Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_75466

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 15 марта 2021 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 20 февраля 2021 года; — окончание приема: 12 марта 2021 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (антресоль 2 этажа, каб.№11), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность Заместитель директора (заведующего, начальника) по научной работе

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Тематика исследований:
1. Общее руководство научной и образовательной деятельностью в Институте.

2. Руководство проектами по профильному направлению исследований в Институте – источники и детекторы терагерцового излучения, новые двумерные материалы и низкоразмерные системы.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Курирование научной и образовательной деятельностями в Институте;
Курирование выполнения государственного задания Минобрнауки РФ на соответствие достижения целевых показателей (КБПР, число публикаций WoS и др.);
Руководство грантами РНФ, РФФИ, Президента и др.;
Руководство аспирантами;
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— диплом доцента по научной специальности: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1

Условия:

Заработная плата:
50200 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 20.02.2021 г. по 12.03.2021 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

otdelkadrov@isvch.ru

2021 год – Год науки и технологий в Российской Федерации

В соответствии с решением  организационного комитета  Года науки и технологий  в  Российской Федерации  был разработан  и утвержден официальный логотип и бренд-бук  Года  науки и технологий в Российской Федерации.

Файл (.pdf)

В журнале Электроника НТБ 10/2020 опубликована статья А. Кищинского

В журнале Электроника НТБ 10/2020 опубликована статья А. Кищинского «СВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри» по результатам Семинара-совещания специалистов российской радиоэлектронной промышленности на тему «Актуальные вопросы разработки и применения СВЧ-компонентов и приборов на основе технологии нитрида галлия», который прошел в Москве 12-13 ноября 2020 г. В статье приведены результаты ИСВЧПЭ РАН по развитию СВЧ ЭКБ на основе технологий

Microwave Systems (.pdf)

В журнале Электроника НТБ 10/2020 опубликована обзорная статья Р.А. Хабибуллина

В журнале Электроника НТБ 10/2020 опубликована обзорная статья Р.А. Хабибуллина «Квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона в России: современное состояние и перспективы»

Review QCL (.pdf)

Информация о результатах исследований ИСВЧПЭ РАН по созданию теоретической модели квантово-каскадного лазера

В газете «Коммерсантъ», в Газета.ru и на сайте Российской Академии Наук размещена информация о результатах исследований ИСВЧПЭ РАН по созданию теоретической модели квантово-каскадного лазера, излучающего в области остаточных лучей GaAs.

Далее приведены ссылки на СМИ:

https://www.kommersant.ru/doc/4482755
https://www.gazeta.ru/science/news/2020/09/10/n_14920814.shtml
http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=33da9ce8-4bcc-4205-82d1-212092ec911e