Государственные контракты

Соглашения

2016 год

ИСВЧПЭ РАН успешно закончил работы по ОКТР «Разработка базовой технологии и организация высокотехнологического производства изготовления высокоэффективных теплоотводящих элементов конструкции из поликристаллического алмаза для активных компонентов изделий электронной техники», шифр «Теплоотвод» в качестве Головного исполнителя НИОКТР в рамках реализации постановлении правительства Российской Федерации от 9 апреля 2010 г. №218.

(Договор №02.G36.31.0005 от 23 мая 2013 г. между АО «НПП «Исток им. Шокина» и Минобрнауки России; Договор №33/211-13 от 22 февраля 2013 г. между ИСВЧПЭ РАН и АО «НПП «Исток» им. Шокина»).

В результате проведения работ в рамках ОКТР разработан базовый технологический процесс производства высокоэффективных теплоотводящих элементов конструкции из поликристаллического алмаза (CVD-алмаз) для активных компонентов изделий электронной техники.

Применение новых теплоотводящих элементов конструкции из CVD-алмаза позволит существенно повысить эксплуатационные характеристики и надежность электронных и оптоэлектронных устройств повышенной мощности, включая сверхвысокочастотные (СВЧ) мощные транзисторы и монолитные интегральные схемы, светоизлучающие диоды, лазерные диоды и матрицы и т.п.

Статья по результатам выполнения ОКТР

2015 год
  1. Государственный контракт №14.427.12.0001 от 30 сентября 2013 г.
    Тема: «Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов, разработка технологических принципов их изготовления (монолитные интегральные схемы усилителей для диапазона частот 92-96 ГГц)»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: д.т.н., профессор П.П. МальцевКлючевые слова: HEMT наногетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, W-диапазон, монолитная интегральная схема, усилитель мощности, малошумящий усилитель, электронно-лучевая литография
    Срок выполнения: 2012-2015 гг.
    Аннотация этапа № 4
  2. Соглашение № 14.607.21.0124 от 27 октября 2015 г.Тема: ПНИ «Разработка МИС однокристальных приемо-передающих модулей для диапазона частот 23-25 ГГц на основе нитрида галлия»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: Федоров Ю.В.Ключевые слова: приемо-передающий модуль, монолитная интегральная схема, наногетероструктура, нитрид галлия, СВЧ электроника

    Срок выполнения: 2015-2017 гг.

2014 год
  1. Соглашение №14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г.Тема: ПНИ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо-передающих модулей на частоту 8-12 ГГц»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН В.И. Рыжий

    Ключевые слова: HEMT гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, HEMT транзистор, монолитная интегральная схема, усилитель мощности, малошумящий усилитель

    Срок выполнения: 2014-2016 гг.

  2. Соглашение №14.604.21.0003 от 17 июня 2014 г.Тема: ПНИ «Разработка наногетероструктур на подложках фосфида индия для приборов СВЧ наноэлектроники (диапазон 100 — 300 ГГц)»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: д.ф.-м.н Г.Б. Галиев

    Ключевые слова: HEMT, гетероструктуры, квантовые ямы, фосфид индия, полевые транзиcторы, СВЧ

    Срок выполнения: 2014-2016 гг.

  3. Соглашение №14.604.21.0136 от 06 ноября 2014 г.Тема: ПНИ «Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42-46 ГГц»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: Ю.В. Фёдоров

    Ключевые слова: усилители мощности, монолитные интегральные схемы, q-диапазон, нитрид галлия, полевые транзиcторы, СВЧ

    Срок выполнения: 2014-2016 гг.

  4. Соглашение №14.607.21.0087 от 24 ноября 2014г.Тема: ПНИ «Разработка конструктивно-технологических принципов создания однокристальных приемо-передающих модулей для современных широкополосных систем беспроводной связи и передачи информации в диапазоне частот 57-64 ГГц»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: д.т.н., профессор П.П. Мальцев

    Ключевые слова: HEMT гетероструктура, система-на-кристалле, монолитная интегральная схема, приемо-передающий модуль, антенна, усилитель, смеситель, генератор, управляемый напряжением, V-диапазон

    Срок выполнения: 2014-2016 гг.

2013 год

Государственный контракт №14.427.12.0001 от 30 сентября 2013 г.

Тема: «Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов, разработка технологических принципов их изготовления (монолитные интегральные схемы усилителей для диапазона частот 92-96 ГГц)»

Исполнитель: ИСВЧПЭ РАН

Научный руководитель: д.т.н., профессор П.П. Мальцев

Ключевые слова: HEMT наногетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, W-диапазон, монолитная интегральная схема, усилитель мощности, малошумящий усилитель, электронно-лучевая литография.

Срок выполнения: 2012-2015 гг.

2012 год

Государственный контракт №16.426.11.0051 от 28 апреля 2012 г.

Тема: «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования квантовых структур (структуры для терагерцового диапазона частот)»

Исполнитель: ИСВЧПЭ РАН

Научный руководитель: Ю.В. Фёдоров

Ключевые слова: квантовые наногетероструктуры, подложка арсенида галлия (GaAs), подложка фосфида индия (InP), приборы терагерцового диапазона спектра, генерирование терагерцового излучения, детектирование терагерцового излучения.

Срок выполнения: 2012-2013 гг.

2011 год
  1. Государственный контракт №16.513.11.3045 от 12 апреля 2011 г.Тема: «Поисковые исследования по разработке методов формирования упорядоченных массивов кристаллографических наноструктур на основе олова для наноэлектроники»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: к.т.н., А.П. Сеничкин

    Ключевые слова: Нанонити, Наноструктуры, Наногетероструктуры, Квантовые проволочки, Квазиодномерные структуры, Молекулярно-лучевая эпитаксия, Арсенид галлия, дельта-легирование, Анизотропия.

    Срок выполнения: 2011-2012 гг.

  2. Государственный контракт № 14.740.11.0869 от 29 апреля 2011 г.Тема: «Разработка технологии изготовления метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/GaAs для диапазона частот 60-80 ГГц»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАННаучный руководитель: Бугаев А.С.

    Ключевые слова: НЕМТ, наногетероструктуры, арсенид галлия, фосфид индия, монолитные интегральные схемы, миллиметровый диапазон длин волн, псевдоморфные наногетероструктуры, метаморфные наногетероструктуры

    Срок выполнения: 2011-2012 гг.

  3. Государственный контракт №16.513.11.3113 от 12 октября 2011 гТема: «Исследование возможностей создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»Исполнитель: ИСВЧПЭ РАНПриглашенный научный руководитель: д. ф.- м. н., академик РАН — Ю.К. Пожела (Литва)

    Ключевые слова: НЕМТ, InAlAs/InGaAs/InP наногетероструктура, фононная яма, интерфейсные фононы, полярные оптические фононы, молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), рассеяние электронов, квантовые ямы (КЯ)

    Срок выполнения: 2011-2012 гг.

2010 год

Государственный контракт №14.740.11.0136 от «13» сентября 2010 г.

Тема: «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц»

Исполнитель: ИСВЧПЭ РАН

Научный руководитель: д.т.н., профессор П.П. Мальцев

Ключевые слова: Монолитная интегральная система (МИС), МИС резистивного смесителя, МИС генератора, управляемого напряжением, КВЧ диапазон, фотодиодный модуль

Срок выполнения: 2010-2012 гг.