pdf)

28.09.17
В связи с 15-летием ИСВЧПЭ РАН в журнале Электроника НТБ (№ 7, 2017) опубликована статья С.А. Гамкрелидзе «Институту СВЧПЭ РАН – 15 лет»
Скачать (.pdf)

20.07.17
На сайте «ЭкспоЭлектроника» опубликована страница, посвященная проведенным семинарам в рамках деловой программы выставок «ЭкспоЭлектроника» и «ЭлектронТехЭкспо» 2017. Сообщается, что 27.04.2017 семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G» был проведен директором ИСВЧПЭ РАН Гамкрелидзе С.А.

20.06.16
В честь 20-летия журнала «Электроника: Наука. Технология. Бизнес» в Российской академии науки состоялась научная сессия, совместно с Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, на которой с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, член редакционного совета журнала «Электроника: НТБ» Мальцев П.П. Также состоялся круглый стол

16.05.16
В журнале «Электроника.НТБ» опубликована заметка о результатах работы ИСВЧПЭ РАН «Первые российские МИС для систем связи 5G»

25.04.2016
29 октября 2015 года состоялось первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ, на котором выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П.

24.03.16
Статья об ИСВЧПЭ РАН в газете «ПОИСК» от 4 марта 2016 года

19.02.16
Заслуженного деятеля науки РФ Мальцев Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России «WHO IS WHO В РОССИИ» (2013 г., VII издание, том 2)

 

18.01.16
«Полупроводниковая СВЧ-электроника в России. ИСВЧПЭ РАН — исследования и разработки» (П.П. Мальцев, Элеткроника НТБ, №10, 2015 г.) Реклама в журнале

14.04.15
Статья в газете «Московская правда» от 14 апреля 2015 г

30.06.14
30 мая 2014 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась третья встреча пользователей оборудования Raith на территории России Скачать

19.11.13
С 31 октября по 2 ноября 2013 года проходил московский международный форум «Открытые инновации», где были представлены Российские технологические платформы. Скачать

«Пилотная линейка для проведения НИОКР: от наногетероструктур до монолитных интегральных схем СВЧ и КВЧ диапазонов (от 3 до 300 ГГц)», реклама в журнале «Наноиндустрия», №6, 2013 г

10.08.13
7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России. http://optec.zeiss.ru

12.07.12г
«Первая встреча российских пользователей оборудования Raith состоялась в Москве»
Источник на сайте Carl Zeiss

12.07.12г
«Технологические платформы РАН. Российская академия наук в стратегии модернизации страны» П.К. Берзигияров

03.07.12г
«Московская правда» от 26 июня 2012г. Записала Регина Бударина

19.04.13г
Один, совсем один. Академический институт выглядит белой вороной среди победителей конкурса по Постановлению №218(Научная политика)

23.03.12г
«Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»

14.06.11г
«Применение вакуумной техники и технологии в космической отрасли»

14.06.11г
« Широкозонные гетероструктуры (Al, Ga, In) N и приборы на их основе для миллиметрового диапазона длин волн»

25.05.11
Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.(реклама в журнале «Наноиндустрия», № 5, 2011 г)

16.08.10
«В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова»
(Электроника: Наука, Технология , Бизнес 4/2010 г )

«Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ диапазона — смена поколений»
(А.

Обновления на сайте (150715-310815)

  •  в раздел Аспирантура добавлены ссылки на ресурс «Электронная библиотека»
  • В раздел Работы по заказу Минобрнауки России добавлена информация об успешном завершении этапа № 4 «Изготовление экспериментальных образцов» в августе в рамках НИР «Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов, разработка технологических принципов их изготовления (монолитные интегральные схемы усилителей для диапазона частот 92-96 ГГц)»
  • в раздел Технологическая платформа «СВЧ технологии» в Документы добавлена новая Стратегическая программа исследований ТП «СВЧ технологииТехнологическая платформа «СВЧ технологии»
  • в раздел Разработки добавлена статья «Томский «Микран» открыл завод им. В.Я. Гюнтера», Л. Павлова
  • в раздел Аспирантура в нормативных документах добавлено новое приложение к лицензии ИСВЧПЭ РАН на образовательную деятельность
  • в разделе Объявления добавлено объявление о конкурс на замещение вакантных должностей
  • в раздел Результаты интеллектуальной деятельности добавлен Патенты на изобретение «Устройство СВЧ плазменной обработки материалов» (№2555743)
2015г, Все новости