30.05.13
С 13-16 мая 2013 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук была организована поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en). В ходе визита сотрудниками ИСВЧПЭ РАН был продемонстрирован научно-технический потенциал Института технической физики и материаловедения – чистые помещения с классом чистоты ISO 6 и 8, участок фотолитографии, учебные и научные лаборатории сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскоп, установку оже-спектроскопии, измерительные лаборатории и др.
В свою очередь, сотрудники ИСВЧПЭ РАН к.ф.-м.н. Климов Е.А. и к.т.н. Гнатюк Д.Л. подготовили доклады для венгерской стороны о научных исследованиях в области полупроводниковых наногетероструктур типа А3В5, проводимых в ИСВЧПЭ РАН.
Климов Е.А. Презентация .pdf
Гнатюк Д.Л. Презентация .ppt

01.10.12
С 4-7 декабря 2012 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук была организована поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en). В ходе визита сотрудникам ИСВЧПЭ РАН был продемонстрирован научно-технический потенциал Института технической физики и материаловедения — чистые помещения с классом чистоты ISO 6 и 8, учебные и научные лаборатории сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, атомной-силовой микроскоп, физико-химическая лаборатория получения нано и био-частиц, измерительные лаборатории (газовые сенсоры) и др. В свою очередь, сотрудники ИСВЧПЭ РАН к.ф.-м.н. Пономарев Д.С. и Клочков А.Н. подготовили доклады для венгерской стороны о состоянии научных исследований в области полупроводниковых гетероструктур типа А3В5, проводимых в ИСВЧПЭ РАН.

«Creation of Sn nanowires inserted in GaAs crystall by molecular beam epitaxy and electrical properties of nanowires » Klochkov A., Senichkin A., Bugaev A., Yachmenev A., Galiev G.

«Fabrication of indium-riched isomorphic and metamorphic structures InGaAs/InAlAs with
original buffer layers grown on GaAs and InP substrates
» Ponomarev Dmitry, Ph.D.