Постоянно действующий семинар под руководством чл.-корр. РАН д.ф.-м.н. Рыжий В.И
«Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

17.03.17 Программа семинара


Архив семинаров
[spoiler]

08.10.15 Программа семинара

24.03.15 Программа семинара

20.05.14 Программа семинара26.03.14 Программа семинара

17.12.13 Программа семинара
11.09.13 Программа семинара

02.07.13 Программа семинара Докладчики – Dr Zsolt Zolnai and Dr Norbert Nagy (MTA TTK MFA, Budapest, Hungary) Институт технической физики и материаловедения, г. Будапешт, Венгрия

20.06.13 Программа семинара Приглашенный докладчик – Алексей Андреев Hitachi Cambridge Laboratory, University of Cambridge, Великобритания

31.05.13 Программа семинара

19.12.12 Программа семинара

22.06.12 Программа семинара

17.04.12 Программа семинара

15.12.11 Программа семинара

20.10.11 Программа семинара

18.05.11 Программа семинара

[/spoiler]

«Публикации»

«Терагерцевые технологии для телекоммуникаций» (В. Семёнова, В. Беспалов)

«Применение терагерцевого излучения в биологии и медицине» Г. Гареев, В. Лучинин

«ИСВЧПЭ РАН. Разработка полупроводниковых приборов для терагерцового диапазона частот», журнал «Наноиндустрия», №6, 2013 г.

«Детектирование в терагерцовом диапазоне. (Нано-и микросистемная техника)» А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, П.П.Мальцев

«Особенности детектирования в терагерцовом диапазоне. (Высокие технологии в промышленности России)» А.В.Войцеховский, Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, П.П.Мальцев, С.Н.Несмелов

«Типы детекторов терагерцового излучения. (Нано-и микросистемная техника)» А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, П.П.Мальцев

«Детекторы терагерцового излучения.(Наноинженерия в приборостроении)» А.В.Войцеховский, Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, П.П.Мальцев, С.Н.Несмелов

«Детекторы терагерцового излучения.(Высокие технологии в промышленности России)» А.В.Войцеховский, Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, П.П.Мальцев, С.Н.Несмелов

«T-лучи — что это такое и зачем это нужно?» Дмитрий Хохлов

«Освоение терагерцовой щели. Полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллимитровый диапазон. » (В.Майская)

 

«Научные исследования проводимые ИСВЧПЭ РАН в области СВЧ технологии»

В рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы выполнялись две НИР: «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц» и «Исследование возможностей создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

Мероприятие 1.1.
Государственный контракт: №14.740.11.0136 от «13» сентября 2010 г.
Тема: «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: д.т.н., профессор П.П. Мальцев
Ключевые слова: Монолитная интегральная система (МИС), МИС резистивного смесителя, МИС генератора, управляемого напряжением, КВЧ диапазон, фотодиодный модуль
Срок выполнения: 2010-2012 гг. Скачать

Мероприятие 1.5.
Государственный контракт № 14.740.11.0869 от 29 апреля 2011 г.
Тема: «Исследование возможностей создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Приглашенный научный руководитель: д. ф.- м. н., академик РАН — Ю.К. Пожела (Литва)
Ключевые слова: НЕМТ, InAlAs/InGaAs/InP наногетероструктура, фононная яма, интерфейсные фононы, полярные оптические фононы, молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), рассеяние электронов, квантовые ямы (КЯ)
Срок выполнения: 2011-2012 г. Скачать

Государственный контракт №16.426.11.0051 от 28 апреля 2012 г.
Тема: «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования квантовых структур (структуры для терагерцового диапазона частот)»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: Ю.В. Фёдоров
Ключевые слова: квантовые наногетероструктуры, подложка арсенида галлия (GaAs), подложка фосфида индия (InP), приборы терагерцового диапазона спектра, генерирование терагерцового излучения, детектирование терагерцового излучения.
Срок выполнения: 2012-2013 гг. Скачать

Государственный контракт: №16.513.11.3045 от «12» апреля 2011 г.
Тема: «Поисковые исследования по разработке методов формирования упорядоченных массивов кристаллографических наноструктур на основе олова для наноэлектроники»
Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
Научный руководитель: к.т.н., А.П. Сеничкин
Ключевые слова: Нанонити, Наноструктуры, Наногетероструктуры,Квантовые проволочки, Квазиодномерные структуры, Молекулярно-лучевая эпитаксия, Арсенид галлия, дельта-легирование, Анизотропия.
Срок выполнения: 2011-2012 гг. Скачать