ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 3 августа 2018 года; — окончание приема: 23 августа 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Электротехника, электронная техника, информационные технологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами

Решение комплекса исследовательских задач в рамках реализуемых проектов.
Проведение самостоятельных работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований.
Формирование предложений к портфелю проектов Института по участию в конкурсах (тендерах, грантах).
Осуществление взаимодействия c другими научными группами/научными учреждениями в рамках совместных проектов.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Разработка методов и способов решения задач, в рамках выполняемых научно- исследовательских проектов и/или опытно-конструкторских работ.
Определение информационных ресурсов, научной, опытно-экспериментальной и приборной базы, необходимых для решения исследовательских задач.
Электромагнитное моделирование антенн терагерцового диапазона частот методами вычислительной электродинамики;
Моделирование сверхбыстрых переходных процессов в фотопроводящих средах при их возбуждении ультракороткими импульсами света.
Проведение экспериментальных исследований источников и приемников электромагнитных колебаний терагерцового диапазона частоты.
По согласованию с руководством Института, подача проектов на конкурсы в рамках тематики научных исследований.
Консультирование магистерских, дипломных проектов и диссертационных работ.
Обобщение и интерпретация научных результатов, полученных коллективом лаборатории, в том числе написание отчетов о проведенных научных исследованиях, публикация статей в российских и зарубежных рецензируемых журналах, выступление на конференциях.
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 17 413 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (Перечень документов)

Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 июня 2018 года; — окончание приема: 24 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность младшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

— Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба.

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии

Задачи и критерии оценки.

Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами Выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования. Анализ научных (научно-технических) результатов. Публичное представление научных (научно-технических) результатов в форме докладов и публикаций. Разработка технологических процессов нанесения диэлектриков, их травления, термической обработки и методов контроля этих процессов для реализации проектов изготовления современных монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5. Исследование влияние технологических процессов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов, на их характеристики в зависимости от режимов их реализации. Разработка маршрутов изготовления монолитных интегральных схем на полупроводниках группы A3B5 с использованием базовых технологических операций и имеющегося технологического оборудования. Обеспечения межоперационного контроля в процессе изготовления монолитных интегральных схем. Организация регламента технического обслуживания и ремонта технологического оборудования лаборатории

Критерии оценки:

Наличие публикаций, участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба. Наличие патентов на полезную модель не менее 1.

Должностные обязанности:
Младший научный сотрудник:

Проводить исследования, эксперименты, наблюдения, измерения на основе методики, предложенной ответственным исполнителем. Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования. Обосновывать тематики новых исследований. Описывать исследования, эксперименты, наблюдения, измерения. Формулировать выводы и основные результаты исследований, экспериментов, наблюдений, измерений. Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования. Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя. Творчески осмысливать информацию, содержащую сведения о передовых исследованиях в науке. Публиковать результаты проведенного исследования в рецензируемых в ведущих отечественных и зарубежных научных изданиях. Представлять результаты проведенных исследований на научных (научно-практических) мероприятиях. Составлять отчеты (разделы отчета) по теме или ее разделу (этапу, заданию). Участвовать во внедрении результатов исследований и разработок. Следить за состоянием вверенного ему научного оборудования.

Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 15 173 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Конкурс

В соответствии с конкурсом на вакантную должность старшего научного сотрудника лаборатории № 104, размещенную на сайте «ученые-исследователи.рф»№ ID VAC 32610 от 20.03.2018 г.; вакантную должность старшего научного сотрудника лаборатории № 106 ID VAC 32849 от 22.03.2018 г.  и вакантную должность младшего научного сотрудника лаборатории № 106 (конкурс на сайте www.isvch.ru от 01.02.2018 г.) утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН:

— старший научный сотрудник лаборатории № 104 ««Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»  — Крапухина Дмитрия Владимировича; (Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

— старший научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» — Трофимова Александра Александровича.(Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

— младший научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро-   и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» — 1 вакансия – Клековкина Алексея Владимировича. (Протокол конкурсной комиссии от 13.04.2018 г.)

Объявление о проведении конкурса ВАКАНСИЯ ID VAC 32849

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф
ВАКАНСИЯ ID VAC_32849

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 13 апреля 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 22 марта 2018 года; — окончание приема: 11 апреля 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук;

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 5 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Отрасль науки: Нанотехнологии.

Задачи и критерии оценки.
Задачи: Обобщение научных (научно-технических) результатов, полученных в процессе решения научно-исследовательских задач научными коллективами.

1 Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Критерии оценки:

Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования не менее 5.

Должностные обязанности:
Старший научный сотрудник:

Обобщать научные и (или) научно-технические результаты, полученные в ходе выполнения программы исследования

Проведение работ по обработке и анализу научно-технической информации и результатов исследований (в том числе патентных исследований). Формирование предложений к портфелю научных (научно-технических) проектов и предложений по участию в конкурсах (тендерах, грантах) в соответствии со стратегическим планом развития научной организации.
Разработка, оптимизация и проведение технологических операций при изготовлении СВЧ МИС. Техническое обслуживание и модернизация используемого оборудования.
Организация практического использования результатов научных (научно-технических, экспериментальных) проектов, в том числе публикация результатов, а также представление научных (научно-технических) результатов потенциальным потребителям.
Осуществление технологических операций шлифования и полирования свободным абразивом приборных пластин на многофункциональной установке РМ-5 (производство Logitech Ltd).
Условия трудового договора.
С победителями конкурса заключается срочный трудовой договор сроком на 5 лет.

Заработная плата 21 949 руб./месяц, сотрудник имеет право на получение любой из доплат, надбавок и других выплат компенсационного, стимулирующего и социального характера, предусмотренных «Положением об организации и оплате труда ИСВЧПЭ РАН».

Дополнительно:

Тип занятости: полная занятость

Режим работы: полный день/пятидневная рабочая неделя

7. Для участия в конкурсе претендент предоставляет в конкурсную комиссию документы согласно перечню указанному на сайте www.isvch.ru в разделе документы (http://new.isvch.ru/doc/)
Лицо для получения дополнительных справок:

Фамилия, имя, отчество: Гончар Юлия Александровна

E-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

ИСВЧПЭ 15 лет

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН] был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны — Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. С января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций,

30 пет назад ВТ. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива института: в 1983 г. — Б составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), о с 1989 г, — в составе Центра института радиотехники и электроники им, В,А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д-р физ.-мат. наук Г.Б. Галиев. В 2002 году ИСВЧПЭ РАН стол самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В,Г, Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах.
В 2008-2009 гг. институт возглавлял д-р физ.-мат. наук Ю.А, Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был заслуженный деятель науки Российской Федерации, д-р техн. наук, профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по настоящее время директором является д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим ноправпениям:

  • Технология и физика квантово-размерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • Расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше;
  • Разработка систем но кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для диапазона частот до 50-250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • Микро- и нонотехнологии формирования короткоканапьных гетероструктурных СВЧ приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • Разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов но нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки нано-гетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора — заместителя директора по НИОКР Ю.В, Федорова,
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д-р физ,-мат. наук В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.
Свое 1 5-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники.
Директор ИСВЧПЭ РАН д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе

Итоговые публикации

  • Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот (Алферов Ж. И., Зубов Ф. И., Цырлин Г. Э., Жуков А. Е., Щаврук Н. В., Павлов А. Ю., Пономарев Д. С., Клочков А. Н., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П.)
  • На пути к реализации терагерцовых лазеров на основе графеновых гетероструктур (Рыжий В.